等离子体反应溅射淀积氧化铁膜及其气敏特性

本文介绍直接用Ｆｅ作靶材料，空气中的氧作反应气体，利用等离子体反应溅射淀积出氧 化铁簿膜．同时在Ｆｅ靶上挂所需掺杂元素的金属丝．可方便地实现掺杂．气敏检测结果表明，这 是一种酒敏材料．借助于ＸＲＤ、ＳＥＭ的分析和观察表明．在７５０℃左右热处理之前，簿膜是一种 非晶氧化铁结构．它与烧结型γ－Ｆｅ２Ｏ３或α－Ｆｅ２Ｏ３的结构不同，具有对乙醇的独特选择性．     

等离子体处理对碘掺杂PPS电导的影响

导电的PPS(聚对苯硫醚)的电导稳定性至今未得到解决,其根本原因是掺杂剂与PPS分子之间不能形成或不能永久形成电荷传递结合物。本文以不形成电荷传递结合物的掺杂剂碘(I)作为研究对象,在化学掺杂之后进行了等离子体处理,使PPT的电导率和稳定性大幅度提高,达到强掺杂剂的程度。红外吸收和二次离子质谱分析表明,经低温等离子体处理后,I和PPS之间形成(C_3 H_2S)~+和(HCIS)~+ 基团,电导的活化能从原始的2.0eV降低到0.2V,电导的机理是载流的热活化过程。     

微波等离子体增强辉光放电光源

研制了一种微波等离子体增强辉光放电光源，通过对低合金钢、碳铜中的各种元素的检测，考察了其光谱分析性能和对实验参数的影响．     

等离子体处理提高兔毛染色性的研究

兔毛纤维采用空气低温等离子体处理，使其形态结构和理化性能发生变化，从而提高兔毛纤维的染色性能，增加上色率及纤维抱合力，提高可纺性。     

NH_3等离子体增强热处理形成硅化钛导电薄膜

本文介绍制备均匀硅化钛导电薄膜的一种新方法,高频NH_3等离子体和感应加热的共同作用,使淀积在硅片表面的Ti膜产生氮化和硅化反应,实验表明,在低气压下NH_3等离子体增强的Ti膜表面氮化,可以有效地克服通常很难避免的氧沾污的有害影响,有利于通过固相反应形成自对准TiSi_2导电薄膜。     

MPCVD法沉积金刚石薄膜中等离子体光谱

从等离子体发射光谱变化这一角度研究在不同沉积条件下等离子体中电子平均能量的特点，分析碳源气体分析与电子的碰撞以及碳氢基团的能态变化，从而对等离子体法沉积金刚石薄膜微观机理进行初步探索。     

氢氧注入在GaAs器件中的应用

从３个器件说明氢，氧注入在不同方面的应用：（１）用氧注入制备高质量Ｎ－ＳＩ－Ｎ埋层，应用于源栅面对ＭＥＳＦＥＴ中，克服源、栅、漏引线在同一平面交错带来的工艺及寄生效应；（２）用氢注入了Ｐ＾＋－Ｎ＾－－Ｎ＾＋层的Ｎ＾－层，减小ＨＢＴ的ＢＣ结电容，以提高其高频特性；（３）用氢、氧注入制作平面结构的ＨＰＴ，以减小复合电流，提高光电增益，其中尤其强调了选择离子注入的能量、注量及退火温度。     

环向等离子体转动对离子能量输运的影响

托克马克等离子体的能量反常输运是等离子体物理及受控热核聚变研究中多年未解决的难题.通常认为,等离子体湍动导致了反常输运.但是,目前依然不清楚:湍动是反常输运的唯一机制或仅为机制之一?因此,其它途径的探索依然是必要的.本文从经典途径分析了等离子体环向流动(或转动)对离子能量输运的影响.这里的基本思想是这样的:托克马克等离子体的转动可使等离子体等压强面(或等内能面)与磁面分离、等T_i面与磁面分离(T_i为离     

Er离子注入多孔硅的发光

硅是最重要的半导体材料,在微电子领域有着广泛的应用.室温下硅的禁带宽度为1.11 eV,相应的发光波长为1.14μm.在近红外波段,硅是间接带材料,发光效率很低,无法在光电子领域实际应用.近年来,人们用稀土离子Er掺入硅中,获得了Er~(3+)离子在1.54μm的近红外发光.这正是光纤传输的最低损耗波段.在掺Er的硅基材料上能否获得有实用功率的发光或激光器件,人们对此表现了极大兴趣.然而,理论评估表明前景不容乐     

等离子体工业的崛起与发展

等离子体工业的崛起与发展ＲｉｓｅａｎｄＤｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｏｆＰｌａｓｍａＩｎｄｕｓｔｒｙ￥／／马振国（清华大学电机系，北京１０００８４）一、等离子体技术的研究进展等离子体是由大量相互作用但仍处在非束缚状态下的带电粒子组成的宏观体系，是和固态、液态...