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32.
用热丝法研究了WC-6%Co硬质合金刀片金刚石薄膜涂层附着力。结果表明:采用温度为80℃,(HCl:HNO3:H2O)(体积比)为1∶1∶1溶液对硬质合金刀片表面去Co15min后,经40um金刚石粉及1.5um金刚石加20umTaC混合粉进行超声预处理,结果表明,沉积的金刚石薄膜与硬质合金刀片基底具有良好的附着力,而经40um金刚石粉处理的薄膜涂层组织与附着力要好一些。 相似文献
33.
阐述了一种处延沉积化合物半导体的新方法-电化学原子层外延(ECALE)并对其基础欠电势沉积(UPD)进行了讨论,着重研究了Ⅱ,Ⅳ族元素Cd,Te的电化学欠电势沉积,根据电化学循环伏安曲线,研究了Te和Cd在Si-Au(111)基片上以及交替生长过程中UPD沉积电位及相应覆盖度值,由此确定了在Si-Au(111)衬底上交替沉积Te,Cd原子层的方法,在此基础上,初步进行了多次交替沉积,并用AFM与A 相似文献
34.
碳化硅水基浆料体系的流变性能的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
通过碳化硅水悬浮液的Zeta电位的测量及不同实验条件下浆料粘度的测定,研究了浆料pH值,固相含量,转速及添加剂对碳化硅水基浆料稳定性及流变性能的影响,结果表明,碳化硅浆料的粘度随着固相含量增加,Zeta电位绝对值减小而增大,添加剂Al(OH)3溶胶可以改善SiC浆料的流变性能。 相似文献
35.
研究了Ti(CN)薄膜内氧的作用,研究结果表明,Ti(CN)薄膜内加入氧后可以消除薄膜的柱状晶结构,薄膜的断面呈致密的纤维状组织。随着反应气体中空气或CO2气体流量的增加,Ti(CNO)薄膜的硬度呈上升趋势,并在空气的流量为40mL.min^-1或CO2的流量为15mL.min^-1时,薄膜的硬度达到最大值。 相似文献
36.
系统地给出了C60在固态薄膜及不同有机溶液形态下的常规吸收光谱和三同商吸收光谱,确定了各相关光学跃迁能量,并通过对可见区电子--振动光谱结构的指认分析,给出了有机溶液形态下C60的能隙,基于Maxwell-Garnett有效介质模型理论,由不同有机溶剂形态下C60电子态能级结构参数外推获得了C60孤立分子的本征电子态能级结构参数,从而为详细了解和研究C60分子不同形态下电子态结构的变化提供了较完整 相似文献
37.
多晶3C-SiC薄层的淀积生长及结构性能分析 总被引:1,自引:0,他引:1
采用HFCVD生长法,以较低生长温度,在Si(111)衬底上淀积3C-SiC(111)薄层。用XRD、VASE、XPS等分析手段研究了薄层的结构、光学常数、组分及化学键等性能。XRD显示薄层具有明显的择优取向特征。VASE测量出薄层的折射率为2.686,光学常数随深度的变化曲线反映出薄层的多层结构。XPS深度剖面曲线表明薄层中Si/C原子比符合SiC的理想化学计量比,其能谱证明C1s与Si2p成键形成具有闪锌矿结构的3C-SiC。 相似文献
38.
理论分析了磁光薄膜垂直不均匀静磁场对静磁波以及导波光衍射效率的影响,并以抛物线分布的不均匀磁场为例对Bi:YIG薄膜波导进行了计算,计算表明,在适当分布的不均匀场作用下,与均匀磁场情形相比,波导中传播的静磁波振幅以及导波光的衍射效率都有显著增加。 相似文献
39.
利用射频(RF)磁控共溅射技术,以光学石英玻璃为基片,在不同基片温度下制备了系列GaAs/SiO2半导体纳米颗粒镶嵌薄膜样品,采用岛津光谱仪,对薄膜在200至2000nm波段范围内透射光谱进行了测量。结果表明,与GaAs夫体材料相比,薄膜样品吸收边发生明显的蓝移;且随着基片温度的降低,蓝移量增大,而当基片温度达到300℃时,光谱中出现了明显的吸收峰,量子限域效应是导致结果的主要原因。 相似文献
40.
本文研究了碳化硅(SiC)作为保护渣熔速调节剂的特性及作用机理,研究表明,以SiC替代炭质材料可大大降低保护渣对超低碳钢连铸坯的增碳和渗碳量。 相似文献