一种基于专用DSP芯片的三相电参数测量系统

介绍了一种使用专用DSP芯片AT73C50 1、AT73C50 0的三相电参数测量系统 .该系统可以测量三相电的功率、功率因数、相电压、相电流、电网频率 ,提供了测量三相电参数的一种新颖、简便的实现方法 .     

SmCo(Al,Si)/Cr硬磁薄膜的结构与性能

在优化后的磁控溅射和退火条件下 ,制备SmCo(Al,Si) /Cr硬盘磁记录介质及硬磁薄膜 .实验结果表明 ,Sm摩尔分数为 31.6 % ,Cr缓冲层为 6 6nm ,Sm(Co ,Al,Si) 5磁性层为 30nm时 ,制得的Sm(Co ,Al,Si) 5/Cr薄膜的矫顽力Hc 为 187.8kA/m ,剩磁比S =Mr/Ms≈ 0 .94;在 5 0 0℃保温 2 5min退火后 ,矫顽力Hc 达10 42 .5kA/m ,剩磁比S≈ 0 .92 ,从而制成了较理想的硬磁薄膜     

钢管高速检测与缺陷识别系统

采用二维漏磁检测技术研究无缝承压钢管高速自动化检测系统,该系统能高速检测钢管内外壁及内部各种细微缺陷;用动态超声测厚技术,高速检测钢管的大面积缺陷和壁厚;结合计算机测控技术,以图形方式对检测全过程进行监测,分析、运算、存储缺陷信号,识别缺陷类型,对缺陷标记、定位．     

用于射频接收机的三阶多级Σ-△调制小数分频频率合成器的实现

基于TSMC 0.18 μm工艺实现了一款适用于射频收发机的全集成小数分频频率合成器. 设计中采用了三阶MASH结构Σ-Δ调制器以消除小数杂散,为节省芯片面积使用了环形振荡器,同时在电路设计中充分考虑了各种非理想因素以提高频谱纯净度和降低芯片功耗. 仿真结果表明,该频率合成器可以在900 MHz～1.4 GHz的频率范围内产生间隔为25 kHz的输出信号. 在1.2 GHz输出时,偏离载波频率1 MHz处的相位噪声可以达到-106 dBc/Hz, 锁定时间小于10 μs.      

复杂周期磁超晶格的电导共振劈裂

利用转移矩阵方法,研究了在非均匀垂直磁场作用下的二维电子气中弹道电导的共振劈裂.这一非均匀磁场可以通过在异质结上沉积铁磁条来实现.结果显示:对于n个周期且每个周期含有m个构筑块的复杂的磁超晶格结构,弹道电导的共振区将劈裂为m个子能窗,并且在每个子能窗中,弹道电导具有n-1重的劈裂峰.本质上,弹道电导的劈裂规则仍然是隧穿几率劈裂的反应.     

螺旋碳纤维化学镀镍及其电磁参数研究

采用化学镀法,以联氨作为还原剂,在螺旋碳纤维表面沉积金属镍,获得一种新的复合功能材料。通过SEM和EDX能谱分析,碳纤维基体上包覆了一层致密均匀而且连续的纯金属镍层,没有引入其它杂质元素。通过对样品在2~18 GHz范围内的电磁参数进行分析讨论,可知表面金属化一定程度上提高了样品的介电损耗,尤其在10~18 GHz有较大增幅,最大达到了35.2左右,表面金属化对样品的电阻率产生了不可忽略的影响,并且在低频处复合材料的电磁损耗都较纯基体材料有较大提高。     

神奇的“脑控”技术

正一个人通过脑电波对另一人的大脑进行"控制",这听起来像是科幻小说中的情节。然而,近日美国科学家首次成功进行了一次人脑"意识融合"试验,让科幻成为现实。位于美国西雅图的华盛顿大学计算机科学和工程教授罗杰西·拉奥日前在该校进行了一次试验。拉奥坐在学校的实验室里,头部通过电极与一台脑电图描记器相连。此时,在校园另一侧,拉奥的同事安德里亚·斯托克头戴一顶装有经颅磁刺激线圈的紫色游泳帽,线圈正好对准控制他右手活动的头部左运动皮层。拉奥注视着电脑屏幕,想象自己正在操纵一个电子游戏,并在游戏中用右手发射火炮,此时他的手并没有动。脑电图描记     

电磁式电压互感器铁磁谐振的发生及预防

文章就铁磁式电压互感器在运行中出现的谐振进行了分析,对谐振出现的原因及预防方法作了初步的探讨,并提出一些预防谐振的处理建议。     

基于磁力场与速度场协同的高效微通道磁泳分离

磁泳是实现生化分离的重要手段之一.根据微通道内磁珠运动基本方程导出了影响磁泳分离效率的新因素,即磁场力矢量与流体速度矢量的夹角,提出改善磁力场与流场的协同性是提高磁泳分离效率的重要途径之一,并基于此设计了T型结构微通道磁泳分离芯片.通过建立磁珠运动的二维动力学模型,并运用有限元和龙格库塔法,对微通道内的磁泳分离效率进行了数值模拟研究.结果发现：相同条件下T型微通道分离效率较普通平直微通道明显提高;在高流速下直通道对小粒径磁珠的磁泳分离失效时,T型微通道仍能实现高效分离.进一步分析表明,T型微通道内分离效率提高的本质在于磁力场与流场的协同作用使得磁珠产生更大的偏转速度,从而增加了分离效率.研究结果对磁泳芯片优化设计具有理论指导意义.     

纵向磁场沉积态(F/SiO2)3/Ag/(SiO2/F)3多层复合结构膜的巨磁阻抗效应

采用射频溅射法分别在零磁场和72 kA/m的纵向静磁场下, 制备了结构为(F/SiO₂)₃/Ag/(SiO₂/F)₃ (F=Fe_71.5Cu1Cr_2.5V4Si₁₂B₉)的多层复合膜. 研究了沉积态样品的软磁特性和巨磁阻抗(GMI)效应. 结果表明, 在无磁场沉积态样品中未探测到GMI效应. 在沉积过程中加纵向磁场明显优化了材料的软磁性能, 从而获得显著的GMI效应. 在6.81 MHz的频率下, 最大纵向和横向GMI比分别高达45%和44%. 同时还分析了磁阻抗比、磁电阻比、磁电抗比和有效磁导率比随频率变化的行为, 发现磁场沉积态样品的纵向和横向GMI效应随频率变化的频谱曲线几乎重合. 阻抗在低频下主要是巨磁电感效应. 当频率 f >9 MHz时, 磁电抗比变为负值, 即电抗的性质从电感性变成了电容性.