Cu层厚度对NiFe/Cu/Co 的巨磁电阻效应影响

用磁控射频溅射法制备了NiFe/Cu/Co多层膜;研究了薄膜的磁特性和磁电阻特性与中间层Cu厚度的关系.在适当的Cu层厚度下 (大约为2 nm),制备出了具有很好自旋阀巨磁阻效应的多层膜.研究表明,在弱磁场下,薄膜的磁电阻回线的斜率与原来的磁化过程有关,因此该薄膜材料可以用于巨磁电阻存储器中.     

增设渗透廊条件下土壤中气液两相流动实验研究

针对污染土壤生物修复技术,构建了增设渗透廊条件的土壤内气液流动实验台,并赋予了渗透廊以饱和度突变功能.实验研究了渗透廊底部材料厚度及液位高度对液体渗透流量的影响,并在有无强制通气条件下对液体流量以及饱和度进行了测量,对注水前后气体在土壤中的流动阻力特性进行了实验研究.实验结果显示:渗透廊底部材料厚度减小及渗透廊中液位高度增加均可使液体渗透流量减少;在通气后土壤中液体流量有所减少,而注水后气体的压损增大.本实验所测数据对理论模型的验证提供了依据.     

改性聚丙烯纤维砂浆抗裂性能试验研究

聚丙烯纤维掺入砂浆中可明显改善其性能,砂浆掺入纤维后能有效控制砂浆早期干缩裂缝的数量、长度及宽度。聚丙烯纤维在砂浆中起阻裂和细化裂缝的作用,改善程度与纤维长度和掺量等因素有关。     

金属氧化锌避雷器在线监测系统的设计

以微处理器MSP430为核心,由泄漏电流采集、雷击计数脉冲、无线收/发控制、LCD显示等电路组成,设计了一种金属氧化锌避雷器(MOA)阻性漏电流在线检测系统.系统通过对MOA阻性漏电流的实时检测,并将检测结果发射到终端监控中心,实现对MOA运行状态的在线监测.     

基于IBC太阳电池的二氧化硅掩膜研究

在叉指状背接触太阳电池(IBC电池)的制作过程中,一种办法是以二氧化硅作为掩膜阻挡磷扩散进入已经扩硼的区域,在有二氧化硅保护的区域,p+区保持不变,在没有二氧化硅保护的地方磷扩散进入形成n+背表面场,从而实现在不同区域的不同扩散。该文是研究在不同的的温度下热氧化得到的二氧化硅氧化层的厚度,厚度从0 nm到124 nm,然后通过测量磷扩散前后方阻变化和ECV图像,研究不同厚度下的二氧化硅掩膜对磷扩散的阻挡作用。同时,还测量了在不同情况下硅片的少子寿命,以确定一个最佳的热氧化二氧化硅工艺,为IBC电池工艺的后续研究提供参考。     

船舶钢-复合材料组合基座减振设计方法分析

以有/无阻振质量组合结构基座与钢结构基座设计为例，选择振级落差作为减振评价指标，以结构重量为目标函数，考虑振级落差和应力等约束条件进行动力学优化设计比较分析.建立了相应结构动力学优化数学模型，并采用Kriging代理模型和遗传算法进行求解.结果表明：组合基座比钢基座具有更好的隔振效果；复合材料的引入对减振作用最大；阻振质量在基座减振中也有一定效果；采用优化设计方法是组合基座设计的必要手段.     

金属氧化锌避雷器在线监测系统的设计

以微处理器MSP430为核心,由泄漏电流采集、雷击计数脉冲、无线收/发控制、LCD显示等电路组成,设计了一种金属氧化锌避雷器(MOA)阻性漏电流在线检测系统.系统通过对MOA阻性漏电流的实时检测,并将检测结果发射到终端监控中心,实现对MOA运行状态的在线监测.     

反常亦合道 变异生奇趣——论阎连科小说语言的阻拒性

阎连科的小说语言常常迫使读者停下来暂作思考，形成了其鲜明的语言特色之一：阻拒性。这一特色来自于他小说文本中大量使用的偏离手法。他常用的偏离包括词汇偏离、语法偏离、语义偏离、方言偏离和历史时代的偏离，突破规则的语言搭配、反常新奇的语言组合却合乎了情感和想象逻辑，奇趣横生，带给读者陌生感和奇异感，成功实现了陌生化的效果，从而使阎连科得以用简约的语言传达丰富的意味，达到以少胜多的艺术境界。     

复相多铁材料中电场调控自旋的翻转

电场调控的自旋翻转因在低能耗高密度的新型存储器件中有巨大的应用潜力而受到人们的广泛关注.在复相多铁材料中,利用磁电耦合效应有可能实现电场调控自旋的翻转.我们在CoPt/PMN-PT异质结中,利用电场调控矫顽力的变化,实现了电场调控自旋的翻转.在铁磁形状记忆合金Mn-Ni-Sn与0.7Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.3PbTiO3组成的复合材料中,通过电场调控交换偏置场的变化,无需偏置磁场就可以实现电场调控自旋的翻转.     

磁电弹材料反平面切口奇性数值分析

磁电弹复合材料具有压电压磁的特点而被用于制作传感器等智能元件,在这些元器件中经常遇到界面端或切口问题,切口处由于易产生较高的奇异场而导致机械失效或电介击穿致使器件失效.本文主要研究磁电弹材料反平面切口的奇性问题.基于切口根部物理场的渐近展开假设,从应力平衡方程和电磁麦克斯韦方程组出发,导出了关于磁电弹材料反平面切口奇性指数的特征微分方程组,并将切口的力电磁学边界条件以及粘接材料的界面协调条件表达为奇性指数和特征角函数的组合.磁电弹材料切口反平面奇性指数的计算被转化为相应边界条件下常微分方程组特征值的求解问题,通过插值矩阵法计算出各阶奇性指数和相应的特征角函数.计算结果能提供减小切口奇性程度的切口角度和材料组合方案,更好地指导磁电弹智能元器件的结构设计.