一类钴基化合物的分子场理论分析

根据两格点分子场理论，在考虑重稀土与钴的磁矩偏离反平行倾角的基础上，分析了钴基化合物RCo5(R=Y，Pr，Nd，Gd，Tb，Dy)的磁化与温度的关系，采用数值拟合的方法得到了描述3种磁作用的分子场系数n(CoCo)，n(RCo)和n(RR)，计算出了Tc，结果表明，RCo5中的磁作用主要由钴3d电子问的交换所决定。     

取向多晶Fe-Ga合金结构与磁致伸缩应变研究

采用定向凝固的方法实验研究了取向多晶Fe-Ga合金的磁致伸缩性能.发现〈110〉轴向取向的Fe-Ga合金具有较大的磁致伸缩应变.在零预压力下,其饱和磁致伸缩应变λs为188×10-6;在20 MPa预压力下,λs可以达到286×10,具有明显的压力效应.还观察到在大的预压力(＞15 MPa)作用下,在低磁场范围出现负磁致伸缩应变现象.     

大梯度磁滤处理饮用水源微污染的试验研究

以水厂现场试验为依据,对影响磁滤器处理效果的各项因素进行了分析.结果表明磁滤器处理效果与磁场强度、滤速、沉淀出水密切相关.它对水中污染物,尤其是细菌和有机物具有很好的去除效果,与传统工艺相比有机物去除率平均提高34.21%,最高达68.8%,出水水质优于传统水处理工艺的出水.     

纳米软磁合金薄带的巨磁致阻抗效应

自从在CoFeSiB非晶丝(带)及FeCuNbSiB的纳米晶丝(薄膜)材料中发现巨磁致阻抗效应以来,GMI效应在实际运用中有广阔的前景,而且在理论上探讨GMI的起因也是非常有意义的,所以受到普遍的关注。非晶(纳米晶)软磁合金具有高的磁导率,在一定频率的交流驱动电流作用下,外加直流磁场阻碍了交流电流所感生的磁通量的变化,从而降低磁导率,提高趋肤深度,降低了交流阻抗,引起效应。及非晶薄带在不同的温度下热处理可以形成纳米级软磁合金,降低各向异性常数和磁致伸缩系数,提高磁导率,有利于GMI效应的出现。本文对以上三类材料进行不同温度下的热处理,研究GMI效应随外加磁场及驱动电流频率(f)的变化关系,并探讨GMI的来源。定义。     

低饱和场巨磁电阻金属多层膜Ni80Fe20／Cu的结构与磁电阻

采用磁控溅射方法，获得了具有低饱和场巨磁电阻的Ｎｉ８０Ｆｅ２０／Ｃｕ金属多层膜，在室温下，其磁电阻和层间耦合状态随Ｃｕ层厚度的增加呈振荡变化，在Ｃｕ层厚度ｔＣｕ＝１．０ｎｍ，２．２ｎｍ时磁电阻出现２个峰值分别为１９．４％和１１．７％，饱和场约为６．４×１０＾４Ａ／ｍ和８×１０＾３Ａ／ｍ低温下（７７Ｋ）磁电阻为３３．２％和２７．６％，系统地研究了ＮｉＦｅ层厚度和周期数对多层膜磁电阻的影响，用真空退火     

磁性物体探测的线性求解方法

利用磁偶极子磁场的逆变公式，推导出通过物体磁场及其人梯度表示的用于解决磁性探测等问题中的线性方程组，解决了以往在求解该问题过程中缺乏清晰的理论模型及计算误差较大问题。在计算机上所作的模拟计算表明该方法是成功的。     

铜对无磁铸铁组织和性能的影响

实验研究了铜对Ｎｉ－Ｍｎ系奥氏体无磁铸铁组织和电磁性能的影响，测定了不同加铜量时铸铁的磁化强度，当Ｎｉ、Ｍｎ量不足时，组织中出现马氏体，磁化强度较高，加入一定量的铜，马氏体消失，磁化强度降低，为用冲天炉生产无磁铸铁大型铸件提供了炉前质量控制的可靠方法。     

二维稀磁Ising亚铁磁体基态性质

用有效场理论研究了二维稀磁Ｉｓｉｎｇ系统的基态磁性质和基态能量，计算了基态时相变补偿点随磁原子浓度的变化情况，得到了基态相图，给出了基态时磁化强度曲线，得到和相图自洽的结果，同时还给出系统基态能量曲线。     

稀土永磁材料RnFemMk化合物中的磁耦合作用

本文用二格点分子场理论（MFT）分析了RFe_3，R_6Fe_23，R_2Fe_14B和RFe_10V_2（R＝稀土元系）稀土永磁材料中的Fe－Fe，R－Fe和R－R相互作用。计算了各种稀土（R＝Gd，D_Y，Tb，Ho，Er．Tm）铁化合物中的Fe—Fe，R－Fe和R－R相互作用对居里温度的贡献。结果表明，对于RFe_3，R_6Fe_23和R_2Fe_14B化合物，Fe－Fe相互作用对居里温度的贡献T_FF随稀土元素的原子序数的增大而减小；对于某些化合物，R—Fe磁耦合作用和R－R磁耦合作用对居里温度的贡献（T_RF和T_RR）有相同的量级。本文的计算值T_RF，与强磁场对自由粉末样品的测量结果基本一致。     

温度对第二类哑铃畴畴壁中VBL的影响

实验研究了非压缩状态下第二类哑铃畴（ⅡＤ）畴壁中垂直布洛赫线（ＶＢＬ）的温度稳定性，发现了与材料参量有关的两个重要温度（Ｔ）（ⅡＤ）与（Ｔ０）（ⅡＤ）当温度达到（Ｔ　）（ⅡＤ）时，ⅡＤ畴壁中的ＶＢＬ开始丢失；当温度达到（Ｔ０）（ⅡＤ）时，所有ⅡＤ畴壁中的ＶＢＬ链全部解体。在（Ｔ　　）（ⅡＤ）与（Ｔ０）（ⅡＤ）之间，温度越高，ⅡＤ畴壁中丢失的ＶＢＬ数目越多。