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11.
空磁控靶溅射刻蚀的模拟研究 总被引:1,自引:1,他引:1
建立了磁控溅射单粒子模型,结合靶表面磁场的分布,用MonteCarlo研究了溅射气体粒子的运动规律,得到靶表面刻蚀的图形,发现靶中间环的刻蚀最强,这与实验结果和磁场的水平分量分布一致。 相似文献
12.
离子束溅射制备的C-N薄膜 总被引:2,自引:0,他引:2
Liu和Cohen采用经验模型和从头计算法计算了假想结构共价键化合物β-C_3N_4的弹性模量和结构性能。结果表明:该种共价键化合物的弹性模量与金刚石相当,其结构至少是亚稳态的,该种材料不仅具有高硬度,而且具有良好的导热性和热稳定性。为此,这种新型超硬材料受到了普遍关注,人们开始采用不同的实验方法合成β-C_3N_4.Wixom利用含氮的有机化合物进行冲击波合成,结果只得到了一些金刚石颗粒;Maya等人采用几种含氮的有机化合物进行高温热解,也未观察到碳氮成键的迹象。采用磁控溅射法合成β-C_3N_4时,得到的是非晶的C-N薄膜,其中含有极少量的纳米晶体。最近,Niu等人报道:采用脉冲激光蒸发高纯石墨并通进原子氮可制备出含有β-C_3N_4晶相的碳氮薄膜,薄膜中的氮含量可以达到40%。Gouzman等人采用低能氮离子注入到石墨表面,结果观察到氮的化合态,说明了β-C_3N_4的存在。 相似文献
13.
采用离子束增强沉积方法(IBED),在Fe基上制备了TiN薄膜。通过划痕仪,透射电镜(TEM),俄歇电子能谱(AES),粘着力测量仪的观测,分析和计算,给出了膜的形貌,组分和机械特性;发现TiN膜与衬底之间存在一过渡区,膜中含氧量比气相真空沉积(CVD)明显减小。在AES定量计算中,本文采用一种与文献不同的方法,较为简便地处理了俄歇谱中Ti和N峰的重叠现象 相似文献
14.
离子束动态混合注入钽对GCr15抗蚀性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
腐蚀是引起GCr15制航空轴承早期失效的主要原因,选用促进钝性元素Ta用离子束动态注入的方法,来改变GCr15材料表面特性,提高其抗蚀性能,是防止航空轴承早期失效的有效途径.通过在0.5mol/LH2S04溶液和0.1mol/LNaCl溶液中电化学方法测试和人造海水环境的模拟试验及盐雾试验检测结果表明,离子束混合注入Ta具有极好抗全面腐蚀和抗点腐蚀的性能,其效果优于注Ti或注Cr,其耐蚀性提高的机理是由于注入表面形成高稳定性的Ta2O5防护膜和富钽的非晶态合金层. 相似文献
15.
研究了O2/C4F8等离子体刻蚀SiCOH低k薄膜时O2流量对刻蚀率、表面结构的影响,及其放电等离子体特性的关联.发现O2流量的增大可以极大地提高多孔SiCOH薄膜的刻蚀速率,降低表面的粗糙度,减少SiCOH薄膜表面的C:F沉积.等离子体特性的光谱分析表明,O2的添加,增强了C与O之间的反应,从而在Si、F反应刻蚀Si的同时,C、O之间的反应使C消耗,实现Si、C的同步刻蚀,从而获得SiCOH低k薄膜的高刻蚀率和低粗糙度表面. 相似文献
16.
选用综合性能优异的环氧树脂为基体,通过复型氯化钠辅助刻蚀的有机硅树脂模板,制备了疏水性环氧涂层.研究了氯化钠浓度、喷涂次数对涂层微结构和润湿性能的影响.结果表明:随着氯化钠质量分数和喷涂次数的增加,环氧涂层表面逐渐形成了阶梯状的多级粗糙结构,疏水性明显提高,表面接触角从未改性前的80.2°提高至130.0°;涂层具有优... 相似文献
17.
失匹配因子和调谐因子对强流离子束的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
运用P IC多粒子模拟程序,采用延迟反馈控制法,对初始分布为K-V分布的强流离子束研究了其在加速器通道中运行时受失匹配因子和调谐衰减因子的影响程度。得到了失匹配因子某些取值范围可导致束晕无法控制,但对于各种取值,对径向密度分布均影响不大,以及调谐衰减因子对径向密度分布曲线的形状有明显的影响等结果。 相似文献
18.
针对鞘层结构,建立了鞘层模型和离子速度分布函数,导出了离子平均动能的积分表达式并得出数值积分的结果.用级数的两项拟合平均动能积分表达式的对数项,积分得到解析结果和简化结果.应用积分表达式、解析式及简化式进行计算,得出了圆柱形鞘层内不同位置(半径)处的粒子平均动能.结果表明鞘层越厚、粒子平均自由路程越小,则它们的差别越小.它们可有效地应用于散布在反应室各处粉体的刻蚀和纯化. 相似文献
19.
20.