棘孢小单孢菌F-212种子移种期的控制及其对庆大霉素生物合成的影响

本文探讨了庆大霉素生产菌棘孢小单孢茼F-212的一级和二级种子的不同生长阶段的菌丝形态及其控制方法,以作为提高庆大霉素发酵单位的工艺手段。     

福建省水循环要素分析

本文从环境水文学的观点出发,应用水量平衡理论对福建省的水循环进行探讨。分析了福建省水汽输送,降水、蒸发及径流的特性,它们的地理分布和年际变化规律。阐明了水循环诸要素之间的关系以及人类活动对水循环的影响,并对水量供需平衡进行分析。     

福建省家鸭光口科吸虫及其病害

本文报告寄生于我省家鸭的光口科Psilostomidae吸虫4属11种,其中2种为国内新记录;发现淡水虾类充当福建光孔吸虫新的第二中间宿主,首次报道杯叶科Cyatho-cotylidae的囊蚴寄生于福建光孔吸虫裂蚴体内;种不同科的吸虫蚴虫寄生于蚴虫属罕见寄生现象;对单睾球孔吸虫和福建光孔吸虫的流行病学、病害和防治作了叙述;试验表明硫双二氯酚是治疗本病的高效、低毒的药物。     

沈括的数学思想和方法

沈括作为北宋的一位政治家、科学家，在其从政的同时，从事科学研究，著成了《梦溪笔谈》。他对数学领域的精湛研究，不仅有独创精神，而且有重大突破和重要成果，因此沈括堪称一位数学家。他的数学思想和方法，对后世数学的发展具有重要的启迪作用。     

东山血居吸虫（Sanguinicola dongshanensis sp．nov．）及其生活史

本文报道苏州东山青鱼循环系统中寄生的东山血居吸虫新种及其生活史。中间宿主为狭萝卜螺（Ｒａｄｉｘｌａｇｏｔｉｓ），幼虫期包括毛蚴、胞蚴和尾蚴。用成熟尾蚴人工感染青、草、鲢、鳙和团头鲂等五种鱼苗，只在青、草鱼苗中获得成虫。此外，本文对其生活史各发育阶段进行了研究。     

福建色球藻目(Chroococcales)新植物

此文描述了色球藻目的五新种、四变种。其中,巨大蓝柄藻是继中国蓝柄藻、紫色蓝柄藻之后,在我国发现的蓝柄藻属的又一个新种,为该属在世界上的第四个新种。     

福建省中小流域洪水的峰量关系──《福建省中小流域雨洪计算模型》(三)

本文就文献［１］推荐的二阶标准化洪峰流量分布曲线法作了分析。通过洪峰流量与洪水总量间的几种回归关系分析，用确定系数（ｒ２）鉴别，阐明了对数二阶标准化关系为最佳的表达形式．并以福建省境内流域面积２．２６～１０７８平方公里的４１个流域进行了分析研究，提出了对数二阶线性方程的斜率（Ｒ２）等值线图及线性方程的截距（Ａ２）值的分区经验公式。     

二色棘豆的染色体数目和核型分析

对二色棘豆（Oxytropis bicolor Bge.）的染色体进行了研究。结果显示染色体数目为2n=16,核型公式为K(2n)=2x=16=14m 2sm,相对长度组成为2n=16=8M2 8M2 8M1,核型为“1A”型。     

硅基半导体光电子材料的第一性原理设计

具有特定功能的半导体材料的计算设计，是计算材料科学的一个重要研究领域．由于半导体的诸多性质取决于价带顶和导带底的电子态及其中的载流子分布，因此带隙的大小和能带极值的对称性便成为半导体材料设计最受关注的问题．为了进一步解决硅基光电子集成（OEIC）技术发展的瓶颈．设计具有直接带隙特性的硅基新材料并使其成为有效的光发射体，是一项富有挑战性的工作．本文在分析大量半导体能带结构的基础上，给出类sp系列半导体由间接带隙过渡到直接带隙的主要物理机制，并以对称性概念、芯态效应和电负性差效应为基础，提出一种新的直接带隙半导体材料设计方案．根据这个方案所表达的设计思想，我们对当前十分受关注的硅基光发射材料进行了计算设计．结果发现，用VI族元素在硅生长时进行周期性插层的、具有正交和四角点群对称性的人工微结构材料VIA／Sim／VIB／Sim／VIA具有直接带隙特性．其中当m=5或奇数时，材料有四角结构对称性，而m=6或偶数时是正交结构对称性．VI“。。是在〈001〉生长方向生长的单层VI族元素．这类材料的优点在于可自然地与硅实现晶格匹配，与微电子技术相兼容，并可较容易的用现行的MBE、MOCVD或UHV-CVD生长方法实现．预期这类新材料及其相应器件的研制开发．将大大开拓全硅OEIC和硅光子集成（PIC）技术的进一步发展．     

ZnO欧姆电极制备与n-ZnO/p-Si异质结紫外光电特性

基于ZnO形成的机理,运用半导体能带理论,分析了金属和ZnO的欧姆接触和肖特基接触特性;在p-Si衬底上,采用直流及射频溅射获得掺Al的ZnO薄膜;用电子束蒸发In/Ag、In/Al、Ti/Au,微电子光刻工艺制作范德堡、传输线、梳状电极和n-ZnO/p-Si异质结UV增强光电探测器,并在200～500℃时,在氩气保护下制作合金样品,测量样品的I-V特性、电阻率、载流子浓度、异质PN结的UV光谱响应,以及对XPS结构组分进行分析等.测试结果表明,采用金属功函数低的In、Ti做中间导电层,并在400℃退火合金后,In/Ag、In/Al、Ti/Au与n-ZnO薄膜形成了良好的欧姆接触.