40Cr钢离子注入后表面形态变化初探

本文对40Cr钢详细测量、分析了其二维和三维的表面粗糙度,随注入能量和剂量不同各评定参数的变化趋势也不同.离子注入使粗糙度高度参数值普遍下降,间距参数值有时增大,有时减小,通过溅射作用有时使糙峰数减少,有时又产生新峰;形状参数上峰态也发生变化.对不同参数的注入表面尚进行了自相关函数和功率谱函数分析.     

离子注入聚合物介质损耗机理的研究

本文进一步讨论离子注入聚合物具有巨大的介质松弛损耗的形成机理和理论公式.作者首先评论了离子注入聚合物可能形成的损耗机理,在否定现有损耗模型的基础上,根椐霍尔效应对导电载流子的鉴别、介质损耗松弛时间温度关系与电导温度关系的一致性,以及隧道效应作用下,电子运劝具有一定速度的概念.推断介质损耗的形成在于隧道效应作用下,导电粒子之间电子的迁移.按照电子迁移形成极化性概念,考虑到电场作用下电子隧道穿透率的差异,建立极化强度的静态和动态方程,导出离子注入聚合物介质松弛损耗的公式。理论分析得到了实验结果的验证.     

离子注入材料改性用强流金属离子源

为满足离子注入材料改性研究和实际应用的需要。研制了一个金属蒸汽真空弧(简称MEVVA)离子源.这是一新型离子源种,它利用阴极和阳极间的真空弧放电原理由阴极表面直接产生高密度金属等离子体,经一多孔三电极系统引出得到强流金属离子束.该源脉冲工作方式,已引出Al,Ti,Fe,Cu,Mo和W等离子,脉冲离子束流强度为0.6～1.26A,Ti的平均束流强度已达10mA.引出束流大小与源的工作参数、引出结构和电压以及阴极材料有关。该源没有气体负载,工作真空度为3×10~(-4)Pa。     

石英中E’心的热活化研究

研究了α石英的热活化ESR谱,确定了最佳热活化条件,对结果进行了分析,并指出热活化的必要性.     

贵州省食品中铀、钍含量及所致人体内照射剂量

本文报道了贵州省城乡居民膳食组成中主要食品(包括水)天然放射性核素铀、钍的含量,估算了贵州省城乡居民对上述核素的年摄入量和待积有效剂量当量,结果表明贵州省城乡居民待积有效剂量当量分别为0.73×10~(-5)SV和1.07×10~(-5)SV,食品中~(232)钍的剂量贡献大于~(238+234)铀。     

氢氧注入在GaAs器件中的应用

从３个器件说明氢，氧注入在不同方面的应用：（１）用氧注入制备高质量Ｎ－ＳＩ－Ｎ埋层，应用于源栅面对ＭＥＳＦＥＴ中，克服源、栅、漏引线在同一平面交错带来的工艺及寄生效应；（２）用氢注入了Ｐ＾＋－Ｎ＾－－Ｎ＾＋层的Ｎ＾－层，减小ＨＢＴ的ＢＣ结电容，以提高其高频特性；（３）用氢、氧注入制作平面结构的ＨＰＴ，以减小复合电流，提高光电增益，其中尤其强调了选择离子注入的能量、注量及退火温度。     

Er离子注入多孔硅的发光

硅是最重要的半导体材料,在微电子领域有着广泛的应用.室温下硅的禁带宽度为1.11 eV,相应的发光波长为1.14μm.在近红外波段,硅是间接带材料,发光效率很低,无法在光电子领域实际应用.近年来,人们用稀土离子Er掺入硅中,获得了Er~(3+)离子在1.54μm的近红外发光.这正是光纤传输的最低损耗波段.在掺Er的硅基材料上能否获得有实用功率的发光或激光器件,人们对此表现了极大兴趣.然而,理论评估表明前景不容乐     

DPA/CBr_4感光材料的辐射响应

本工作研究DPA/CB_(γ4)感光材料对γ射线相电子束的剂量响应特性.实验结果表明,这种自由基片对γ射线和电子束灵敏,具有较宽的剂量响应范围和较好的稳定性.可作为微剂量学研究的一种探测器,并提供了一种高剂量的辐射剂量测量手段.     

微机控制离子质量数监控与锁定装置的研制

本文在离子注入机设备领域中,提出一种新的检测控制装置.用于解决VISI和LSI 芯片生产的离子注入机设备中确保掺杂的纯度;提高低剂量注入下重复精度及操作的自动化等问题.在离子注入机的头部高压包内,使用微机进行实时控制.即检测当前质量数,用闭环调节激磁电流的方法调整B,使被分选的离子质量数自动锁定在给定值.锁定精度与高质量数的范围,优于±0.3a.m.u.本文阐述了质量数锁定的理论,实施方法和数据采集、闭环控制、系统接口防护等主要技术关键问题.     

等离子体方法实现金属管件内表面改性研究进展

综述了近年来国内外利用等离子体方法实现金属管件内表面强化的研究进展. 介绍了几种管件内表面等离子体源离子注入和沉积技术，并对其优缺点分别加以分析. 详细介绍了中国科学院物理研究所等离子体物理实验室先后提出的几种等离子体源离子注入方法用于金属管件内表面改性的原理、技术特点及最新研究进展. 力图展望管件内壁离子注入技术研究的发展前景.