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21.
研究了热压烧结的Ti3AlC2 (含有2.8%(质量分数)的TiC)在900~1300℃空气中的恒温氧化行为. 结果表明, 该材料具有良好的抗高温氧化性能, 其氧化行为遵循抛物线规律. 随着温度升高, 氧化抛物线速率常数kp从900℃的1.39×10-10增大到1300℃的5.56 × 10-9 kg2·m-4·s-1, 计算得到的氧化活化能为136.45 kJ/mol. 在900~1100℃时, 氧化产物为α-Al2O3和TiO2; 当温度达到1200℃时, TiO2开始部分地转变为Al2TiO5; 氧化温度升高到1300℃, Ti在氧化层中完全以Al2TiO5的形式存在. 氧化过程由Al3+和Ti4+的向外扩散和O2-的向内扩散控制. Al3+和Ti4+的快速向外扩散在基体与氧化层界面处导致大量的缺陷的形成. 相似文献
22.
氧化铝/碳化钛复合材料的无压烧结 总被引:4,自引:0,他引:4
以γ-Al2O3活性碳,刚玉砂和石墨粉为埋粉,在由液NH3分解产生的N2和H2气氛中,采用无压烧结方法制备了氧化铝/碳化钛复合材料,研究了埋粉成分,升温速度等烧结性能的影响,实验结果表明,无压烧结产品的显微结构和机械性能上与热压产品比较没有明显的差异。 相似文献
23.
燃烧合成的非化学计量碳化钛基金属陶瓷由非化学计量碳化钛和α-Ti相组成.等温处理促进碳化物中过饱和固溶的钛析出,金属陶瓷中α-Ti相的量增多.较高温度(800℃)等温处理使金属陶瓷中非化学计量碳化钛发生了无序—有序转变.等温处理后金属陶瓷抗弯强度增加而硬度有所降低. 相似文献
24.
研究了基片温度对Cu-TiC复合薄膜的影响。Cu-TiC复合薄膜采用多靶磁控溅射仪制备。测定了薄膜的显微硬度及电阻率,并利用XRD,SEM,EDAX和TEM研究了薄膜结构。结果表明,随基片温度的提高,Cu-TiC复合薄膜中TiC含量增加,Cu和TiC的晶化逐步完善。 相似文献
25.
TiC-C复合粉体的制备及其对低碳镁碳砖抗氧化性能的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
以锐钛矿、金属钛(Ti)和炭黑为原料,合成了TiC—C复合粉体,研究该复合粉体的氧化特性及其对低碳镁碳砖抗氧化性能的影响。研究结果表明,在真空条件下可合成出纯度较高的TiC-C复合粉体,其粒径小于0.5μm。TiC-C复合粉体的差热分析表明,这种复合粉体对碳的氧化有一定的保护作用。在低碳镁碳砖中加入wTiC为0.2%~0.4%之间的TiC-C复合粉体后,砖的抗氧化性能明显改善。 相似文献
26.
27.
采用热压工艺制备高纯致密Ti3SiC2材料 总被引:1,自引:0,他引:1
原料摩尔配比为n(TiC)∶n(Ti)∶n(Si)∶n(Al) =2∶1∶1∶0 .2的起始混合粉料在 130 0~ 14 0 0℃和 30MPa压力下热压 2h制得高纯致密Ti3 SiC2 块体材料 .添加适量铝作助剂显著加快Ti3 SiC2 的反应合成 ,并使Ti3 SiC2 在 12 0 0℃下大量生成 ,能谱仪分析表明Al在材料中均匀分布 .所得Ti3 SiC2 颗粒为板状结晶形貌 ,平面内尺寸大小为 3~ 8μm . 相似文献
28.
以Ti2AlC为前驱体、LiF-HCl的水溶液为刻蚀液、KMnO4为氧化剂和锰源,采用溶液-沉积法制备了δ-MnO2/Ti2CTx复合电极材料.分别采用X-射线衍射仪、扫描电子显微镜、拉曼光谱等方法对试样进行了表征; 以镍网为对电极、银/氯化银为参比电极、2 mol·L-1 KOH溶液为电解质溶液,在3电极体系中采用循环伏安、恒流充放电和交流阻抗等电化学方法研究了复合材料的电化学性质.结果表明:当δ-MnO2/Ti2CTx复合电极材料在电流密度为1 A·g-1时,复合材料的比电容高达227 F·g-1.δ-MnO2/Ti2CTx是一种性能良好的电化学电极材料,具有潜在的应用前景. 相似文献
29.
二维过渡金属碳/氮化合物基(MXene)催化剂对于水解产氢反应具有优异的催化活性.以二维过渡金属碳化钛(Ti3C2Tx MXene)材料为载体,采用原位还原法,制备了超高分散度的二维Ti3C2Tx MXene材料担载的金属铑(Rh)催化剂(Rh/Ti3C2Tx MXene).利用单层二维Ti3C2Tx MXene材料高度暴露的表面,实现了Rh亚纳米团簇的高度分散.在常压的温和条件下,将制得的Rh/Ti3C2Tx MXene催化剂用于氨硼烷的常温分解.在35℃,0.1 MPa的条件下,氨硼烷可以在3 min内完全实现氢气(H2)的释放.催化剂的结构表征证明:Rh亚纳米团簇的平均尺寸约为0.66 nm.构效关系研究表明:二维Ti3C2Tx MXene载体表面高度暴露的碳钛键(C-Ti)结构可以起到锚定和高度分散Rh亚纳米团簇的作用. 相似文献
30.