遗传算法在立体图象匹配中的应用

基于传统立体图象匹配技术,提出了一种新的使用遗传算法的特征匹配方法．实验中,采用了两种特征提取算法,以适应不同图象要求．实验用图包括自然景物图和人工合成图．此外,用ＢｒａｎｃｈＡｎｄＢｏｕｎｄ算法得出比较结果．实验结果表明,遗传算法有好的匹配正确率和收敛速度,具有鲁棒性,适合立体图象匹配．     

立体视觉中求对应点的解

从讨论物体表面的特性出发,研究了立体视觉中可匹配点存在的集合以及唯一匹配问题,指出了可匹配点集与成象系统焦点位置及其物体表面法线之间的关系,证明了空间曲线在两幅图象上投影的孤长之比和变形的物理特性。     

人脸三维测量中的立体视觉

探讨了立体视觉在人脸外形测量中的应用,针对牙齿整容手术模拟时必须测量面部皮肤表面一些指定点三维信息的问题,建立了一种双目成象系统．根据人脸的特征,提出了人机交互确定特征点并结合先验知识进行图象匹配的新方法,通过受试者的正面和左右９０°侧面三组图象、成象系统的全局坐标系与面部局部坐标系之间的几何位置,确定指定点在面部局部坐标系中的坐标值．误差校正项的引入有效地提高了系统的精度,实验结果表明了该系统的合理性．     

摩擦和传热联合作用下等截面喷枪内气体的流动特性——(Ⅰ)基本方程及计算程式

基于可压缩流体动力学和热力学及传热原理,导出了表征摩擦和热源联合作用下管式和套管式等截面喷枪内气体流动特性的基本方程和计算公式;对18t AOD炉用套管式喷枪内的气体流动,较合理地确定了喷枪内壁温度和气体滞止温度沿管长的分布,以及吹炼过程中喷枪的摩擦系数;给出了不同流态下喷枪内气体流动特性的计算程式.     

∑N_im_i强子产生过程中质量增加的经验公式和(英文)

强子质量ｍｉ和强子的平均数〈Ｎｉ〉遵从公式（βｍｍｉ／〈ｍ〉）μ＋νＫν（βｍｍｉ／〈ｍ〉）．自旋、奇异数压低和大产生截面（σ（Ｄ）,σ（Ｂ）,σ（Λ０））都是质量效应．质量产生过程受到在扩散方程和相对论波动方程之间连续变化所决定的连续阶导数（／ｔ）μＧＸα（ｘ,ｔ）控制．     

“黑麦草-水稻”草田轮作系统的根际效应 Ⅱ.冬种黑麦草对土壤物理化学性状的影响

研究了冬种黑麦草对土壤物理化学性状的影响．结果表明,冬种黑麦草使土壤容质量下降９．４％,而对照区仅下降４．０％;冬种黑麦草使土壤有机质质量分数提高了６６％,而对照区降低了１４％;冬种黑麦草使土壤的全Ｎ,全Ｐ和有效Ｎ,有效Ｐ的质量分数分别提高了２６％,３２％,６７％和３３％,而对照区下降了１３％,４％,２０％和１３％;冬种黑麦草使土壤的全Ｋ和有效Ｋ质量分数提高了１４％和７８％,对照区也提高了１０％和１０％;种草区虽然土壤养分的增加与施肥有关,但有效Ｎ和Ｋ的增加显然还受到根际效应的影响,其证据是：在种草区,尽管土壤中的Ｎ通过收获黑麦草产生了较大的净输出（２８．０ｇ／ｍ２）,但土壤Ｎ含量仍然有不寻常的增加,说明可能存在着不明Ｎ源．２种养分有效含量的增幅比全量的增幅更大．从收获的黑麦草中发现土壤有Ｎ的净输出,可能是由于冬种黑麦草有不明来源的Ｎ素积累．     

压电陶瓷—明胶复合材料的功能效应与实验分析

分析了锆钛酸铝压电陶瓷－明胶复合材料中的功能效应,并对该功能效应的整个响应过程进行了研究,研究结果表明,在压电陶瓷－明胶复合材料中,明胶渗透压的改变是影响压电陶瓷电信号输出发生变化的主要因素,通过乘积效应原理的应用,对复合材料随外界条件的改变而产生的电信号的输出进行了实验研究和理论推导,分析结果与实验符合较好。     

“黑麦草-水稻”草田轮作系统的根际效应3.黑麦草根系对土壤生物性状的影响

在证实冬种黑麦草改善土壤理化性状的同时,研究对土壤生物性状的影响,结果表明：冬种黑麦草增加了土壤酶的活性,使脲酶活性提高了２．７５倍,转化酶活性提高了９２．６％;土壤微生物生物量增加１３倍;改善了土壤的微生物区系,细菌数量增加１．２倍,放线菌数量增加３．４倍,真菌数量下降了４４％．这些生物性状的改善,对提高地力和后作水稻的生长和发育具有良好的作用．     

超声场"聚能效应"的研究--超声场对氢键缔合的负载固定相解吸平衡的影响

以NKA-Ⅱ树脂/TBP/50%乙醇和CL-TBP树脂/苯酚/水为实验对象,测定了超声场条件下树脂吸附物解吸过程的动力学曲线,讨论了超声功率密度和温度对平衡条件下解吸物浓度的影响.结果表明,随着温度的升高和超声功率密度的增大,平衡解吸物浓度呈上升趋势.超声场作用下的平衡解吸物浓度比无超声场同温度下的一般解吸过程的平衡解吸物浓度高.这反映了超声场"聚能效应"的强化作用.     

在不同热氧化条件下SiO2—Si结构的电子辐射效应研究

利用２ＭＶ电子静电加速器,研究了热氧化工艺与ＳｉＯ２－Ｓｉ结构的电子辐射效应和辐射损伤机制。结果表明,高能电子辐照ＳｉＯ２－Ｓｉ结构引起的ＭＯＳ电容平带电压漂移ΔＶｆｂ与ＳｉＯ２膜厚ｄｏｘ＾２成正比。由Ｐ型硅为衬底或掺氯氧化的ＳｉＯ２－Ｓｉ结构对电子辐射较敏感;而由磷处理或干Ｎ２热退火的ＳｉＯ２－Ｓｉ结构能有效地降低对电子辐射的敏感性。