SrNdCoO_4陶瓷的磁学性能研究

采用固相烧结方法制得了具有K2NiF4结构的SrNdCoO4陶瓷,并对其磁性能进行了系统研究.结果发现,其磁化强度(M)分别在200K与20K附近随温度降低而迅速增大;150K,200K与275K下的磁化强度-磁场强度(H)曲线分别表现出铁磁性、超顺磁性及顺磁性的特征,表明SrNdCoO4陶瓷在200K附近发生顺磁-铁磁相变,引起磁化强度的迅速增大;在20K附近的磁化强度迅速增大也可从相应温度的M-H曲线特征得到解释.此外,对不同磁场强度时磁阻的温度依赖性以及两个特殊温度点20K与200K处磁阻的磁场强度依赖性进行了评价,得到一些有趣的结果.作者就以上的磁性能评价结果作了详尽分析.     

Cr-Fe-Mn粉末混合物的机械合金化及其磁交换作用

对主要成分为Cr72Fe18Mn10的粉末混合物进行机械球磨。采用扫描电子显微镜、X射线衍射仪和Mǒssbauer谱仪对球磨不同时间的样品的结构进行研究。研究结果表明：在球磨过程中，存在铁磁性的a—Fe及Fe基的超精细场分布组元和顺磁性的Cr基固溶体，球磨30h能形成顺磁性的纳米晶Cr-Fe-Mn合金；样品的矫顽力随球磨时间的延长先增加后减小，球磨12h时样品的矫顽力最大，为17．313kA／m；球磨样品在高于Cr的奈尔温度退火后场冷却时的矫顽力大于相应的零场冷却时的矫顽力，主要由体系中的铁磁-反铁磁交换作用所引起，其强弱随球磨时间的不同而不同。     

基于多因素模糊综合决策的AIS与雷达航迹关联算法与仿真

探讨采用多因素模糊综合决算进行AIS与雷达目标航迹关联的方法。研究了模糊因素集、评价集、单因素模糊评价矩阵、多因素模糊综合决策准则，以及航迹关联与脱离质量等算法。通过不同目标情况下的计算机仿真，验证了该方法的正确性与有效性。同时讨论了关联门限值等问题。     

亚锰酸盐La0.7CaxSr0.3-xMnO3的磁电阻效应

研究了用固相反应法制备亚锰酸盐La0.7CaxSr0.3xMnO3系列多晶样品(量分数x＝0．05，0．10，0．15，0．20，0．25，0．30)，并在零磁场和0．3T磁场下研究了电阻和磁电阻与温度(77—380K)的关系，结果发现随x的增加，样品的巨磁电阻效应的峰值温度向高温移动，磁电阻峰值基本保持不变.     

荧光磁粉无损检测自动化系统的实现

对如何实现凸轮轴荧光磁粉无损检测自动化进行了讨论。给出了以微计算机为中心的自动控制系统，系统以主计算机控制PLC磁粉探伤机和步进电机，使工件的探伤过程与图像处理过程并行运行，实现了裂纹磁痕的自动识别。     

非磁金属中间层对磁性隧道结磁电阻效应的影响

用自由电子近似方法对具有非磁金属中间层的磁性隧道结的磁电阻进行了研究，从理论上讨论了非磁金属中间层对磁电阻的影响。数值计算结果表明，当外加偏压不同时非磁金属中间层的作用是不同的。在外加电压使电子从非磁金属中间层穿过势垒的情况下，非磁金属中间层的变厚可以增强隧穿磁电阻效应。这一性质可以用于磁性隧道结的优化。     

