离子束处理微型滚珠的表面和界面分析

用ＥＤＡＸ和ＡＥＳ分析了离子束动态混合处理的Φ１．５７－１．６０ｍｍ微型滚珠表面的均匀性和界面混合情况，在１００ｋｅＶ的Ｎ离限束动态混全条件下，界面混合区达１４０ｎｍ以上；同一球面不均匀度小于１％，球间不均匀度小于１５％。结果表明，为提高这类轴承的使用寿命，在适当工艺条件下采用离子束表面强化处理，完全可以达到实际应用的要求。     

具有双轴取向YSZ缓冲层的离子束辅助沉积合成研究

在良好机械性能的多晶金属衬底上合成具有高电流密度(J_c)的钇钡铜氧(YBCO)超导膜制造成超导线材、带材,能应用于传输电缆、发电机、马达、微波器件等许多方面。Ni-Cr合金由于可锻性好、热膨胀系数与YBCO接近等特点可作为衬底材料。但是,为防止高温超导材料与衬底之间的严重扩散,选用较稳定的YSZ(ZrO_2中掺钇)作为中间过渡层,有利于合成优     

用载能离子束辐照技术制备的激光晶体光波导

激光晶体是重要的激光增益介质．光波导结构是集成光子学的基本元件之一．利用载能离子柬辐照技术,可以在激光晶体材料中制备光波导结构,进而实现微型的波导激光．本文综述了载能离子辐照技术制备激光晶体光波导的基本原理与方法,以及离子束对晶体波导微荧光性能的影响,介绍了晶体波导激光的最新研究进展．最后,展望了离子辐照激光晶体光波导研究的未来发展方向．     

镍离子束修饰钛电极的研究

本文研究了注入镍离子并在高真空下经100～700℃热处理1小时的钛电极在5%NaCl+0.01MHCl溶液中的氮析出反应.发现经过热扩散处理的电极的交换电流密度i.比未经处理的电极提高两个数量级.这种结果是由于电极表面镍浓度的增加所引起的.     

离子束生物技术改良同源四倍体水稻的设想

利用离子束注入技术对同源四倍体水稻进行遗传改良，有可能为进一步利用水稻强大的杂种优势效应和深入研究水稻无融合生殖现象寻找到新的突破口。对同源四倍体水稻进行遗传改良的技术思路是，瞄准2个总体目标(挖掘水稻的产量潜力和简化水稻杂种优势利用的确定)；采用3种有效技术(离子束生物技术、组织培养技术和多倍体诱导技术)；确定4个研究方向(直接利用同源四倍体水稻的增产潜力、利用同源四倍体水稻的强大杂种优势效应、固定其杂种优势效应和深入研究同源四倍体水稻的生殖发育特性)；达到5个预期目标(探索物种形成的途径、研究生物学特性、寻找遗传变异规律、挖掘潜在利用价值、建立新的育种技术体系)。     

强流离子束物理问题及其束晕-混沌的控制方法

强流离子束在国防和国民经济领域中有着极其重要的广泛的应用和发展前景。特别是强流加速器驱动的放射性洁净核能系统。比常规核电更安全、更干净、更便宜，成为20世纪90年代以来国内外该领域的研究热点。但是，处理强流束产生的复杂时空束晕-混沌现象已经成为强流离子束应用中的关键技术之一，需要有效地控制束晕才能确保强流离子束的许多重要应用。在此对强流离子束的主要用途、物理技术问题、宏观粒子模拟的基本方法，尤其是束晕-混沌的控制方法的研究进展，进行简要评述，并指出今后的研究方向。     

LiSiPON固态薄膜电解质的结构和性能分析

以Li3PO4和Si3N4为靶材,利用离子束辅助沉积N离子流轰击法制备非晶结构的固态电解质LiSiPON薄膜.实验中,通过控制N2气和Ar气的流量比,调节薄膜的含氮量.利用X线衍射、X线能量色散谱仪和X线光电子能谱仪研究薄膜的结构和组织成分的变化,并通过电化学阻抗测试仪获得薄膜的离子电导率,研究不同氮氩比对LiSiPON薄膜结构、组成和电学性质的影响.结果表明:N2和Ar流量比为1∶1时,薄膜含氮量最高,离子电导率达到最大值,在室温时电解质薄膜的离子电导可达6.8×10-6S/cm,是一种有潜力应用于全固态薄膜锂离子电池的电解质材料.     

Electrical properties of sulfur-implanted cubic boron nitride thin films

Cubic boron nitride(c-BN)thin films were deposited on Si substrates by applying ion beam assisted deposition and then doped by S ion implantation.To produce a uniform depth profile of S ions in c-BN films,the implantation was carried out for the multiple energies.A slight degradation of c-BN crystallinity resulted from ion implantation can be recovered by thermal annealing,keeping the cubic phase content as high as 92%.The resistance reduces from 1010X for the as-deposited c-BN film to 108X after an S implantation of 5 9 1014ions cm-2and annealing at 1,173 K,suggesting an electrical doping effect of S dopant.The electrical resistance of the S-doped c-BN thin film decreases with increasing temperature,indicating semiconductor characteristics.The activation energy of S dopant is estimated to be 0.28±0.01 eV from the temperature dependence of resistance.     

离子束溅射沉积角对Ni／Si膜界面特性影响的研究

用Ａｒ~＋离子束溅射高纯多晶Ｎｉ靶，在Ｓｉ（１００）基面上沉积１５０ｎｍ的Ｎｉ膜。经４００℃的真空退火１小时后，分别用ＸＲＤ和ＸＰＳ检验了两种大小不同角度上沉积试样的生成相及界面态。当沉积角≥６６°时，试样退火后仅出现Ｎｉ膜择优取向晶化，无硅化物生成。而在接近０°的小角度处沉积的试样，在相同条件退火后则出现以ＮｉＳｉ为主的三种硅化物混合相。     

利福霉素产生菌诱变育种研究

用离子束及离子束和紫外复合因子诱变处理利福霉素产生菌 ,得到比对照菌株发酵效价提高 10 %以上的菌株共 13株 ,其中提高幅度最大可达 4 2 .70 % ,产生高产株最多的诱变剂量为 3× 10 1 4/ cm2 N+ ,而产量最高菌株的诱变剂量是 7× 10 1 5/ cm2 N+ .产生高产株较多的诱变剂量并不一定就是产生增产幅度最大菌株的诱变剂量 .