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211.
根据广义平面应变问题具有所有物理量沿某一方向变化为零的特点,针对连续、各向异性两相饱和介质,在变形满足小变形、孔压流满足达西定律、有效应力原理成立的假定下,建立以增量形式的三向荷载作用下液固耦合作用的平面有限元分析方法。 相似文献
212.
复合模型中实时耦合问题的探讨 总被引:3,自引:0,他引:3
通过分析实时耦合复合模型中物模(物理模型)与数模(数学模型)的连接过程,指出:复合模型中的物模部分与数模部分的关系是相互制约、相互依存的,二者间的实时耦合以及耦合的精度是复合模型成功的关键;耦合的时间和空间匹配条件保证了复合模型中物模与数模两个部分连接的时空连续性;控制周期的大小、控制变量的选择以及控制的策略是影响复合模型耦合精度的主要因素,复合模型各部分都应以满足这些因素为前提进行设计。 相似文献
213.
214.
本文推导出目标函数的导数公式,改进了利用“多约束非线性方程组”计算真空紫外光学常数的方法,我们自编了VUV-ROCP微机软件,可由真空紫外反射率求出真空紫外薄膜光学常数和入射光的偏振度。运用该软件对不同工艺的Au、Pt、Al样品的反射率进行解析,得到了它们的真空紫外薄膜光学常数,并与国外报道的结果进行了比较。 相似文献
215.
由于亚稳态分子PCl(b~1∑~ )可望成为化学激光工作物质,近十几年来,许多学者对这一分子做了不少工作.Coxon和Wickramaaratchi通过Ar(~3P_(0.2))与PCl_3的反应观察到了PCl的b~1∑~ →X~3∑~-△υ=0和A~3∏→X~3∑~-的发射Bielefeld和Setser等人测定了PCl(b~1∑~ )的辐射寿命及部分小分子对PCl(b~1∑~ )的猝灭速率常数.本工作利用Ar(~3P_(0.2))与PCl_3的反应,在流动体系中制备了清洁的亚稳态分子PCl(b,υ′=0)源;首次测定了20多种多原子分子对PCl(b,υ′=0)的猝灭速率常数,并讨论了影响猝灭的某些因素.1实验实验中用到的装置,前人已做过详细的描述.亚稳态原子Ar(~3P_(0.2))通过阴极放电产生,放电电压在300~400V之间,电流1~2mA.PCl_3由放电管下游的第一个试剂入口加入,猝灭试剂由第二个试剂入口加入.反应管设有两个观察口,用作光谱测量,反应管内的总压为3.5×10~2Pa左右,抽速为40~50m/s,猝灭测量采用定点法,使用的公式为 相似文献
216.
自从在CoFeSiB非晶丝(带)及FeCuNbSiB的纳米晶丝(薄膜)材料中发现巨磁致阻抗效应以来,GMI效应在实际运用中有广阔的前景,而且在理论上探讨GMI的起因也是非常有意义的,所以受到普遍的关注。非晶(纳米晶)软磁合金具有高的磁导率,在一定频率的交流驱动电流作用下,外加直流磁场阻碍了交流电流所感生的磁通量的变化,从而降低磁导率,提高趋肤深度,降低了交流阻抗,引起效应。及非晶薄带在不同的温度下热处理可以形成纳米级软磁合金,降低各向异性常数和磁致伸缩系数,提高磁导率,有利于GMI效应的出现。本文对以上三类材料进行不同温度下的热处理,研究GMI效应随外加磁场及驱动电流频率(f)的变化关系,并探讨GMI的来源。定义。 相似文献
217.
陈历敏 《广西师范学院学报(自然科学版)》1997,14(4):27-29
该文主要讨论了Gauss-Weierstrass算子(Wn)在给定点对LipschitZ函数类的逼近误差以及某些高阶逼近问题,并得到了(Wn)的局部Nikolskii常数。 相似文献
218.
低饱和场巨磁电阻金属多层膜Ni80Fe20/Cu的结构与磁电阻 总被引:1,自引:0,他引:1
采用磁控溅射方法,获得了具有低饱和场巨磁电阻的Ni80Fe20/Cu金属多层膜,在室温下,其磁电阻和层间耦合状态随Cu层厚度的增加呈振荡变化,在Cu层厚度tCu=1.0nm,2.2nm时磁电阻出现2个峰值分别为19.4%和11.7%,饱和场约为6.4×10^4A/m和8×10^3A/m低温下(77K)磁电阻为33.2%和27.6%,系统地研究了NiFe层厚度和周期数对多层膜磁电阻的影响,用真空退火 相似文献
219.
高维机电耦合系统Hopf分岔的识别 总被引:2,自引:0,他引:2
基于Hurwitz代数识别原理,运用半解析半数值的判别方法,分析大型汽轮发电机组转子轴系与电网耦合次同步谐振(SSR)非线性模型,确定出该系统在给定条件下的Hopf分岔点,计算结果与QR方法的结果进行了比较,证明了该方法的正确与有效. 相似文献
220.
充液圆柱壳中的振动能量流 总被引:2,自引:0,他引:2
研究一无限长弹性薄壁充液圆柱壳的自由振动特性,获得了在不同周向波数时充水圆柱壳的频散曲线,讨论了此耦合系统自由振动时的传播波所对应的振动能量流,得出了各内力所传播的能量流之间的相对值。 相似文献