亚微米Fe包Co空心微球的制备

研究了一种制备Fe包Co空心微球的新方法.以纳米铁粒子为模板,水合肼为还原剂,通过化学镀制备出具有核-壳结构的Co包Fe纳米粒子,用HCl溶去Fe核制备出空心Co微球,以空心Co微球为模板,NaBH4为还原剂,通过化学镀Fe制备了亚微米Fe包Co的空心微球.研究发现,在化学镀Fe过程中,Fe包Co空心微球之间极易形成硬黏结,通过降低反应物浓度和反应温度,增大反应液pH值抑制镀液中Fe粒子的独立形核,则可明显防止Fe包Co空心微球之间硬黏结的发生.     

交互式动态体三维显示关键技术

研究了交互式动态体三维显示的关键技术,包括三维数据体素化、体素激活、体空间生成和人机交互等,实现了体三维显示系统样机.其中,采用体立方栅格(BCC)采样策略以减少体素化生成的体显示数据,以数字微镜器件(DMD)作为空间光调制器(SLM),并针对DMD设计了二值切片的快速激活算法;分析了基于旋转螺旋面的体三维空间生成方法,并将基于隐马尔科夫模型(HMM)的动态手势控制应用于交互式体三维显示系统.针对原理样机设计的各组实验表明,BCC体素化策略减少了40%以上的体显示数据,基于DMD的切片快速激活算法使得在500mm×250mm半圆柱形成像空间内显示的三维图像刷新率达16Hz、并且可以选择任意视点裸眼观看,准确率超过93%、响应时间低于40ms的动态手势识别算法能够较好地实现实时交互式体三维显示.     

利用非对称双面金属光栅电极提高OLED光导出率的模拟研究

提出利用非对称双面金属光栅电极提高有机电致发光器件(OLED)的光导出效率,采用时域有限差分(FDTD)电磁场模拟仿真软件详细研究了OLED中表面等离子体激元的激发和耦合传输的物理规律和物理机制,计算和分析了非对称双面光栅电极的周期、槽宽、入射光的入射角等与OLED光导出率之间的关系,通过设计优化非对称金属光栅电极结构...     

切槽法推定空心薄壁墩剩余预应力

切槽法依据局部应力解除法的力学原理,为测试混凝土结构构件中某一点的工作应力,在测试点上、下开两条一定深度的横槽,使测区内混凝土产生弹性恢复变形。通过对试验过程中混凝土应变测量,即可推定空心薄壁墩剩余预应力。     

微波辅助预还原-HG-ICP-AES联用技术用于三七无机硒形态分析

建立了微波预还原-氢化物发生-电感耦合等离子体原子发射光谱联用技术测定中药三七提取液中无机硒的方法,对测定条件进行了优化选择,通过直接测定Se(IV)和微波辅助定量还原后测总硒,用差减法测得Se(VI)的量.Se(IV)的检出限为0.23 μg·L-1,相对标准偏差为2.0％,回收率为82％～104％,结果较为满意.     

轴棱锥产生局域空心光束的几种新技术

介绍几种基于传统轴棱锥和新型轴棱锥产生局域空心光束的新方法,并基于几何光学、波动光学和矩阵光学理论进行分析和模拟.研究表明:4种方法都可以获得高质量且尺寸可调的局域空心光束,也都利用了轴棱锥高转换效率、高损伤阈值的优点,但在元件集成及加工制造上各有优缺点.     

单连域无旋向量场的标量表示和场力线绘制

为方便表述并按传统形式描绘向量场,基于经典物理思想和从头计算原则,利用现代计算机技术和数值模拟方法构建标量形式的向量场.以激光脉冲纳秒斩波开关和内置周期金环的CO2激光器放电管为例,针对单连通域中无旋向量场的边值问题,讨论了在平行平面场和旋转对称场情形下,场势函数数值求解后,场向量分布的标量构建和场力线分布的传统的可视化表述,提供了解决场强准确直观描述的一种有效方法.     

地平线的延伸

基塔瓦岛(Kitava)是西密拉尼西亚群岛(West Melanesian islands)上的一座环形珊瑚岛,和主要岛屿相隔仅30千米,然而这段海域潜伏着危险,人们并不容易到达那里。     

通过调整势垒高度改善有机电致白光器件的性能

通过利用ADN发光材料和其他各有机发光材料之间的能级关系设计了利用BCP作为空穴阻挡层,Alp3:DCJTB层和Alp3:DCJTB层之间的ADN层为发光层的三种结构的器件.实验结果表明,在NPB层和Alq3:DCJTB层之间不插入ADN,只在Alq3:DCJTB层和BCP层之间插入ADN的器件A的性能最好.其原因在于利用了NPB和发光层之间的LUMO能级较高的势垒限制了电子的迁移和输运,改善了激子的形成几率,促进了白光的形成.该器件的启亮电压为5V,当外加电压达到17V时,器件最大发光亮度达12450 cd/m2.最大效率是1.733 cd/A.     

一种分子基电双稳器件

报道一种可逆转换的分子基电双稳薄膜器件,Al/BN4/Al/BN4/Al.其中功能层为有机/金属/有机的夹层结构,而中间金属层要非常薄.该器件在较低电压作用时呈现高阻状态,阻值在106~109Ω;而当电压超过某一阈值时,器件导电态发生改变,由高阻态跃迁为低阻态,阻值约为102~105Ω.两种状态的电阻值比为103~105.另外,还比较了不同功能层厚度器件的性能.