Fe/Ag多层膜的巨磁电阻效应

自1988年Baibich等人在Fe/Cr多层膜中发现巨磁电阻(GMR)效应以来,人们对各种磁/非磁金属多层膜做了大量的研究.Fe/Cr,Co/Cu和Fe/Cu是最为人们熟悉的存在GMR效应的多层膜系统.金属多层膜中出现GMR效应的必要条件之一是相邻磁性层之间必须存在反铁磁耦合.最初人们对Fe/Ag多层膜的研究没有观察到反铁磁耦合.然而,Bruno等人对磁性过渡族金属/贵金属多层膜的理论计算表明,其中存在铁磁-反铁磁层间耦合振     

六元磁光材料芯片的制备与检测

推广和发展了一种二分掩膜方法，采用这种方法，使得通过n次实验可以既不重复也不遗漏地得到所用n种元素的所有可能组合，即2^n个全不相同的芯片单元，并论证了其惟一性．对于离子束溅射沉积的CoAg薄膜，采用组合离子注入技术制备了由Fe、Mn、Ga、Cu 4种元素所组成的磁光芯片。在1T的恒定磁场条件下，系统地测试了芯片各单元在不同退火条件下的磁光克尔谱。结果表明，采用薄膜与组合离子注入相结合的方法，可以快速、有效、低成本地发现新型磁光存储颗粒膜材料候选体系。     

掺杂磁垒纳米结构中的GMR效应及调控

通过在半导体异质结上的上下表面沉积两条平行的铁磁条带可获得一个巨磁阻器件.为了更好地调控其性能,我们从理论上研究了在该器件中加入δ势后,该器件的透射系数、电导和磁阻比率的变化情况.研究发现,加入δ势后,该器件同样具有明显的巨磁阻效应,且其磁阻比率与加入δ势的权重和位置密切相关.因此,我们可以通过改变加入δ势的权重和位置来调控该巨磁阻器件,设计出磁阻比率可调的磁信息存储器.     

回收废旧锂离子电池制备镧掺杂钴铁氧体

以废旧锂离子电池为原料,柠檬酸为凝胶剂,通过溶胶-凝胶自蔓延燃烧法制备出镧掺杂钴铁氧体,用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、振动样品磁强计(VSM)和磁致伸缩性能自动测量仪分析所制备样品的晶型、形貌、磁性和磁致伸缩性.结果表明,镧掺杂的钴铁氧体具有尖晶石结构,性能较纯钴铁氧体有所改变,随着La元素掺杂量的增加,样品的饱和磁化强度,磁致伸缩系数,应变导数逐渐减小.当掺杂量x=0.025时,应变导数在较低的磁场下取得最大值-1.18×10-9 m/A,这有利于氧化铁系的磁致伸缩材料在非接触式传感器和执行器方面的应用.     

LCC-S型无线电能传输系统的磁耦合机构参数多目标优化技术

为了解决MC-WPT系统中磁耦合机构参数设计缺乏系统性的优化方法问题,以2个平面螺旋线圈构成的电磁耦合机构作为研究及优化对象,针对LCC-S型WPT系统,提出一种磁耦合机构参数多目标优化方法。以线圈半径、传输距离和线圈匝数3个耦合机构几何参数作为决策变量,以系统传输效率、传输功率与总谐波畸变率为目标函数,利用基于带精英策略的非支配排序遗传算法Ⅱ(NSGA-Ⅱ)对MC-WPT系统进行优化,得到了3个目标函数的Pareto解集。最后,将优化后的参数带入MATLAB/Simulink仿真模型中对系统进行仿真,并搭建了一套实验装置进行实验验证,仿真和实验结果证明了提出的多目标优化方法的可行性和有效性。研究提出的MC-WPT系统磁耦合机构参数多目标优化方法能够为MC-WPT系统耦合机构参数的设计提供理论性指导。     

外赋AGB星质量吸积的角动量守恒模型：方程的推导

考虑到δｒ≠０，用整个系统的角动量守恒条件代替切向动量守恒条件，将星风吸积与盘吸积两种质量机结合起来考虑，推导了吸积质量及轨道参量的变化方程。     

专业级录像机的自动磁迹跟踪重放技术

全面介绍目前专业级录像机的磁迹自动跟踪技术，特别重点讨论了新近发展的ＶＣＭ技术。     

D型超导线圈的磁弹性弯曲和屈曲

基于曲梁理论和Ｂｉｏｔ－Ｓａｖａｒｔ定律提出描述超导载流线圈力学行为的一个新的理论模型。通过对边值问题基本方程的半解析求解－给出封闭形式的解析通解和数值特解，所得结果可模拟载流线圈的变形、失稳全过程，获得所有的位移，应力分布，并准确预测出线圈失稳时的临界电流值。     

光隔离器几个问题的研究

研究了各分立器件的透射比对光隔离器插入损耗的影响，磁旋光器的透射比以及旋光角的精度对隔离度的影响。     

巨磁电阻的若干问题

本文综述了各向异性磁电阻(AMR)．巨磁电阻(GMR)，特大磁电阻效应(CMR)以及隧道磁电阻效应(TMR)的实验结果及理论模型