钨离子注入多晶不锈钢引发亚结构变化的研究

利用透射电子显微镜弱束成像技术研究了钨离子注入经１１５０℃固溶处理的奥氏体不锈钢（１Ｃｒ１８Ｎｉ９Ｔｉ）的横截面样品，发现离子辐照引发被注入材料亚结构变化的深度远大于离子体身的注入深度，钨离子注入多晶奥氏体不锈钢中位错密度沿位入深度有一个峰值。位错密度峰值处的亚结构，在多个晶体学倒易矢量显现。其他区域位错显像有方向性；在最密排面上易于显像，其他的矢量方向大多隐像。     

离子注入重掺N的GaP中过带隙发光谱

为了取得蓝色发光材料,我们研究了GaP-GaN固溶体.在GaP外延片的衬底上进行了离子注入重掺N,获得了不同于GaP结构的晶体.X射线衍射花样表明,注N~+的GaP结构变成纤锌矿格子,这恰似GaN的结构.通过快速退火,进行了光致发光测量,无论退火前和后都得到了过带隙的发光.     

离子注入生物样品的正电子湮没研究

以云豆作为生物样品，测量了正电子湮没的寿命谱。比较了低能氮离子注入和未经氮离子注入的云豆样品的正电子湮没寿命谱，发现τ３有差异，说明氮离子注入到生物样品的影响深度可达到２００μｍ左右。由τ３和Ｉ３可知在生物样品中的正电子湮没过程中，大约有１／５正电子将形成正电子素Ｐ３。     

高压加速辉光放电离子阵鞘层离子轰击靶阴极的蒙特卡罗模拟

用蒙特卡罗方法模拟计算了辉光放电中脉冲加速离子阵鞘层Ｎ＋１，Ｎ＋２离子到达靶阴极表面的能量分布和入射角分布。研究了靶室不同气压和不同温度下能量分布和入射角分布的变化     

离子束缺陷工程与离子注入激活率的提高

研究了运用离子束缺陷工程提高离子注入Ｓｉ中掺杂激活的新方法，ＭｅＶ高能Ｓｉ注入被有效地用于防止缺陷（损伤）层对Ｐ激活的有害影响，大大提高了掺杂杂质的平均激活水平。     

强流金属离子注入分布的模拟计算

给出了一个计算强束流离子注入下杂质浓度分布的数学模型.利用有限差分法,给出了该模型的数值解及计算程序.用该程序对Mo,W等注入离子的浓度分布进行了数值计算,给出了部分结果并同实验结果进行了比较.     

等离子体源离子注入高聚物薄膜电性能的改变

一、引言 离子注入技术及低温等离子体技术都应用于材料的表面改性工作。等离子体源离子注入(PSII)是将二者结合起来的的一种表面改性新方法,它在浸沉于等离子体中的靶极上加负高压脉冲,故正离子可从任意方向打到靶极以达到离子注入的目的。它与常规离子注入相比,既可省离子加速器,又可不用离子束扫描装置及样品转动装置。又因它不是“视线型”的,故对形状复杂的样品,更显其优越性。它注入均匀、效率高且操作方便、成本低,是一种具有发展前途的新技术。     

靶温对Ti注入H13钢表面强化机制的研究

给出了不同靶温下的Ti注入H13钢的抗磨损特性,并研究了不同靶温对强化机理的影响。注入时靶温为液氮冷却、150和400℃,注入能量和注量分别为180keV和3×10~(17)cm~(-2)。不同靶温下注入后,样品表面硬度不同。但均比未注入样品硬度有明显提高。抗磨损能力也有提高,从液氮靶温注入的1.75倍,150℃靶温的7.7倍到400℃靶温的11.2倍。硬度和抗磨损能力的提高程度取决于不同靶温下注入H13钢表面强化机理的差异。低温注入以位错强化和超过饱和强化为主,150和400℃注入TiC,Fe_2Ti等析出相明显增多,它们以析出相的弥散质点强化为主。     

使用金属蒸汽真空弧离子源的金属离子注入

用金属蒸汽真空弧离子(MEVVA)源注入金属离子,能以较低的离子能量而获得较厚的注层.掺杂浓度高,容易诱生金属间化物沉淀,是一种有工业应用价值的强流离子源.讨论了注入原子的状态和分布特征,说明了 MEVVA 源可能的使用前景.