基于标定原理的单磁极编码器设计

与光电编码器相比,磁性编码器结构简单,易实现微型化,且不受尘埃和结雾的影响。但其分辨率和精度较低且难以提高,严重制约了其发展和应用。针对单磁极编码器,提出一种基于标定查表的信号处理方式,用高精度光电编码器进行标定,采用FPGA(Field Programmable Gate Array)进行信号处理,采用两相电压分区间查表得到角度值,突破了技术瓶颈,实现了分辨率31 757 p/r、精度12位(4 096线)的角度输出。     

极性晶体中强耦合慢运动磁极化子的有效质量

本文利用线性组合算符法和么正变换研究了极性晶体内强耦合慢运动磁极化子的特性。导出了磁极化子的基态能量、有效质量和回旋共振频率，作了数值计算，结果表明：磁极化子的基态能置随磁场B的增加而减少，有效质量和回旋共振频率随磁场B的增加而增大。     

110°偏转角定子绕线多磁极偏转系统

介绍了１１０°偏转角定子绕线的多磁极偏转系统的计算机辅助设计方法，该方法应用ＥＭＡＳ与表面磁荷法相结合计算磁场应用局部法优化偏转系统，得到了会聚特性良好，具有较高偏转灵敏度的１１０°偏转角的多磁有偏转系统。     

量子点中的磁极化子:压缩态变分法

采用基于逐次正则变换的变分方法研究了利用单模压缩态变换处理双线性项的情况下抛物量子点中磁极化子的基态能量．讨论了在弱耦合情况下，受限长度，回旋频率，电子一声子耦合常数与基态能量的依赖关系．     

强耦合磁极化子的内部激发态

研究强耦合磁极化子内部激发态的性质,利用Huybrenchts的线性组合算符及么正变换方法,计算了磁极化子的第一内部激发态的能量和回旋共振频率,讨论了这些量和磁场强度B的关系。     

GaAs晶体二维自旋磁极化子平均数的磁温效应

研究了半导体内弱耦合二维自旋磁极化子的磁场和温度特性．在有限温度和外加均匀恒定磁场的情况下，应用么正变换和线性组合算符法给出了GaAs晶体内极化子平均数与磁场和温度的依赖关系的理论表示，也作了数值分析．数值计算的结果表明：在某一确定的温度下，弱耦合二维自旋磁极化子平均数随磁场的加强而减小；磁场较弱或温度较高时，平均数变化较剧烈；磁场较强或温度较低时，平均数变化较平缓；当外加磁场确定时，弱耦合二维自旋磁极化子平均数随温度升高而增大；当温度较低或磁场较强时，平均数变化偏离线性关系；当温度较高或磁场较弱时，其变化接近线性关系．     

半导体量子点中磁极化子基态能修正的温度效应

采用Larsen方法研究了半导体量子点中磁极化子基态能量的温度效应．在有限温度下导出了磁场内半导体量子点中电子—体纵光学(LO)声子相互作用系统的基态能量及二级微扰能量修正．讨论了磁场、量子点尺寸以及温度对半导体量子点中电子—体纵光学(LO)声子相互耦合磁极化子的基态能量影响．为了更清楚、直观地说明半导体量子点中磁极化子的性质，以GaAs半导体为例进行了数值计算，得到在强磁场的作用下半导体量子点中电子—体纵光学(LO)声子耦合系统的基态能量修正与磁场强度、量子点厚度及温度的关系曲线．结果表明：强磁场中电子—体纵光学(LO)声子相互耦合磁极化子的基态能量修正随磁场强度的增加而增大，随量子点厚度的增加而减少，随温度的升高而增大。     

一起配电变压器铁芯接地故障判断及分析

变压器铁芯是传递变换电磁能量的主要部件,保证铁芯的安全是变压器可靠运行的关键。本文就现场出现的铁芯故障和采取的措施作一介绍。     

量子棒中强耦合磁极化子基态能量的磁场和温度依赖性

基于Huybrechts-Lee-Low-Pines变分法,研究量子棒中强耦合磁极化子基态能量的磁场和温度依赖性.结果表明:磁极化子基态能量的绝对值随温度参数的增加而增大,随电子-声子耦合强度的增加而增大,随磁场的回旋频率的增加而减小,随量子棒受限强度的增加而减小;磁极化子的基态能量随量子棒纵横比的变化规律呈""型曲线,并受到温度的显著影响.