Q-紧性与强T_2分离性

在不分明拓扑学中,紧性是被普遍关心的问题,而且作了较为深入的研究,得到了一系列较好的结果,如文献[1—5],本文目的是在文献[6]中提出的拓扑分子格理论的框架下,首先是借助于完全分配格中元的成分概念把不分明拓扑空间中的Q-紧性概念推广到拓扑分子格中;其次是对于完全分配格中的不可比分子在拓扑分子格中引入了强T_2分离性概念。     

连续映射的扩充I

本文采用格论观点研究拓扑学中连续映射的扩充问题，给出陪域为局部紧的Ｔ＿２空间时连续映射扩充的充要条件，此结果包括陪域为紧空间或实数域的情况作为特例．     

关于覆盖性质的乘积刻划

本对Ｘ×βＸ引入某些正规性的弱形式，并用它们给出以、亚紧、次亚紧、次中紧等覆盖性质的统一的乘积刻划。     

关于流形的若干注记

在拓扑学以及微分几何中,总是假定所遇到的流形是Hausdorff的和仿紧的,其原因在于这两种拓扑性质是许多常见性质的必要条件。阐述了对于这两种性质的假设的必要性,同时指出了[2]中的一处错误。     

从B^α到B^0和D空间上的复合算子

设φ是单位圆盘D到自身的解析映射,X是D上解析函数构成的Banach空间,对f∈X,定义复合算子CφCφf=f°φ.研究了Bα到B0和D空间上的复合算子的有界性和紧性.     

关于Krein-Milman定理的一点注记

目的研究线性拓扑空间中紧集端点存在性问题。方法集合论与点集拓扑学中的方法。结果得到一般线性拓扑空间中紧集端点存在的一个充分必要条件。结论证明局部凸线性拓扑空间中的紧集必有端点,同时给出Krein-M ilman定理的简化证明。     

T_1与T_2之间的几个分离公理

讨论了T1与T2之间的几个分离公理.     

Banach空间一类二阶脉冲微分方程解的存在性

在一定的非紧型测度条件下,利用Monch不动点定理获得Banach空间中一类二阶脉冲微分方程周期边值问题解的存在性.     

cf-可膨胀类的逆极限运算的保持性

主要证明如下结果：设X=lim←{Xα,πβα,Λ},λ=｜Λ｜并且每个投射πα是开满映射,如果X是（遗传）λ-仿紧的且每个Xα是性质P（遗传性质P）的,则X是性质P（遗传性质P）的.P表示cf-可膨胀、θ-cf可膨胀、序列cf-可膨胀、离散cf-可膨胀、离散θ-cf可膨胀,离散序列cf-可膨胀6种性质之一.     

Ⅲ族氮化物量子点中类氢施主杂质位置对束缚激子结合能的影响

在有效质量近似下，运用变分方法，考虑内建电场效应和量子点（QD）的三维约束效应的情况下，研究了类氢施主杂质在量子点中的位置对Ⅲ族氮化物量子点中束缚激子结合能的影响。结果表明：当类氢施主杂质位于量子点中心时，对于InxGa1-xN／GaN量子点，量子点高度和In含量存在临界值，当参数大于临界值时，约束在QD中束缚激子的结合能升高，激子态的稳定性增强，提高了激子的离解温度，使人们能在较高的温度条件下观察到半导体量子点吸收谱中的激子峰。而类氢施主杂质总是使束缚在GaN／AlxGa1-xN量子点中激子的结合能升高，载流子被更强的约束在量子点中。说明对GaN／AlxGa1-xN量子点，杂质使人们能在更高温度下观察到量子点中的激子。类氢施主杂质位于量子点上界面时，束缚激子的结合能最大，系统最稳定；随着施主杂质下移，激子结合能减小，激子的离解温度下降。