锑在硼砂溶液中阳极极化膜半导体性质的研究（续）

本工作利用白光电流和交流阻抗法研究了锑在０．０５ｎ１Ｏｌ·ｄｍ￣（－３）Ｎａ＿２Ｂ＿４Ｏ＿７＋、０．５ｍｏｌ·ｄｍ“Ｎａ２Ｓｏ４溶液中（ＰＨ一９．ｌ，３０Ｃ）于１．２ｖ（ｖＳ。ＳＣＥ）阳极形成膜的半导体性质。实验结果表明，该阳极膜是一种ｎ型半导体，其平带电位为一０．３６Ｖ，施主密度为２．８×ｌ０￣１８ｃｍ￣（－３）。讨论了锑增加对在硫酚溶液中形成的阳极ｐｂ（Ⅱ）氧化物膜生长的影响。     

线性散度型椭圆组的L＿M理论

本文建立了线性散度型椭圆一Ｌ＿Ｍ理论。     

λ=4与5时严格单纯Mendelsohn三元系的存在性

本文证明了λ＝４、５时严格单纯的Ｍｅｎｄｅｌｓｏｈｎ三元系存在的必要条件同时也是充分的。     

Bi_2DyFe_5O_（12－x）薄膜的磁性及MOSSBAUER研究

利用Ｘ－射线衍射，磁性测量及测量等手段研究了溅射态氧化物薄膜Ｂｉ＿２ＤｙＦｅ＿５Ｏ＿（１２－ｘ）的结构，磁性及晶化过程，得到了一些新的结果。     

LTCC电路基板大面积接地钎焊工艺设计

提出了一种提高LTCC电路基板大面积接地钎焊的钎着率及可靠性的钎焊工艺设计．在LTCC电路基板接地面设置（Ni＋M）复合金属膜层，根据试验测试比较，其耐焊性（〉600s）明显优于常规金属化接地层（常规要求〉50s）；在LTCC电路基板的接地面的一端预置“凸点”，通过X射线扫描图对比分析，增加“凸点”的设计提高了大面积接地钎焊的钎着率．研究表明：新的钎焊工艺设计保证了LTCC电路基板大面积接地的钎焊可靠性和一致性．     

溅射时间对γ′-Fe4N薄膜的磁性影响

采用直流磁控溅射方法,以Ar/N2作为放电气体（N2/（Ar＋N2）=10%）,在玻璃衬底上于不同溅射时间获得了γ′-Fe4N单相薄膜。利用X射线衍射（XRD）和超导量子干涉仪（SQUID）研究了溅射时间对薄膜的生长及磁性性能的影响。结果表明薄膜样品明显沿γ′-Fe4N（111）晶面择优取向进行生长,其（111）晶面平行于样品的膜面。随溅射时间的增加,薄膜样品的晶粒尺寸没有明显的变化,薄膜厚度和矫顽力随溅射时间的增加而显著增大。     

VxWorks系统上基于M总线控制系统的设计与实现

研究基于VxWorks嵌入式实时系统下M总线控制系统的软件设计思想和实现方法.该系统需要设置两个各自独立运行的实时任务,以达到对外部设备进行控制的功能.第1个任务负责收集命令和通过传感器采集到的数据,并设定命令优先级;第2个任务负责解释执行,并发送命令执行后的响应,两个任务之间通过命令缓存链表进行通信.此设计思想简单、高效,可以被广泛应用在与M总线相关的其他控制系统中.     

软件安全性3M评价中评价因子修正的研究

安全性苛求系统需要防范意外事件造成对人体，环境或大宗财产的损害，为此，对软件需要进行严格的安全性测试，并对软件防范意外事件的能力进行评价，然而，完全依靠试验统计或事故累积数据进行安全性评价。会由于测试开销过大或等待累积时间过长影响评价的准确性和及时性，需要利用软件开发过程中涉及的诸多要素和在各个阶段来自多个方面所提供的信息参与安全性评价，但是，在这些信息中包含了某些主观的成分有待验证，在多元，多模型，多阶段（3M）安全性软件评价方法的框架中，有可能利用后续测试得到的信息不断对评价因子进行修正，提高评价的准确性，讨论了后续测试对3M模型中的复杂性，技术支持和开发水平因子的修正方法，着重论述对开 水平因子的修正，提出了后续测试信息和先期测试信息进行比较和处理的过程和一些规则。     

新型介孔材料M41S的合成机理及影响产物结构的因素

综述了新型介孔材料M41S合成机理的研究进，硅酸盐物种以液晶或胶束作模板剂形成介孔结构，可用液晶模板机理解释；硅酸盐物种与表面活性剂离子在较低浓度下形成六方堆积的介孔结构，可用协同模板机理解释。水热反应混合物组成、表面活性剂与硅酸盐摩尔比和酸碱性等对介孔产物的结构有很大影响。另外，讨论了影响孔径和稳定性的因素。     

加速参考系中速度和力的变换

利用狭义相对论方法和MΦller变换得到了加速参考系和惯性参考系之间速度和力的变换关系。