Te溶液生长半磁半导体Cd1—xMnxTe时界面稳定性的讨论

用Ｍｕｌｌｉｎｓ和Ｓｅｋｅｒｋａ的线性动力学理论定性探讨了Ｔｅ溶液生长半磁半导体Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ时固－液界面的稳定性，并在自行设计的旋转式液相外延装置中，用Ｃｄｔｅ作籽晶，利用失稳小平面的长厚，富Ｔｅ溶液生长了Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ晶膜，其面积为０．５ｃｍ＾２，厚度￣０．４ｍｍ，分析了界面能各向异性的影响及晶膜表面形貌呈波纹状的原因，最后探讨了获得稳定液相外延的条件。     

Br~-离子对电极/溶液界面结构、性质影响的测定

本文采用电毛细曲线法测定,考察了Br~-离子在汞电极/溶液界面上的特性吸附及对双电层结构、性质的影响。     

量子斜阱中光学界面声子模在│kl0│《1时的近似解

在连续介电模型基础上，讨论了量斜阱中的光学界面声子；利用文献（６）所给数据，得到了在│ｋｌ０│〈〈时的电场分量和电位移分量的微扰解，以及相应的色散关系解析表达式，数值计算结果表明与方阱以及文献（３）的结果显然不同，色散关系曲线相当复杂，与方阱时相反，电场分量和电位移分量对频率十分敏感，而对│ｋｌ０│值的变化却不敏感。     

单层粒子水平集方法

提出了一种单层粒子水平集方法,该方法利用拉格朗日粒子追踪界面特征,采用水平集方法隐式捕捉界面.首先,利用水平集方法捕捉界面.然后,基于拉格朗日粒子的位置信息对界面进行修正,最终得到平滑、精确的运动界面.该方法克服了传统水平集方法体积守恒性差的缺陷,极大地提高了运动界面的精度.另外,本文提出了简单有效的粒子重分配策略,包...     

抗震加固工程中界面处理技术

石河子市13#小区住宅加固工程中,针对新旧混凝土,新加混凝土与旧砖墙等不同界面,采用了系列界面处理技术,使加固面结合接触紧密,效果良好,达到了设计要求。1框架柱加固界面处理经现场勘查及检测,在装修面层拆除后,柱表面有网状微细裂缝,深约4￣20m m不等,混凝土碳化深度接近20m     

RTA工艺对HfO_2/Si界面电学特性的影响

为进一步优化HfO_2/Si界面的电学性能,本文采用RTA工艺处理HfO_2/Si样品,并分析了相应MOS器件的C-V特性。实验结果显示,HfO_2/Si界面存在大量的氧化物陷阱电荷,而RTA工艺可以有效修复氧化物陷阱,有效改善HfO_2/Si结构MOS器件的电学特性。     

定向凝固多晶硅中细晶产生的原因分析

铸锭多晶硅是目前最主要的光伏材料,其结晶组织的形貌对太阳能电池的转换效率有着显著的影响．粗大均一的晶粒有利于得到高质量的硅片,从而提高电池转化效率．而在多晶硅锭的中心区域经常发现晶粒尺寸小于1mm2的细晶,其电学性能较差,影响该部分硅片的质量．本文设计了两种不同结构的热场,利用计算机仿真技术和实验测量,结合组分过冷理论,对细晶形成机理和影响因素进行了探讨．研究表明,提高结晶界面前沿熔体的温度梯度与结晶速度的比值G／V、增强界面前沿熔体的对流强度,并维持较为平坦的结晶界面,有利于避免细晶的产生．     

金属多层的强度及界面强化能力研究进展

介绍了近年来内外有关金属多层强度及其界面强化能力研究的进展.结合近年来的研究结,分析并总结了金属多层强化的物理机制以及界面强化能力的,并对金属多层研究的发展趋势进行了展望.已有结表明,金属多层的强度通常随组元层的单层厚度减小而逐渐增大,并符合类似Hall-Petch的强化关系,但当单层厚度小于某一临界值以后,不同体系多层的强度与单层厚度之间偏离了Hall-Petch关系,表现出不同的变化趋势;金属多层的界面类及结构对其强化能力有显著影响,同时也影响金属多层的塑性变和断裂行为.     

量子点中的界面极化子和多孔硅发光现象

量子点中的极化子效应是当前量子点研究中的重要问题,其特征急需了解,提出了量子点中量子限域极化子的概念,可能性和能量随尺寸的变化规律,指明本征声子和外来声子都可能对其形成有贡献,利用此模型分析了多孔硅体系中的光谱特征。发现表面覆有氧化层的纳米硅的行为十分符合量子限域极化子的特征。