基于双回路磁检测原理的电流比较仪

为了解决多通道磁调制式直流电流比较仪遇到的虚假平衡点导致通道封闭的问题,提出了双回路磁检测器原理.双回路磁检测器由磁放大器回路和磁调制器回路组成,利用磁放大器的输入输出特性来改善磁调制器的输入输出特性,其输出信号同时具有磁调制器输出信号高灵敏度的特性和磁放大器输出信号单质的特性.实验测试了双回路磁检测器实验模型的输入输出静特性曲线,并建立了双回路磁检测器的Simulink仿真模型.实验和仿真结果表明:相比于传统的磁调制器,双回路磁检测器直流检测特性的虚假平衡过零点即虚假平衡点得到了消除,并且输入输出静特性曲线的单调特性得到实现,具有重要的理论和实用价值.     

超声辅助St(o)ber法制备单分散SiO2/Fe3O4复合磁性微球

以超顺磁Fe3O4纳米团簇为磁核,在传统St(o)ber法的基础上引入超声辅助制备具有核-壳结构的单分散SiO2/Fe3O4复合磁性微球,并使用XRD、TEM、VSM等测试方法,着重研究了超声功率对SiO2/Fe3O4复合磁性微球分散性、形貌、结构、磁性能的影响.研究结果表明:引入超声可极大改善磁性微球的分散性,随着超声功率的增加,复合微球团聚逐渐变少、SiO2包覆层变薄、空白球减少,但功率过大时,无核-壳结构的SiO2/Fe3O4微球出现;当超声功率为20％P时,SiO2/Fe3O4复合磁性微球各项性能(分散性、磁性能)最优.     

用质子激发X射线能谱分析技术测量FVAPD装置合成薄膜均匀性

采用质子激发的X射线能谱分析(PIXE)方法对磁过滤阴极真空弧沉积(FVAPD)装置在Al板上合成Ti膜相对厚度进行了测量,给出了沉积靶室中不同位置大面积合成薄膜的均匀性.通过同背散射分析(RBS)测量结果的比较表明:利用在轻衬底上合成重元素薄膜的PIXE分析可以快速、无损和精确地测量FVAPD装置合成薄膜的均匀性.     

磁热材料研究进展

对3d铁磁金属和合金磁热材料,4f稀土金属和合金磁热材料以及巨磁热材料的研究进展进行了较详细的综述,并对与其有关的磁热效应和巨磁热效应及其测定进行了分析和讨论.     

电感式磁性物含量计的研制

介绍一种以微芯单片机为核心的新型电感式磁含量计原理,其中采用新的温度补偿原理,使磁含量计的温度漂移得以克服;传感器采用不锈钢材料,强度高,不泄漏,使其更适用于现场使用.     

氰根桥联双金属配位聚合物K2[Ni(en)2][Fe(CN)6]的合成与表征

室温下将Ni(en)_2(NO_2)_2的DMF溶液与K_4[Fe(CN)_6]水溶液反应合成了标题化合物——一种新型氰基桥联配位聚合物K_2[Ni(en)_2][Fe(CN)_6]。对标题化合物进行元素分析、原子吸收光谱、紫外光谱、红外光谱研究,对标题化合物的结构进行了推测,变温磁化率测定表明,在分子内部存在弱的反铁磁相互作用。     

ZnSe:Co2+中四面体络离子(CoSe4)6-的g因子

用双自旋-轨道耦合参数模型和半经验的分子轨道法研究了四面体Td对称晶场中络离子(CoSe4)^6-的EPRg因子。结果较从前的计算更接近实验数据，并表明配体Se对Co^2 的g因子有不可忽略的贡献。     

EUSr2-xBax RUCU2O8体系的固溶性和物性研究

报道了Ba掺杂EuSr2 -xBaxRuCu2 O8(0≤x≤ 0 .4)样品的合成以及对其固溶性和物性的研究 .实验发现 :x=0和 0 .2两样品具有很好的单相性 ,其结构与YBa2 Cu3 O7结构相类似 ;而在x≥ 0 .3样品中出现了Ba2 EuRuO6(2 116相 )杂相 ,在该体系中 ,Ba替代Sr的单相固溶范围为 0≤x <0 .3;在单相范围内 ,Ba对Sr替代导致样品的有效Bohr磁矩、自发磁矩和正常态电阻率减小 ,但对其超导临界温度和铁磁相变温度影响不明显     

Tb_(0.3)Dy_(0.6)Pr_(0.1)(Fe_(1-x)Al_x)_(1.95)合金的磁致伸缩、自旋重取向和Mssbauer谱研究

系统研究了室温下Tb0.3Dy0.6Pr0.1(Fe1-xAlx)1.95(x=0.05,0.1,0.15,0.2,0.25,0.3)合金中元素Al替代Fe对结构、磁致伸缩性能、自旋重取向温度和Mssbauer谱的影响.实验测量表明,x<0.2时Tb0.3Dy0.6Pr0.1(Fe1-xAlx)1.95合金基本上是纯的单相,x=0.2出现其他杂相,且杂相随Al替代量的增加不断增多.随Al替代量x的增加磁致伸缩系数快速减小,x>0.15时巨磁致伸缩效应消失,而且少量Al的加入有利于降低磁晶各向异性.相对磁化率随温度的变化测量表明,自旋重取向温度Tm随Al替代量的增多而降低.Mssbauer谱的测量发现,随Al含量的增加,易磁化轴可能在{110}面逐渐偏离了立方晶体的主对称轴,即发生自旋重取向.对Mssbauer谱的分析表明:随Al替换量x的增多,平均超精细场Hhf减小,而同质异能移IS增大,四极劈裂QS则呈无规律的变化.     

极性晶体膜中的束缚极化子

采用格林函数法,讨论了极性晶体膜中电子与LO声子耦合的电子-声子相互作用系统的自能.得出了极化子自能及束缚势随膜厚变化的规律.对KCl材料进行数值计算的结果表明,束缚势影响自陷能的变化.