Ⅱ-Ⅵ族三元合金半导体ZnS_(1-x)Te_x薄膜的俄歇电子能谱化学位移实验研究

对分子束外延（ＭＢＥ）生长的Ⅱ－Ⅵ族三元合金半导体碲硫锌ＺｎＳ１－ｘＴｅｘ（０≤ｘ≤１）单晶薄膜的特征俄歇电子能谱进行实验研究，发现其中各元素俄歇峰的化学位移随ｘ的增大而非线性减小的变化规律。     

稀释剂对N503萃碲影响

研究了稀释剂对Ｎ，Ｎ′－二（１－甲基庚基）乙酰胺（简称Ｎ５０３）萃碲影响，将稀释剂分类，用溶剂极性经验参数ＥＴ可很好地解释实验结果，从而有效地指导稀释剂的选择。     

鼠棒杆菌的增菌培养基

本文以营养肉汤为基础，以溶解血液为辅助营养物，以亚碲酸钾为抑菌物 亚碲酸钾增菌培养基用于鼠棒杆菌的增菌培养基，对亚碲酸钾浓度、增菌效果和抑菌能力作了实验观察，结果表明，０．６％的亚碲酸钾为抑菌物制备的亚碲酸钾增菌培养基具有增菌效果好，抑菌能力强的特点，可用于鼠棒杆菌的增菌培养基。     

CdTe薄膜的微观结构分析

应用真空蒸发技术制备CdTe薄膜,并借助于扫描电子显微镜（SEM）、扫描俄歇谱仪（AES）和X射线衍射仪（XRD）对其微观结构进行分析。主要研究了不同工艺条件、不同原子配比、以及不同掺杂浓度下制得的CdTe薄膜的结构、物相,研究结果表明：以Cd:Te=0.9:1原子配比制得的CdTe薄膜具有最佳的结晶度和组分计量比;掺杂会使CdTe薄膜的结构、物相有所改变。     

OH-根对掺铒碲酸盐玻璃光谱性质的影响

制备了5种浓度下系列不同OH^−根含量的掺铒碲酸盐玻璃样品, 测试了样品的红外吸收光谱, 分析了在不同通氧除水时间下玻璃的红外吸收系数变化情况. 测试了样品的吸收光谱, 利用Judd-Ofelt理论计算了不同铒掺杂浓度和OH^−根含量样品的光谱参量Ω _i (i = 2, 4, 6). 根据McCumber理论计算了铒离子在1532 nm处的吸收截面和Er³⁺:⁴I_13/2®⁴I _15/2跃迁峰值发射截面. 测试了样品中 Er³⁺: ⁴I_13/2®⁴I_15/2跃迁对应的荧光光谱和⁴I_13/2能级荧光寿命, 讨论了OH^−根对不同铒掺杂浓度下碲酸盐玻璃光谱性质的影响. 研究结果表明, OH^−根仅对荧光寿命和荧光峰值强度存在影响, 在Er₂O₃浓度小于1.0 mol%时, OH^−根是发生荧光猝灭的主要影响因素, 而高于这一浓度后Er³⁺离子本身的能量转移对荧光猝灭起主要作用. 而OH^−根对其他光谱性质(荧光半高宽、吸收光谱、受激发射截面等)基本没有影响.     

碲对镍铬合金耐磨损性能的影响

在镍铬合金粉末中加入微量碲元素,通过球磨机械搅拌混合后,采用氧乙炔非真空烧结工艺制备试样,用HBRV-187.5布洛维硬度仪、MMW-1立式万能摩擦磨损试验机和扫描电镜检测合金的洛氏硬度、耐磨损性能、磨损形貌和摩擦系数等性能.试验表明:合金在无润滑干摩擦条件下,碲的质量分数为0.8%～1.0%时,具有最高的洛氏硬度、最少的磨损失重量、最少的磨损脱落,很浅的沟槽及很稳定的摩擦系数曲线.由于微量碲元素的加入,合金生成新的相,起到提高合金硬度和稳定合金磨损性能的作用.     

用碲ylide合成双环氧,双烯酮和双烯类化合物

用不同活性的碲盐，在５０％Ｋ２ＣＯ３水溶液和二氯甲烷溶剂组成的两相体系中与对苯二甲醛反应，分别得到双环氧、双烯酮和双烯类化合物。     

碲抑制铝硅合金针孔作用的研究

本文通过测定ZL102合金液经碲变质后的表面张力和含氢量,以及浇注针孔试样等方法,对碲抑制铝硅合金针孔的作用进行了研究。研究结果表明:碲对铝硅合金液有很强的脱氢作用;碲变质后铝液表面张力的减小,有利于脱氢产物的逸出;作常规脱气处理后再实施碲变质工艺的铝液,虽经长期保温,仍然能浇注出针孔度很低的铸件。经碲变质处理的铝硅合金是制造高气密性铸件的理想材料。     

单晶体材料WTe2的Raman光谱

利用波长为532 nm的激光分别沿单晶体材料WTe₂的b轴和c轴进行激发获得相应的Raman光谱, 结合第一性原理计算, 对两种激发条件下单晶体材料WTe₂的Raman光谱进行研究, 并根据单晶体材料WTe₂的偏振Raman光谱及理论计算结果, 分别对测量获得单晶体材料WTe₂的Raman光谱进行归属. 实验结果表明, 沿单晶体材料WTe₂的b轴比c轴激发获得的Raman光谱变化明显.