巨磁电阻的若干问题

本文综述了各向异性磁电阻(AMR)．巨磁电阻(GMR)，特大磁电阻效应(CMR)以及隧道磁电阻效应(TMR)的实验结果及理论模型     

水平电磁连铸电磁场及屏蔽效应的数值计算

本文给出了水平电磁连铸过程电磁场的数学模型。利用有限元法计算了其中的涡流场及电磁力场，并探讨了屏蔽板的导电性能和磁场频率对屏蔽效应的关系，为水平电磁连铸装置的设计提供了基础。     

Cd1—xMnxTe的巨大法拉第旋转效应

测量了半磁半导体Cd_(1x)Mn_xTe单晶的巨大法拉第旋转效应,并研究了Cd_(1-x)Mn_xTe法拉第旋转随组分x及温度的变化规律。局域的Mn~(2+)离子与导带类s电子及价带类P电子之间的自旋—自旋相互作用引起了Cd_(1-x)Mn_xTe中反常大的塞曼分裂,从而导致巨大法拉第效应的产生。激子跃迁在半磁半导体法拉第效应中起主导作用。     

热壁外延法生长Zn1—xMnxSe半磁半导体薄膜

作者用热壁外延方法在(100)GaAs衬底上生长Zn_(1-x)Mn_xSe拉半磁半导体薄膜,并用X射线衍射(XRD)、喇曼散射、俄歇电子能谱(AES)等技术对薄膜性能作了研究.实验结果表明已成功地生长出(100)Zn_(1-x)Mn_xSe单晶薄膜,其中x最大达到0.17.     

拉应力对磁畴壁运动及磁声发射行为的影响

本文观察了晶粒取向3%Si-Fe在外加拉应力和磁场作用下,磁畴壁的运动及声发射强度(MAE)变化的一些现象.当应力较小时,MAE(RN)随应力变化较复杂,在大应力下,MAE(RN)显著降低.在硅钢片中,磁畴结构随拉应力的变化特性与产生的MAE有良好的对应性.取向纵向硅钢片沿轧向磁化时,180°条状畴会随场强变化而在某位置附近左右转动.磁畴受拉应力时产生分裂,其分裂速度是不连续的.当σ>200MPa时,条状畴似乎又有一定程度的宽化.     

西安毛西磁异常的地质意义

本文阐述了应用地面磁测在西安东郊发现和圈定了毛西磁异常;根据异常区的地质和地球物理特征,作出了磁异常的定性和定量解释,推断它是中生代燕山期花岗岩侵入体的反映,顶部最小埋深约1500m;电测深结果支持了这个推断;重力勘探资料揭示了这个花岗岩侵入体处于灞桥断阶两组断裂带的交接部位;花岗岩作为热源及断裂带作为通道,使毛西磁异常是西安寻找地热田最有远景的地区。     

16Mn钢中残余应力的磁声发射效应

本文研究了16Mn钢磁声发射(MAE)行为随应力的变化规律,制定了利用磁声发射测定应力的一些参数.根据应力与磁声发射参量的一些关系和规律,提出了磁声发射幅值受外加应力影响的表达式,为检测铁磁材料残余应力提供了基础依据.最后测定了焊接板的残余应力.     

具有单轴及立方各向异性的La,Ga:YIG单晶薄膜的静磁模

本文研究了具有单轴及立方各向异性介质中的静磁波,发现了体模式与表面模式的临界角变化及K_x=0时体模式的分裂.结果由La,Ga;YIG单晶薄膜的铁磁共振波谱得到实验验证.     

冷轧无取向硅钢片的磁性

研究了冷轧无取向硅钢片晶粒尺寸及其均匀性对铁损的影响,统计出不同温度氢气热处理和真空热处理后各种晶粒尺寸所占百分比。实验证明:晶粒平均尺寸接近临界值时,铁损最低。用腐蚀坑法和Bitter粉纹图法结合起来,研究了冷轧无取向硅钢片晶粒不同晶面在轧面上呈现的磁畴形貌及该畴对应的蚀坑,计算出了易磁化畴和复杂畴所占的百分比,阐述了它们对磁性的重要影响。