大连民族学院在研的国家自然科学基金项目简介（Ⅱ）

一、“利用辉光介质阻挡放电沉积多种功能性薄膜”（编号：10405005） 项目主持人：刘东平 利用介质阻挡放电在沉积DLC薄膜方面的优势，将该方法移植至其他功能，性薄膜（如a-Si：H、SiO2、a-C：N、TiO2等）的制备研究中，分析薄膜特性，开创新的研究工作；对脉冲辉光放电形成过程及等离子体鞘层活性物种种类、能量及密度进行模拟，结合对薄膜在原子水平上的分析结果，研究薄膜的低能沉积和高能溅射过程，分析薄膜沉积机理。     

机械合金化与等离子体烧结法制备CoSb3热电材料

研究用机械合金化及等离子体烧结法制备热电材料CoSb3化合物,试验结果表明,原始粉末机械合金化10h后,在500~600℃采用等离子体活化烧结能获得单相的CoSb3化合物,随烧结温度的升高,烧结样品密度增大,热导率随烧结温度的升高而降低。     

用高能量密度等离子体在室温下制备氮化钛薄膜

氮化钛薄膜具有很多优异的性质,如高硬度,耐磨性,耐腐蚀性以及漂亮的金黄色.它是唯一在工业上被广泛运用的镀膜材料.然而目前主要沉积氮化钛膜的技术,如化学气相沉积(CVD),物理气相沉积(PVD)和近几年发展起来的离子束技术(IBM,IBAD)都有其自身难以克服的缺点,它们限制了氮化钛薄膜沉积技术的应用范围.这些缺点是:反应温度太高,镀膜与基底结合不牢,以及沉积速率太低.     

GIC4117 2×1.7MV串列加速器高能注入靶室的改进

通过更换丝杠和更新电机控制系统增大了靶盘纵向扫描范围,解决了扫描过程中纵向电机经常停转问题,并使靶室可装载10 cm(4 in)片子;通过隔离外界干扰电信号、精确控制扫描面积和对二次电子抑制电极的改进使注量测量误差达到了实验要求.     

离子注入聚合物薄膜电导机理的研究

在颗粒型电导模型中,现有的离子注入聚合物电导公式只有低场强和高场强两种形式。作者们发现在离子注入聚合物的电导和场强关系中,可明显分成三个区域。本文根据金属颗粒电位悬浮的特点,在金属-绝缘-金属系统上,推出了低、中和高场强作用下离子注入聚合物的电导公式。并以不同As~+注入剂量的聚酯(PET)薄膜,在经过不同百分比的拉伸后,研究了电导的场强曲线、温度曲线以及颗粒间距离对电导的影响。实验结果证实了理论分析。     

弱非理想等离子体电导率模型比较研究

选择了Spitzer模型、Z＆L模型、M＆G模型这三种典型的电导率模型对聚乙烯电弧进行比较计算，就它们在弱非理想区域的应用进行了分析．同时针对消融控制电孤等离子体的低温特点，考虑了电子和中性粒子的碰撞，提出了更为适用的计算模型，并由实验证实了该模型的合理性．