铁磁微晶尺寸与其矫顽力及磁化机制

用磁畴组态能量比较方法,导出外磁场场强为H时的铁磁微晶(即尺寸小于L_0的铁磁性单晶体;L_0为外磁场H为零时,单畴粒子尺寸的临界值)临界尺寸表达式,给出了与微晶尺寸L_s相关的矫顽强度H(L_s);并以SmCo_5材料为例,对H(L_s)做了定量估计。得出:在L_s小于L_0而大于L_c时,微晶也与尺寸大于L_0o的粒子类似,反磁化经历多畴过程;当L_s≤L_c时,反磁化才按Stoner-Wohlforth机制进行。认为用RECo_5材料制做具有_MH_C=2k/M_s的高级磁体是可能的。     

电流强度的相对论效应

本文讨论了关于电流方向习惯说法存在的问题,并从相对论的观点给以解释。     

铁磁质磁滞回线的动态测量

本文介绍了如何利用示波器观察和测量铁磁质的动态磁滞回线、剩磁、矫顽力等．并通过实验说明了铁磁质的磁化特性不仅与材料自身性质有关．还与磁化场的波形及频率有关．     

单摆实验的一种改进方法

通过一种模拟改变重力加速度 g大小的方法来测量单摆的振动周期 T,从而更全面的验证了单摆的振动周期公式 :T=2 π lg 的正确性。     

离子注入减小条形射线探测器表面漏电的研究

选择高阻N型〈10 0〉单晶硅材料 ,X射线探测器为PIN管结构 .为了减少器件表面缺陷对暗电流的影响 ,在器件P区的两侧使用离子注入形成浅层低浓度N区 ,以减小器件的暗电流 .通过对比实验发现 ,当N区的注量增大时 ,在相同反向偏压条件下 ,器件的暗电流密度随之减小 ,同时击穿电压也相应减小 .为了减小器件的工作电压并进一步减小工作时的暗电流密度 ,还将器件的背面进行厚度减薄、抛光和AuSb/Au合金形成欧姆接触 .对减薄后的器件进行I V特性测量 ,由于工作电压大幅降低 ,器件正常工作时的暗电流密度大幅度减小 .同时在实验中发现温度对暗电流的影响非常大 ,将器件温度降低到 - 15℃时 ,暗电流密度可降低到 1nA·mm- 2 以下 .     

Au—Si界面的室温反应

本文利用XPS研究了在超高真空条件下形成的Au—Si(113)界面初始阶段的室温反应,测量了Si2p、2S和Au4f光电子发射峰的强度和能量位置随Au复盖量的变化。所有的结果都表明,与Au—Si(111)和Au—Si(100)系统一样,存在一个发生界面室温反应的临界Au厚度～5ML,从而推断,这个现象可能是Au—Si界面形成过程的普遍特性。根据我们的实验结果,还讨论了Au—Si界面形成的可能模型。     

混凝土变截面箱梁桥顶板横向预应力工作宽度分析

以湖南某特大桥为研究背景,用ANSYS对预应力混凝土变截面箱梁顶板中心横向预应力的工作宽度进行理论分析,得出横向预应力在顶板的工作扩散角,为设计预应力混凝土连续箱梁桥顶板横向预应力提供参考,对预防顶板纵向裂缝具有指导意义.分析张拉横向预应力后产生的泊松效应,为箱梁顶板预应力的张拉施工提供建议.     

S＝1铁磁模型中阻挫和各向异性引起的量子相变

利用密度矩阵重整化群(density matrix renormalization group,DMRG)方法研究近邻作用为铁磁耦合、次近邻为反铁磁耦合的一维S=1的各向异性海森堡自旋模型.计算了该系统的基态能、z轴自旋关联函数和面内自旋关联函数.结果表明:各向异性值Δ和阻挫α的相互作用使得系统基态发生相变;在低阻挫区域,Δ>1时系统为铁磁相,0<Δ<1时基态处于自旋液体相;在阻挫较大的区域,自旋关联函数随距离的增大呈现指数函数形式衰减,且具有周期振荡特征,与自旋S=1/2的结果形成鲜明的对比.     

随机场的随机谐和函数表达

首先证明,采取随机谐和函数表述二维随机场,则当随机波数与相位服从独立均匀分布、幅值由随机波数和目标功率谱密度共同决定时,随机谐和函数的功率谱密度精确地等于目标功率谱密度.对这类随机谐和函数的平稳性和渐进正态性进行了讨论.进而,将二维随机场的随机谐和函数表达推广至多维,给出了统一表达式.最后,通过数值算例验证了采用随机谐和函数表述随机场的正确性.     

改进动态密度模型在扇区容量评估的应用

针对我国空域容量评估的迫切需求,明晰了扇区容量的概念与评估关键,在深入分析空域动态密度的基础上,对管制意图参量进行分析,建立起改进的动态密度评估模型,并给出基于该模型评估扇区容量的方法。最后,通过原模型与改进模型评估扇区容量结果的对比,验证了基于新模型评估扇区容量的有效性和实用性。