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721.
以东营凹陷盐家沙四上亚段砂砾岩体为研究对象,通过岩心、试油及气测资料提取有效储层样本,观察其岩心、薄片及成像测井图像特征,发现有效储层在宏观和微观上都表现为岩石结构相对均匀、分选较好的含砾砂岩或砾状砂岩.数字岩心模拟也表明,孔隙度相同,但岩石结构不同,电阻率响应差异较大,因此,判识储层的有效性应考虑区分岩石结构差异.实际资料处理中,在测井曲线最优分层、测井相聚类判识岩性大类的基础上,利用成像测井图像模式,对岩性大类进行结构细分,采用"岩石结构+电性下限"双重条件限定有效储层的思路,建立多信息融合逐步判识有效储层的半定量方法,并取得较好的应用效果. 相似文献
722.
导数同步荧光法测定猪肉中强力霉素残留 总被引:1,自引:0,他引:1
在适当的条件下,强力霉素可与镁离子形成具有强荧光的络合物,在溴化十六烷基三甲铵胶束体系中,荧光可进一步增强.据此建立了一种测定强力霉素残留的新方法.在优化条件下,强力霉素线性范围为0.2~10 mg/L,相对标准偏差为0.9%~3.9%,检出限为12μg/kg,加标回收率90.5%~107.3%.该方法已应用于猪肉强力... 相似文献
723.
采用固相反应法制备了(Ba0.85 Sr0.15)(Ti1-xZrx)O3(x=0.10,0.15,0.20,0.25)陶瓷.通过X射线粉末衍射、介电温谱测试和电子顺磁共振技术对其进行了结构表征、介电性能评价和杂质定性检测.结果表明:(Ba0.85 Sr0.15)(Ti1-xZrx)O3陶瓷显示平均立方钙钛矿结构,随着... 相似文献
724.
采用快速液相烧结工艺制备了多铁陶瓷材料Bi1-xGdxFeO3(x=0.00,0.05,0.10,0.15)和Bi1-xNdxFeO3(x=0.00,0.05,0.10),研究了稀土离子Gd/Nd掺杂对多铁材料BiFeO3相结构和铁电性能的影响.X射线衍射谱显示对于Gd/Nd掺杂Bi1-xRxFeO3体系,适量掺杂有助... 相似文献
725.
TD-SCDMA采用高速上行分组接入技术是为了显著提高上行分组数据的传输速率,同时减少传输延迟.其中采用的混合自动重传技术可以提高译码的成功率,使数据传输更加可靠.阐述了混合自动重传技术的原理,提出了一种在高速上行分组接入中将追踪合并算法应用于混合自动重传技术的方案,并在专有信道模型条件下对不同参数的上行链路性能进行了... 相似文献
726.
黄望军 《湘潭大学自然科学学报》2011,33(2):28-32
提出一种新的脉冲双采样控制策略与一个快速的相角估计器用于PWM整流器控制.常规的PWM控制策略只在一个开关周期内采样一次,而提出的双采样控制策略在一个开关周期内采样两次.双采样控制策略两次采样的特点保证了系统更加准确快速和很好的低频特性,能显著减少控制延迟时问与扩展最大允许控制带宽,虽然计算量增大,但采用高速数字信号处... 相似文献
727.
国内高速公路设置下封层的目的是为保护基层,延缓或减少基层开裂引起的沥青混凝土面层反射裂缝,同时也是为防止雨水渗入到面层与基层的交界面上产生冲刷与唧浆损坏。本文,笔者分析了同步碎石下封层技术的应用情况和目前在施工技术上存在的问题,提出了原材料选择的原则和方法、混合料性能测定方法及同步碎石设计方法。 相似文献
728.
729.
用磁控溅射法在加热到400℃的MgO(001)单晶基片上沉积了总厚度为25 nm 的[Fe(0.6 nm)/Fe30.5Pt69.5(1.9 nm)]10 多层连续薄膜, 总成分配比为Fe50Pt50. 然后对其在[500, 900]℃温度范围进行真空热处理, 分析了热处理温度对薄膜表面形貌、晶体结构以及磁特性的影响. 结果表明, 在加热基片上生长的FePt 薄膜, 层间已经发生扩散, 形成无序的A1 相. 经过700℃以上的高温热处理, 薄膜转变为具有(001)织构的L10相FePt 合金, 易磁化轴沿垂直于膜面的方向, 有序度大于0.85, 单轴磁晶各向异性能约2.7×107 erg/cc. 利用扩散后残存的周期性微弱成分起伏, 可以使薄膜在800℃以下保持形貌连续. 用原子力显微镜对薄膜表面进行观察证实, 在780℃进行热处理, 薄膜的表面最平整. 这种优质的连续薄膜可以应用于微加工制作超高密度垂直磁记录阵列介质. 相似文献
730.
分析了(K0.5Na0.5)NbO3(简写为KNN)基陶瓷压电性能温度稳定性差的原因, 结合KNN固溶体的相图, 提出了解决KNN 基陶瓷压电性能温度稳定性差的新方法. 为了验证此方法的可行性, 设计了 0.9(K1-xNax)NbO3-0.06LiNbO3-0.04CaTiO3(简记为KNLN-CaTiO3)陶瓷. 系统研究了KNLN-CaTiO3 陶瓷的结构和性能. 实验结果表明: KNLN-CT(x=0.54)陶瓷在宽阔的温度范围(25~320℃)内表现出良好的温度稳定性, 在 x=0.54 处获得了相对较高的压电性能(d33=152pC/N). 这个结果证实了我们提出的解决KNN 基陶瓷压电性能温度稳定性差的方法是可行的,具有使用价值. 相似文献