带浮筏装置的船舶结构水下声辐射计算及分析

针对带浮筏隔振装置的机舱段,从声辐射的指向性、声辐射功率以及场点辐射声压、声强的角度出发,采用有限元和边界元相结合的方法,计算分析了船舶结构在水中航行时,由船舶辅机的振动引起的船舶壳体的辐射噪声特性,并考虑流体与船舶结构的流固耦合问题,计算结果表明,船舶结构的振动辐射噪声有着很强的指向性,频率越高,指向性越强,辐射声压随着传播距离的增加而迅速下降,下降的梯度与激振频率、场点的远近有关.     

SmCo(Al,Si)/Cr硬磁薄膜的结构与性能

在优化后的磁控溅射和退火条件下 ,制备SmCo(Al,Si) /Cr硬盘磁记录介质及硬磁薄膜 .实验结果表明 ,Sm摩尔分数为 31.6 % ,Cr缓冲层为 6 6nm ,Sm(Co ,Al,Si) 5磁性层为 30nm时 ,制得的Sm(Co ,Al,Si) 5/Cr薄膜的矫顽力Hc 为 187.8kA/m ,剩磁比S =Mr/Ms≈ 0 .94;在 5 0 0℃保温 2 5min退火后 ,矫顽力Hc 达10 42 .5kA/m ,剩磁比S≈ 0 .92 ,从而制成了较理想的硬磁薄膜     

类钙钛矿锰氧化物磁卡效应的研究

介绍了前一时期人们对不同材料磁卡效应研究的成果，重点讨论了类钙钛矿材料的磁卡效应，并将我们目前得到的实验结果进行了总结．结果表明，合适的掺杂、适当的成份改变及适当的工艺过程可使类钙钛矿材料在适中的磁场下获得一个较大的、稳定的磁熵变，其性能优于以前所报道的材料，是目前较为理想的磁致冷工质．     

高二次电子发射系数材料砷化镓的理论设计

根据通常负电子亲和势二次电子发射材料砷化镓的能级特点,提出延长负电子亲和势二次电子发射材料砷化镓的逸出深度的理论设计,设计出了特殊的负电子亲和势二次电子发射材料砷化镓.通过对两种负电子亲和势二次电子发射材料的二次电子发射系数的理论值进行比较和分析,得出:当原电子入射能量较低时,两种材料的二次电子发射系数差值较小;当原电子入射能量较高时,两种材料的二次电子发射系数差值较大,而且随着原电子入射能量的升高,两种材料的二次电子发射系数差值也在增大.     

神奇的“脑控”技术

正一个人通过脑电波对另一人的大脑进行"控制",这听起来像是科幻小说中的情节。然而,近日美国科学家首次成功进行了一次人脑"意识融合"试验,让科幻成为现实。位于美国西雅图的华盛顿大学计算机科学和工程教授罗杰西·拉奥日前在该校进行了一次试验。拉奥坐在学校的实验室里,头部通过电极与一台脑电图描记器相连。此时,在校园另一侧,拉奥的同事安德里亚·斯托克头戴一顶装有经颅磁刺激线圈的紫色游泳帽,线圈正好对准控制他右手活动的头部左运动皮层。拉奥注视着电脑屏幕,想象自己正在操纵一个电子游戏,并在游戏中用右手发射火炮,此时他的手并没有动。脑电图描记     

螺旋碳纤维化学镀镍及其电磁参数研究

采用化学镀法,以联氨作为还原剂,在螺旋碳纤维表面沉积金属镍,获得一种新的复合功能材料。通过SEM和EDX能谱分析,碳纤维基体上包覆了一层致密均匀而且连续的纯金属镍层,没有引入其它杂质元素。通过对样品在2~18 GHz范围内的电磁参数进行分析讨论,可知表面金属化一定程度上提高了样品的介电损耗,尤其在10~18 GHz有较大增幅,最大达到了35.2左右,表面金属化对样品的电阻率产生了不可忽略的影响,并且在低频处复合材料的电磁损耗都较纯基体材料有较大提高。     

汽车风洞非均匀声场偏移导致纯音幅值变化

从非均匀声场偏移角度研究汽车风洞流场外测量得到纯音信号声幅值伴随风速大幅变化的机理。以汽车表面可控声源为试验研究对象进行风洞试验,通过传声器获得不同风速下纯音声压级波动幅度,并使用传声器阵列观察到声场的非均匀分布。基于点声源干涉理论模拟重构了非均匀声场,参数化分析了各个反射壁面影响。根据几何声学理论推导剪切层折射产生的声场偏移,较为准确地预测了不同试验风速下纯音幅值变化的趋势。结果证明干涉产生非均匀声场经剪切层折射后偏移是风洞纯音幅值波动的根本原因,使用该声场重构方法能有效减小误差。     

包含分数荷色单态和低质量磁单极的SO(16)GUT模型

本文提出并详细讨论了几个包含分数荷色单态和低质量磁单极的SO(16)GUT模型。前两个模型分别包含±e/3、±e/2的分数荷色单态,第三个模型含有低质量磁单极。文中还计算并讨论了sin~2θ_w的重正化问题。     

水中刚性柱在高斯声场中的声辐射力特性

以声波理论为基础,在圆柱的中心点将高斯声波用柱函数展开,计算入射高斯声波的展开系数,求解在高斯声场中柱形粒子所受声辐射力的表达式.通过数值仿真研究了频率、波束宽度、柱形粒子偏离高斯波束中心的距离等参数对声辐射力的影响.仿真结果表明:在ka1的情况下,当柱形粒子沿x轴的正方向偏离波束中心时,所受的声辐射力为负值,当柱形粒子沿x轴的负方向偏离波束中心时,所受的声辐射力为正值;ka1时,粒子所受的声辐射力随着粒子位置偏离波束中心距离的增大逐渐减小,且辐射力的方向均沿x轴的正方向;随着波束宽度的增大,声辐射力的值增大,当波束宽度相对波长较大(W0=10λ)时,高斯波束声辐射力的大小接近于平面波声场的声辐射力.     

利用PVDF设计两维简支结构声辐射模态传感器

PVDF(polyvinylidenefluoride聚偏氟乙烯 )是一种新型的压电高分子材料 ,它不仅密度低 ,而且具有较强的压电性 ,机械性、可塑性好等特点 用特定形状的PVDF薄膜作为误差传感器 ,将它贴在结构体表面上时 ,对系统产生很小的影响 笔者在声辐射模态理论以及两维分布式压电传感器方程的基础上 ,利用PVDF独特的积分特性 ,以简支矩形板为例 ,设计了PVDF压电薄膜传感器用于测量简支板第一、二阶声辐射模态伴随系数 并在理论上进行数值分析比较可知 ,这种特定形状的PVDF薄膜作为误差传感器是可行的