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11.
针对临近空间单粒子效应进行了数值模型仿真和特征尺寸为0.1 μm的反相器电路的脉冲注入模拟研究。数值仿真结果表明器件临界电荷随着工作电压的降低而减小,敏感横截面随着临界电荷的降低而逐渐增大。临近空间微电子器件的单粒子翻转概率随敏感横截面增大而上升,但其又随临近空间高度的增加而下降。此外,利用SPICE软件脉冲注入模拟观察到了反相器电路的单粒子翻转现象。所得结论有助于深入研究临近空间的单粒子效应并为器件抗辐射加固提供了理论依据。  相似文献   
12.
本文利用GAUSSIAN 03程序包中的密度泛函理论,在B3LYP/6-31G(d)水平下,对聚21硅烷、电荷掺杂的聚21硅烷以及杂原子(硼和磷)掺杂的聚21硅烷进行几何全优化,并对它们的几何结构和自旋密度进行了比较性理论研究.结果表明,电荷掺杂能使聚硅烷的Si—Si键长增长,其极子分布几乎遍及了聚21硅烷的整个链;而杂原子(B、P)的掺杂对聚硅烷的影响主要集中在与B、P原子相邻的Si原子上,极子分布仅局域在B、P原子附近的3~5个原子上.  相似文献   
13.
以色列魏茨曼研究院物理学家首次证实了带有1/4电荷准粒子的存在。这一发现为制造出一种功能更强大、性能更稳定的异型量子计算机迈出了第一步。  相似文献   
14.
利用Langanke等人给出的新的弱相互作用理论,分析了在超新星前身星阶段,电荷屏蔽对电子俘获的影响.分析中屏蔽势采用最近Itoh等人用线性响应理论导出的结果.表明在高密情况下电荷屏蔽对电子俘获率的影响是明显的.  相似文献   
15.
作者讨论了具有优异宽温区特性的多孔PTFE和多孔PP复合膜的电荷储存稳定性.工作在常温常湿条件下的这类多孔复合膜呈现优异的电荷储存稳定性;与传统的驻极体过滤材料聚丙烯无纺布相比,它的疏水性和电荷热稳定性都有显著的改善.作者还讨论了这类复合膜优异电荷储存能力的结构和驻极体根源.该研究结果对驻极体空气过滤器在较宽温区的应用提供了一定的理论和实验依据.  相似文献   
16.
本文提出了二维的探头特性函数的概念,完成了用实验方法测取探头特性函数的工作。提出了利用探头特性函数,从表面电位的分布测量值中消除边缘效应影响的理论和方法,以提高探头对电荷面分布测量的分辨能力。对实验数据经用实测的探头特性函数和消除边缘效应的方法处理后所得的结果是令人满意的。  相似文献   
17.
任意带电孤立导体表面电荷分布公式   总被引:2,自引:0,他引:2  
给出了任意几何形状带电绵地体在静电平衡条件下的面电荷密度分布公式,分析了公式的物理意义及适用范围。  相似文献   
18.
作为电磁理论的基础之一,本文从相对论角度给出电荷守恒的一种表述方法,并讨论了电荷不变的普适性。  相似文献   
19.
本文以物理化学理论为指导,实验为基础,较详细地介绍了矿料遇水后,表面电荷的起因、表面电荷的性质和ζ电势的测定,从而说明沥青与矿料间的相互作用机理  相似文献   
20.
用电容平衡法测量ACPDP宏放电单元在维持放电期的壁电荷变化,并根据宏放电单元壁电荷电压和外加最小维持电压的测量结果计算实际施加在放电气体上的击穿电压,探讨壁电荷电压对放电气体实际击穿电压的影响.实验结果表明:随着ACPDP外加最小维持电压的增加,壁电荷电压升高,气体的击穿电压也随之升高;有壁电荷时的气体击穿电压明显高于无壁电荷时的气体击穿电压,随着壁电荷电压从7.62 V升高到67.89 V,有壁电荷时的气体击穿电压比无壁电荷时的气体击穿电压分别提高了6.98 V到57.09 V;壁电荷增加会显著提高了放电气体的击穿电压阈值,使ACPDP内放电气体的击穿变得困难.  相似文献   
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