缩合型硅橡胶与金属的粘接研究

在以南大α系列硅烷偶联剂为基础的交联增粘体系中,引入某些γ系列硅烷偶联剂及增粘助剂,制成单组分室温硫化型粘合剂,并测定了其与铝、铜及不锈钢的粘接性能关系.研究表明:在既定的体系中加入KH-550、KH-792、WD-30以及KH-550与KH570的反应物可有效提高粘合剂对铝合金、黄铜及不锈钢的内聚破坏率,而且KH-550、KH-792还有助于改善粘合剂的贮存稳定性.     

GaAs（100）面上气相淀积生长GaS钝化膜

用加热分解α－Ｇ２Ｓ３的方法在ＧａＡｓ（１００）表面上气相沉积了准单晶的ＧａＳ钝化膜。俄歇电子能谱深度分布测量表明,长成的膜与衬底间界面清晰。用紫外光电子能谱和低能电子能量损失谱结合的方法得到了完整的ＧａＳ／ＧａＡｓ异质结能带结构图,即价带偏移１．５ｅＶ,导带偏移０．３ｅＶ,界面附近存在０．４ｅＶ的能带弯曲。气相淀积方法简单实用,有希望发展成为ＧａＡｓ器件制作的有用工艺。     

Bi系高温超导带材冷压工艺优化试验

采用套管法（ＰＥＴ）制备Ｂｉ系高温超导带材,进行了冷压工艺的优化研究。试验结果表明,Ｂｉ系带材所能承受的压力有一个限值,若超过这个限值后,密度虽可提高,但晶粒破碎严重Ｊｃ值反而降低,带材优化的冷压工艺参数是８３８℃／６０ｈ＋冷压＋８３８℃／６０ｈ。第１次压力为２ＧＰａ,第２次２．５ＧＰａ;冷压压下速率为１．５×１０＾－４ｍｍ／ｓ。同时研究还表明冷压的主要作用是提高带材的致密度和晶粒取向度,最终改善     

Bi4Ti3O12铁电薄膜溶胶—凝胶法制备过程中Bi—Ti溶胶的匀胶规律研究

介绍了Ｓｏｌｇｅｌ法制备Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜的工艺过程,研究了ＢｉＴｉ溶胶在Ｓｉ基片上的匀胶规律;用ＴＧＤＴＡ和ＴＥＭ技术研究了ＢｉＴｉ干凝胶的形态,并成功地在Ｐｔ／Ｔｉ／Ｓｉ基片上制备了ｃ轴取向的Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜．     

神经网络在橡胶硫化温度预测中的应用

本文针对难以通过在线测温实现等效硫化控制的情况,在确定硫化条件的直接测温实验基础上,提出了用神经网络模型预测实际生产过程中硫化制品内部温度的方法．在该方法中将所测温度值作为样本提供给神经网络学习,温度采集时刻及易测外部温度作为网络输入,输出值则是在硫化时制品难测温点处不同时刻的内温．神经网络通过学习取得了良好的效果,网络输出的温度值将成为等效硫化计算和硫化质量智能控制的有价值的依据．     

掺锰改性(Bi_(0.5)Na_(0.5))_(0.94)(Ba_(0.5)Sr_(0.5))_(0.06)TiO_3压电陶瓷的性能和微结构

采用传统陶瓷生产工艺制备了新型(Bi0.5Na0.5)0.94(Ba0.5Sr0.5)0.06Ti O3 x(wt%)MnO2体系无铅压电陶瓷,研究了陶瓷的晶相结构、表面形貌、压电和介电性能.结果表明,该体系具有单一的钙钛矿结构;具有良好的压电性能,其压电常数d33为101pC/N,机电耦合系数kp为0.21,机械品质因素Qm为192,且具有较低的介质损耗(tanδ=0.0217).在1200℃,2h的烧结条件下,能够获得致密的陶瓷体;MnO2的添加量对晶粒生长具有一定的限制作用,随着Mn元素的含量增加,晶粒尺寸变大;与不添加Mn元素的陶瓷样品相比,添加少量Mn元素可以使晶粒尺寸变小,且更均匀.     

铋层状结构压电材料的掺杂改性研究

作者以CaBi4Ti4O15为研究对象,通过对A位选择Nd3 部分替代Bi3 或者Ca2 ,以及用V5 和W6 取代部分B位的Ti4 的掺杂改性,研究了不同掺杂元素及掺杂位置对材料结构和性能的影响.结果表明,A位和B位均能通过提高剩余极化和降低矫顽场,来改善陶瓷的压电性能;A位比B位有更高的掺杂固溶量,可获得更好的铁电和压电性能,剩余极化2Pr高达20.4μC/cm,压电常数d33高达20pC/N.     

Bi含量对SrBi4Ti4O15铁电材料性能的影响

~~Bi含量对SrBi_4Ti_4O_(15)铁电材料性能的影响@朱骏$扬州大学物理科学与技术学院!江苏扬州,225002 @毛翔宇$扬州大学物理科学与技术学院!江苏扬州,225002 @卢网平$扬州大学物理科学与技术学院!江苏扬州,225002 @惠荣$扬州大学物理科学与技术学院!江苏扬州,225002 @陆文峰$扬州大学物理科学与技术学院!江苏扬州,225002 @陈小兵$扬州大学物理科学与技术学院!江苏扬州,225002~~~~~~~~     

配合物[Bi(SCN2H4)5(NO3)](NO3)2H2O的合成和晶体结构

[Bi(SCN2H4)5(NO3)](NO3)2H2O是在水溶液中由硫脲与硝酸铋(Ⅲ)以摩尔比5:1反应合成.晶体结构由单晶X-射线衍射分析测定,晶体属于三斜晶系,P-1空间群,晶胞参数a=9.284(1)nm,b=9.783(1)nm,c=13.995(2)nm;α=80.7 02(2)°,β=84.092(2)°,γ=86.334(2)°.Z=2,V=1.2463(3)nm3,R1=0.050,wR2=0.104.在[Bi(SCN2H4)5(NO3)](NO3)2 H2O中铋原子被五个硫脲分子中的硫原子及硝酸根离子中的两个氧原子包围形成一个歪曲的单帽三棱柱结构.