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221.
分析了轧辊与轧件接触面的复杂摩擦特性,提出了一种新的轧件振动模型,研究了粘滑共存摩擦转变为全滑动摩擦时,由于轧件失稳所导致的轧机颤振现象,并采用相平面法分析了振动系统的极限环稳定性,同时,应用定量的分析方法对轧件振动模型进行了一定的理论探讨;在理论研究的基础上,提出了抑制颤振的方法,并通过已有的实验研究成果论证了方法的有效性。  相似文献   
222.
基于不依赖空气动力装置(AIP)排出CO2气体旋转床吸收器传质特性研究要求,选择S-195型柴油机为AIP排出气体发生器,优化设计了气、水流程,建立了波纹碟片填料旋转床吸收器的传质特性中间试验装置(简称中试装置),该装置具有多参数调节和测试功能。针对在较高气体压力下,AIP排出气体旋转床传质试验无法直接测算其体积传质系数(Kla),提出了一种间接测算Kla实验值的方法。实验结果表明,用间接测算方法求取的Kla实验值与直接测算值相对误差小于10%。  相似文献   
223.
纳米结构陶瓷(n-WC/12Co)涂层材料精密磨削的试验研究   总被引:1,自引:1,他引:1  
对纳米结构陶瓷(n—WC/12Co)涂层材料在金刚石砂轮精密磨削过程中的磨削力进行了较详细的试验研究,对常规结构陶瓷(c—WC/12Co)和n—WC/12Co涂层材料的磨削力作了对比磨削试验。分析了磨削工艺参数如砂轮磨削深度、工件进给速度、金刚石砂轮粘结剂类型和磨粒尺寸以及被磨试件材料特性等对磨削力的影响。结合被磨试件表面的扫描电镜(SEM)的观察,分析了n—WC/12Co涂层材料磨削的材料去除机理。  相似文献   
224.
混凝土单轴应力-应变关系的平行杆系模型   总被引:3,自引:0,他引:3  
从断裂力学角度对混凝土在单轴受压时的破损机理和软化特性进行了分析,指出劈裂裂纹面的失稳弯折是其主要原因。建立了一种平行杆系模型用以描述上述机制,并据此提出了损伤指标。针对几种普通强度等级的素混凝土和相应的约束混凝土确定了平行杆系模型的具体参数,并对比分析了不同混凝土的杆系分布特征及产生机理。  相似文献   
225.
变频电机绝缘材料破坏机理的探讨及新型绝缘材料的制备   总被引:3,自引:0,他引:3  
对变频电机中电磁线绝缘材料过早破坏机理的研究现状进行了总结,并对影响变频电机电磁线绝缘材料寿命的最主要的影响因素进行了讨论.通过纳米材料改性制备了一种新型绝缘材料,改善了电磁线的耐电晕性能,提高了电磁线的耐变频寿命.  相似文献   
226.
镁离子对鼠角质细胞生长和分化的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用无血清培养基培养角质细胞,研究Mg^2 对鼠角质细胞生长和分化的影响。实验结果表明,培养基中Mg^2 浓度为5.0mmol/L时,细胞贴壁率、克隆形成率明显增加,细胞分化比例和老化比例均达到最低。当Mg^2 浓度达到10.0mmol/L时,细胞增殖水平没有显著提高,角质细胞分化比例和老化比例却有一定程度的提高。培养基中加入一定浓度的Mg^2 能够刺激角质细胞的增殖,抑制角质细胞的分化,并且延缓细胞的老化。  相似文献   
227.
羰基的保护和脱保护反应是制备有机化合物过程中的重要步骤 [1 ] .但对于双乙酰酯的脱保护反应 ,传统的方法中一般要用到大量的有毒溶剂或是强酸强碱 ,这必然会给环境带来污染 .近几年来 ,室温离子液体作为一种清洁型溶剂正在受到广泛关注 [2 ] .室温离子液体本身具有优异的化学和热力学稳定性 ,对许多材料均有良好的溶解性能 ,而且在室温下几乎不存在蒸气压 ,还能回收利用 ,因此可以在许多反应中替代传统的有机溶剂 .本文利用四氟硼酸 1 -甲基 - 3-乙基咪唑离子液体 ([bmim][BF4 ])作溶剂、以 Fe Cl3.6 H2 O作催化剂 ,对双乙酰酯的脱保…  相似文献   
228.
废轮胎热解炭对铬离子溶液的吸附研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
对经过酸碱处理后热解产品炭在含铬溶液中的吸附特性进行了研究.研究表明。经过酸碱处理后的热解产品炭对铬离子具有良好的吸附性能,在实验范围内,其静态等温线基本符合Langmuir等温方程.将热解炭进行酸碱处理后用于含铬废水处理中,将是一种“以废治废”、经济可行的方法.  相似文献   
229.
钇稳定的二氧化锆(YSZ)的导电性能分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
王永钤  崔景华 《河南科学》2003,21(2):155-157
从钇稳定的二氧化锆(YSZ)晶体结构中可能存在的氧空位跃迁类型,分析了钇稳定的二氧化锆(YSZ)的导电率随着钇掺入量增加有一个最大值的原因。  相似文献   
230.
在完成超高频小功率晶体管的芯片和上部铝电极的制备工艺后,采用低能量氩离子束轰击芯片背面,能有效地降低其高频及低频噪声系数、提高其特征频率和电流放大系数。实验结果表明,晶体管低频噪声系数的下降与硅-二氧化硅界面的界面态密度的减小有关,而其高频噪声系数的下降是特征频率和电流放大系数增加的结果。  相似文献   
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