Rashba自旋轨道耦合对NM/FS/I/FS/NM双自旋过滤隧道结中自旋相关输运的影响

基于转移矩阵方法和量子相干输运理论,研究了含两铁磁半导体层的双自旋过滤磁性隧道结(NM/FS/I/FS/NM,NM表示非磁金属,FS表示铁磁半导体,I表示绝缘层)中的Rashba自旋轨道耦合与自旋相关隧穿现象和隧穿磁电阻(TMR)效应之间的关系.研究结果表明:当左右两FS层的Rashba自旋轨道耦合强度相等时可得到最大的正TMR,而不等时可得到大的负TMR;在绝缘层厚度达到一定值后,双自旋过滤结可以获得稳定TMR,其正负和两FS层Rashba自旋轨道耦合强度的相对大小有关.     

基于磁致伸缩共振的便携式液体黏度测量仪设计

设计了一种基于磁致伸缩共振的便携式液体黏度测量装置,可用于测量低黏度液体的黏度。在待测液体中,采集磁致伸缩振动片的共振频率,通过事先确定的共振频率和液体黏度计算公式,计算待测液体的黏度。该液体黏度测量装置主要由磁致伸缩振动片、磁铁、线圈、测量电路、按键和液晶屏组成。在测量电路中,单片机控制阻抗转换器测量线圈的阻抗变化,通过阻抗峰的顶点确定振动片的共振频率。通过测量磁致伸缩共振片在4种已知黏度的液体(异丙醇、甲醇、乙醇和丙酮)中的共振频率,确定共振频率和液体黏度的计算公式,该计算公式的测量范围为0.306~1.96MPa·s。对纯水进行测量,测量所得黏度为1.008MPa·s与已知纯水的黏度1MPa·s仅相差0.8%。     

多孔材料中冲击波衰减特性的实验研究

通过脉冲网络法对不同初始孔隙度折多孔铁中冲击波速度的测量，结合多孔材料完全压实区冲击Ｈｕｇｏｎｉｏｔ方程，就初始孔隙度对冲击波在多孔铁中衰减特性的影响进行了研究。     

测量低频磁场充电法

文章推导了磁充电场解析式，并用其编程计算单一线导体、多线体组成的三维导电体模型，论述了三维模型磁充电场空间分布规律，并用于实测资料解释，证实了磁充电场正演计算的有效性     

以低纯度Gd为原料制备Gd5Si1.85Ge2.15合金的磁热效应

研究了以低纯度蒸馏Gd为原料制备的Gd₅Si_1.85Ge_2.15合金的磁性相变性质和磁热效应. 蒸馏Gd的杂质含量为O: 0.0160% (质量百分数); C: 0.0054% (质量百分数); N: 0.0016% (质量百分数), 低于普通商用Gd, 高于高纯Gd. 对Gd₅Si_1.85Ge_2.15合金的X射线衍射和交流磁化率测试表明, Gd₅Si_1.85Ge_2.15合金在253 K存在一级磁性相变; 从磁性相变附近的磁化曲线结果得到的最大磁熵变化为12.5 J/kg·K.     

GaN掺Cr材料的局域电子结构和磁性

运用原子团模型研究了稀磁半导体GaN掺Cr的局域电子结构和磁性, 计算采用基于密度泛函理论的离散变分方法. 计算结果表明Cr原子的磁矩随掺杂浓度有明显的变化, 变化趋势和实验结果吻合. 在包含两个Cr原子的体系中, Cr原子之间是铁磁性偶合, 每个Cr原子的磁矩与相同浓度下掺杂一个Cr原子的磁矩相近. 对于不同的掺杂浓度, Cr原子与最近邻N原子之间均为反铁磁偶合, Cr原子的3d电子与N原子的2p电子之间有很强的杂化, 这与晶体的能带计算方法得到的结果一致.     

人类脑对脑接口实验获成功

美国科学家研发出世界首个人-人大脑界面,并声称发现了心智操控的秘密。起先科学家们利用电脑将大脑产生的电信号翻译成命令,控制机械臂或者鼠标指针,而后杜克大学的科学家曾演示过两只老鼠之间的脑-脑通迅,哈佛大学的科学家曾演示人与老鼠之间的这种通讯。而今在研究过程中,华盛顿大学的拉杰什·拉奥利用脑电波记录和一种磁刺激向同事安德烈·斯托克传输脑信号,以便达到控制斯托克的手指在键盘上移动。斯托克表示:"互联网是连接电脑的一种方式,现在我们又用这种方式连接大脑。我们希望利用大脑的优势,直接在大脑与大脑之间进行通讯。"斯托克将这项技术形象地比作"瓦     

3.0T磁敏感加权成像在颅内胶质瘤中的应用价值

目的探讨3.0 T磁敏感加权成像在颅内胶质瘤诊断中的应用价值.方法经手术病理证实的20例高级别胶质瘤和12例低级别胶质瘤,均行MRI扫描和SWI,15例(10例高级别胶质瘤和5例低级别胶质瘤)于增强前后行SWI.将SWI与常规T1 FLAIR、T1 FLAIR增强图像作比较,并对SWI瘤内低信号形态及数量进行分级评分....     

钴铜镍铁氧体/碳纳米管复合物的制备及电磁性能

用溶液填充法制备了Co0.6Cu0.16Ni0.24Fe2O4铁氧体/碳纳米管（CCNF/MWNTs）复合物.通过现代测试技术表征了样品的结构、热稳定性、形貌和吸波性能.探讨了铁离子浓度、反应时间、煅烧温度等对其电-磁性能的影响.结果表明,复合物的电导率主要与其中MWNTs的含量有关;磁性与MWNTs中填充CCNF的量成正比.当[Fe3＋]=0.25mol/L,填充时间为18h,煅烧温度为350°C时,所制备的CCNF/MWNTs复合物具有最佳的介电损耗和磁损耗性能,且复合物在9.76GHz处的反射损耗极值为22.47dB,有效带宽大于2.0GHz.由此推测,CCNF/MWNTs复合物是一类具有较大潜在应用价值的电磁波吸收材料.     

日冕物质抛射的地磁扰动强度及渡越时间的预测方法

选取了1997.1~2002.9期间的80个CME-ICME事件, 结合太阳光球磁场的观测和CME爆发源的位置, 建立了一种用于研究CME传播及其地磁响应的坐标系—— 电流片磁坐标系CMC(current sheet magnetic coordinate). 在此基础上研究了CME爆发位置以及爆发时刻的日球电流片位形对CME引起的地磁扰动强度(以Dst指数为例)和CME渡越时间的影响, 初步结论是: (ⅰ) CME的地磁响应存在着关于电流片的同异侧效应, 即当地球和CME的爆发源处于电流片的同侧时, CME更易于传播到地球, 更易于引起较强的地磁暴, 相对而言, 异侧的CME事件较少到达地球, 它所引起的地磁暴也较弱. (ⅱ) 日球电流片到地球的角距离影响相应地磁扰动的强度, 电流片越靠近地球位置, 相应的地磁扰动越强烈. (ⅲ) CME爆发位置与附近电流片位形对CME到达近地空间的渡越时间也有影响. 根据这些结论, 提出了一种在CMC坐标系下基于CME的投影速度来预报地磁暴强度及CME渡越时间的经验模式, 并利用该方法对80个事件进行了预报试验. 结果表明, 对于Dst_min≤−50 nT的中等磁暴和强磁暴事件来说, 59%的事件其磁暴强度相对误差≤30%, 而全部事件的渡越时间平均绝对值误差都在10 h以下.