体心立方过渡金属低指数表面单空位的改进分析型嵌入原子法模拟

应用改进分析型嵌入原子法(modified analytical embedded-atom method,MAEAM),计算了7种体心立方(body-centered cubic,BCC)过渡金属Fe、W、Mo、Cr、Ta、Nb和V等低指数(100)、(110)和(111)表面前9层上的单空位形成能.结果表明,对每一种金属,单空位形成能在同一低指数表面层中的第1层最低,且在表面第1层和第2层(Nb除外)随表面原子密度的减小而降低,即E(11f11),1相似文献   

含氮小分子键级的计算与结构式的推断

提出了电子空位对假说，以新颖的观点指出了分子结构的规律．对含氮共价小分子进行了键级的简便计算，和结构式的简易推断．     

Comparison of the effect of hydrogen incorporation and oxygen vacancies on the properties of anatase TiO2: electronics,optical absorption,and interaction with water

Hydrogenation has been recently developed as an approach to improve the visible-light response of titanium dioxide （TiO2）; however, the effect of hydrogenation on the electronics and optical absorption of anatase TiO2 has been widely debated. In this work, the electronic structures and optical properties of hydrogenated TiO2 and its interaction with water have been studied using the density functional theory plus Hubbard model. A comparison of the effect of hydrogenation and introduction of oxygen vacancies （OVs） to TiO2 is presented. It is found that both hydrogenation and OVs can promote the absorption of visible light and strengthen the adsorption of water. Compared with OVs, hydrogen incorporation can lead to local distortion and even amorphous structures when it is heavily doped.     

调整法解装配尺寸链的完整计算

提出了利用建立空位与当量装配尺寸链的概念并论述调整原理，全面推导出调整件分别为增减环时的调整件组尺寸计算式．系统地叙述了解算步骤并列举试例．使调整法解算装配尺寸链获得全面完整的解算过程     

量子阱中界面声子和体声子对束缚极化子结合能的影响

用变分法研究半导体量子阱中束缚极化子结构能，在计算中包括了界面声子和体声子的影响。给出了束缚极化子基态能量和结合能随阱宽变化的数值结果。研究发现，界面声子和体声子对结合能的贡献分别在窄阱和宽阱情况下起主导作用，总结合能随阱宽的增大而减小。     

贵金属的高压熔解温度

利用热力学等式从Ｓｈａｒｍａ等人提出的扩散振动的熔解理论导出一个新的熔解关系式，对贵金属所作检验表明：由该式获得的计算结果与实验值的一致性是十分令人满意的。     

无机含氧酸氧化性强弱的确定

本文应用热力学原理，通过计算无机含氧酸失氧过程的能量变化，比较中心原子与氧之间平均结合能的大小，来确定含氧酸氧化性的相对强弱     

量子阱中界面声子和体声子对束缚极化子结合能的影响(英)

用变分法研究半导体量子阱中束缚极化子结合能，在计算中包括了界面声子和体声子的影响给出了束缚极化子基态能量和结合能随阱宽变化的数值结果．研究发现，界面声子和体声子对结合能的贡献分别在窄阶和宽阱情况下起主导作用，总结合能随阱宽的增大而减小     

金属间化合物Ni_3Al和NiAl晶体中电子杂化态结构和结合能的计算及其脆性

用余瑞璜的“经验电子理论”的方法及结合能公式，计算了金属间化合物Ｎｉ３Ａｌ和ＮｉＡｌ的晶体中原子的杂化态电子结构及其结合能，并对这两种材料的脆性问题从电子结构的层次上进行了讨论     

GaAs/G_(a1-x)Al_xAs量子阱中激子的结合能

提出ρ和(Ze—Z_h)耦合试探波函数,计算了 GaAs/Ga_(I-x)Al_xAs量子阱中基态激子的结合能随阱宽和阱深的变化关系,并对所得结果进行了讨论。