Ni2MnGa铁磁形状记忆材料

铁磁形状记忆合金 (FSMA)是在一定温度范围马氏体相稳定同时又具铁磁性的一类特殊的形状记忆合金。Ni2MnGa铁磁形状记忆合金近年来成为呈现磁场驱动大应变的新型驱动材料 ,这些应变来自磁场诱发马氏体孪晶的重排 ,而不是磁场对奥氏体至马氏体相变的作用。孪晶变体的重排在宏观上呈现为正或切应变 ,一非化学计量比Ni2 MnGa单晶于室温加 0 .4T磁场能产生6 %的应变 ,Ni Mn Ga单晶在高至 15 0Hz的交变磁场仍可得到 2 .5 %的应变。本文阐述了与这种磁控形状记忆效应相关的孪晶界迁动的磁学和晶体学理论。马氏体相的大磁晶各向异性能使磁化沿c轴方向有利 ,穿过孪晶界c轴刚好转动 90度 ,同时 ,这个孪晶界也构成了约 90度的畴界。在各向异性的情况下 ,孪晶界的迁动仅有相邻孪晶变体的Zeeman能差驱动 ,μ0 ΔMis·Hi。磁场和外应力对应变的影响通过对一简单的自由能表达式取极小值来表示 ,自由能表达式包括Zeeman能、磁晶各向异性能和外应力以及在某些情况下需考虑的内部弹性能 ,模型的所有参数可通过应力 应变曲线和磁化曲线测量得到。铁磁形状记忆合金的磁场诱发应变可类比传统热弹性形状记忆效应 ,与更为人们所熟知的磁致伸缩现象不同。     

基于半导体致冷器数学模型的TEC制冷系统的效率估算

为了对半导体制冷系统的制冷效率进行估算，通过建立半导体致冷器(TEC)的数学模型，并结合机械连接形式的TEC制冷系统，给出了半导体制冷系统制冷效率的估算公式．     

浙江大学硅材料国家重点实验室

硅材料国家重点实验室(原名高纯硅及硅烷国家重点实验室)于1985年由国家计委批准投资建设,1987年通过国家验收,1988年对外开放。目前硅材料国家重点实验室已成为国家在硅材料及半导体材料的科学研究创新及高级人才培养的主要基地之一,是对外学术交流的重要窗口。以该实     

基于边缘移动匹配法的RIDPCM

RIDPCM(循环插值差分脉冲编码调制)是利用插值来获得预测图像的一种图像压缩编码技术，如果插值所得的预测图像与原图像越接近，则二者之差的误差信号的动态范围就越小，就可以用更少的码字来对误差信号进行编码。文章提出将边缘移动匹配插值法用于RIDPCM，在相同的比特率条件下，提高解码端恢复的图像质量。     

高灵敏度离子分子的吸收光谱

介绍了光外差-磁旋转-速度调制吸收光谱技术对离子分子的研究,该技术综合了光外差光谱技术、磁旋转光谱技术和速度调制光谱技术三者的特点,形成可以对离子分子高灵敏度测量的光谱技术.该技术不仅保留了速度调制光谱技术对离子分子选择性探测的特点,避免了来自中性分子光谱线的干扰,同时利用光外差光谱技术降低来自光源的幅度涨落噪声,消除放电过程的干扰,再结合磁旋转光谱技术可以对顺磁性分子进行选择性测量以及进一步提高测量信噪比.介绍了光外差-磁旋转-速度调制光谱技术的基本原理、实验方案以及对N2+,CO+,H2O+等离子分子的测量研究结果.     

大梯度磁滤处理饮用水源微污染的试验研究

以水厂现场试验为依据,对影响磁滤器处理效果的各项因素进行了分析.结果表明磁滤器处理效果与磁场强度、滤速、沉淀出水密切相关.它对水中污染物,尤其是细菌和有机物具有很好的去除效果,与传统工艺相比有机物去除率平均提高34.21%,最高达68.8%,出水水质优于传统水处理工艺的出水.     

半导体中的多维流体力学模型在球的外部区域上的整体光滑解的渐进行为

研究半导体中的多维流体力学模型在球的外部区域上的整体光滑的渐进行为，证明了其依指数形式收敛到稳态解的特性。     

ITO透明半导体膜的研究

采用直流磁控溅射ITO陶瓷靶的高温低氧工艺,在玻璃衬底上成功地镀制了ITO透明半导体膜,其可见光透过率达80％以上,电阻率降到3×10~(-4)(?)cm以下。     

GaAs/AlGaAs阶梯量子阱结构量子受限Stark效应的实验研究

半导体量子阱超晶格作为一种新型的人工剪裁结构受到人们的普遍重视.该结构的特点之一就是可以利用在外电场调制作用下光学性质的变化来实现其在光电子学方面的应用,量子受限Stark效应(Quantum confined stark effect,简称QCSE)就是一个例子,它是指在外加垂直电场的作用下,跃迁能级能量的变化,这种能量的变化称为Stark位移.其不仅存在于半导体量子阱的带间跃迁中,同时也存在于子带间跃迁中.在包络函数近似下,利用求解一维Schr(?)dinger方程,研究了GaAs/AlGaAs阶梯量子阱结构中的Stark位移,通过微扰理论计算指出在一定的结构设计下,Stark位移量可以达到方形量子阱结构的两倍.根据理论计算,考虑到生长条件的具体限制,在半绝缘GaAs衬底上外延生长了样品.1μm GaAs缓冲层之上是50 nm的AlAs剥离层,然后是300 nm的Al_(0.3)Ga_(0.7)As层,接下来为50周期的阶梯量子阱结构.每个结构单元由 2 nm的 GaAs,8 nm的Al_(0.15)Ga_(0.85)As和4 nm的Al_(0.3)Ga_(0.7)As构成.在阶梯量子阱结构之后是200 nm的 Al_(0.3)Ga_(0.7)AS和     

磁性物体探测的线性求解方法

利用磁偶极子磁场的逆变公式，推导出通过物体磁场及其人梯度表示的用于解决磁性探测等问题中的线性方程组，解决了以往在求解该问题过程中缺乏清晰的理论模型及计算误差较大问题。在计算机上所作的模拟计算表明该方法是成功的。