磁控弧光增强等离子体CVD(化学气相沉积)法制备立方氮化硼薄膜

采用一种新的自行设计的磁控弧光增强等离子体化学气相沉积法制备立方氮化硼(c-BN)薄膜.现已成功地在单晶硅上制备出了含量较高的立方氮化硼(c-BN)薄膜.制备出的薄膜用傅立叶红外(FTIR)光谱和X射线衍射(XRD)谱来表征.同时研究了各个沉积参数(基底直流负偏压、弧光等离子体放电电流、气体流量比)对立方氮化硼薄膜制备的影响.     

镶嵌纳米碳粒氧化硅膜的电致发光研究

采用复合靶磁控共溅射法制备了含纳米碳粒的氧化硅薄膜．测量显示，随着正向偏压的增加，来自Au／含纳米碳粒氧化硅膜／p-Si结构的电致发光峰位于650nm处几乎不移动．     

几种中高压降压软启动方式的探讨

全压直接启动模式和降压软启动模式是交流起步电动机的两种典型启动方式。对于中高压大容量的交流异步电动机而言,降压软启动可以实现平滑启动、降低启动冲击的效果。笔者在本文中主要探讨了磁控软启动模式、晶闸管软启动模式、热变电阻软启动模式以及液体电阻软起模式等四种中高压降压软启动方式,希望能够为相关工作人员提供必要的借鉴。     

射频反应磁控溅射制备氧化铬薄膜技术及性能

研究了采用射频反应溅射方法制备氧化铬耐磨镀层的技术和薄膜的性能.结果表明,采用金属靶材进行射频反应溅射时,由于靶材与反应气体的反应,会出现两种溅射模式,即金属态溅射和非金属态溅射,非金属态溅射模式的沉积速率很低.氧化铬薄膜的硬度主要决定于薄膜中Cr2O3含量,在供氧量不足时会生成低硬度的CrO,制备高硬度氧化铬薄膜需要采用尽可能高的氧流量进行溅射.采用在基片附近局域供氧,可以实现高溅射速率下制备出高硬度的氧化铬薄膜.     

大容量电动机磁控软起动

介绍高压(3～10kV)大容量电动机磁控软起动装置的工作原理、结构形式和特点，并对高压磁控软起动装置与高压可控硅软起动装置作出对比。     

微机控制带极堆焊磁控装置的研制

介绍了新型磁极的原理和单片机控制系统的组成及其工作原理，对所研制的磁控装置进行了多项试验研究，结果表明：采用新型磁极不仅可使其位置调整方便，而且改善了磁控效果，采用较小的磁控电流就可获得过去磁极使用较大电流才能达到的焊道形状控制效果。对磁控电流进行微机数字控制，提高了磁控电流的控制精度和稳定性。     

磁控溅射法制备PET基纳米TiO2抗菌薄膜的研究

利用磁控反应溅射法在PET基底上制备了纳米TiO2抗菌薄膜。利用扫描电子显微镜(SEM)对制得的溅射膜的微观形貌进行了表征，发现采用磁控溅射法在很短的时间内即可在基底上得到一层致密均匀的由纳米粒子组成的薄膜。采用光—氧抗菌实验方法，研究了溅射薄膜的抗菌性能。实验结果表明溅射后的薄膜比未溅射样品具有明显的抗菌性能。     

基于PLC的电机磁控启动控制器的程序设计

介绍了电机磁控启动器应用程序的设计思路,对部分子程序详细介绍了其功能和编程技巧。磁控启动控制器的初步运行表明,该控制器配合本文介绍的应用程序,具有使用灵活、操作简便、查找故障简单,运行安全、可靠等优点。     

双磁控忆阻器动力学模型及FPGA硬件电路实现

基于经典Chua混沌电路设计了一个五维双磁控忆阻器混沌电路。对电路非线性特性进行数值分析,表明其具有丰富的混沌动力学行为。采用一阶离散处理对电路进行数字化转换,基于DSP Builder和FPGA(Field Programmable Gate Array)技术,通过Cyclone Ⅳ E系列EP4CE10F17C8N芯片搭建的硬件平台,真实实现了该模型数字化系统。设计结果表明,数字化忆阻器系统避免了模拟信号元器件的漂移和不稳定性,硬件波形显示性能稳定可靠,且与计算机仿真结果具有相当一致性的吻合。     

新型三相磁控电抗器的研究

电力系统中的三相磁控电抗器都采用每个铁芯柱加磁阀的三相六柱式磁控电抗器,这种电抗器的铁芯柱磁阀加工过程复杂,并且运行中噪音较大,为了克服这种缺陷,提出了一种新型三相磁控电抗器.使用电磁场分析软件Ansoft对该新型磁控电抗器模型进行了仿真,得到了其工作状况的一些仿真数据和结果.仿真分析结果验证了通过调节晶闸管的触发角可以平滑地调节电抗器的电抗的特性,同时也对该三相磁控电抗器的电磁场分布情况进行了仿真分析.