低压脉冲射流的调制机理及调制器振动模拟

介绍和分析了钻井液主流阻断式调制射流产生低压脉冲的机理和可行性。初步设计出全尺寸低压脉冲调制器，利用MATLAB环境下的Simulink系统建立了调制器液压振动力学运动的计算机仿真模型。对调制器的液压控制过程及阀系运动进行了初步模拟，显示出调制器主阀和控制阀协调振动工作的可行性。仿真计算结果表明，调制器振动的频率、主阀启闭时间以及在下止点关闭主流的时间等重要工作性能指标基本符合射流低压脉冲的要求，这说明调制器的结构参数基本合理。调制器的实际工作性能、指标以及模型仿真的可靠性还有待于实验验证。     

磁空间群Pб_ 3/m''''m’c''''不可约共表示的计算

群表示理论在群论的发展和应用中占有十分重要的地位,它对求解C-G系数,同位标量因子及母分系数是必不可少的。本文主要以P6_3”m′m′c′的对称点L点为例,应用诱导表示的方法,介绍磁空间群不可约共表示的计算方法。     

Ni2MnGa铁磁形状记忆材料

铁磁形状记忆合金 (FSMA)是在一定温度范围马氏体相稳定同时又具铁磁性的一类特殊的形状记忆合金。Ni2MnGa铁磁形状记忆合金近年来成为呈现磁场驱动大应变的新型驱动材料 ,这些应变来自磁场诱发马氏体孪晶的重排 ,而不是磁场对奥氏体至马氏体相变的作用。孪晶变体的重排在宏观上呈现为正或切应变 ,一非化学计量比Ni2 MnGa单晶于室温加 0 .4T磁场能产生6 %的应变 ,Ni Mn Ga单晶在高至 15 0Hz的交变磁场仍可得到 2 .5 %的应变。本文阐述了与这种磁控形状记忆效应相关的孪晶界迁动的磁学和晶体学理论。马氏体相的大磁晶各向异性能使磁化沿c轴方向有利 ,穿过孪晶界c轴刚好转动 90度 ,同时 ,这个孪晶界也构成了约 90度的畴界。在各向异性的情况下 ,孪晶界的迁动仅有相邻孪晶变体的Zeeman能差驱动 ,μ0 ΔMis·Hi。磁场和外应力对应变的影响通过对一简单的自由能表达式取极小值来表示 ,自由能表达式包括Zeeman能、磁晶各向异性能和外应力以及在某些情况下需考虑的内部弹性能 ,模型的所有参数可通过应力 应变曲线和磁化曲线测量得到。铁磁形状记忆合金的磁场诱发应变可类比传统热弹性形状记忆效应 ,与更为人们所熟知的磁致伸缩现象不同。     

NiFe/非磁金属隔离层/FeMn薄膜中的微结构及其对交换耦合的影响

采用磁控溅射方法制备了Ta/NiFe/非磁金属隔离层/FeMn多层膜, 研究了交换耦合场H_ex相对于非磁金属隔离层厚度的变化关系. 实验结果表明: 随非磁金属隔离层厚度的增加, 以Bi和Ag为隔离层的H_ex薄膜急剧下降, 以Cu为隔离层的薄膜的H_ex下降较缓慢. 对Cu而言, 它的晶体结构与NiFe层晶体结构相同且晶格常数相近, Cu层以及FeMn层都可以相继外延生长, FeMn层的(111)织构不会受到破坏, 因此, H_ex随Cu沉积厚度增加缓慢下降. 对Ag而言, 虽然它的晶体结构与NiFe层晶体结构相同, 但晶格常数相差较大, Ag层以及FeMn层都不可能外延生长, FeMn层的织构将会受到破坏, H_ex随Ag沉积厚度增加迅速下降. 对Bi而言, 不仅它的晶体结构与NiFe层的不同, 而且晶格常数相差也较大, 同样, Bi层以及FeMn层也不可能外延生长, FeMn层的织构也会受到破坏, 因此, H_ex也随Bi沉积厚度增加迅速下降. 但是, X射线光电子能谱研究表明: 极少量的表面活化原子Bi沉积在NiFe/FeMn界面时, 会上浮到FeMn层表面, 因而H_ex下降很少.