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821.
822.
M/Ti-MCM-41光催化剂的制备及产氢性能研究 总被引:4,自引:0,他引:4
以正硅酸四乙酯为硅源,钛酸四丁酯为钛源,溴代十六烷基吡啶为模板剂,合成了具有中孔结构的Ti—MCM-41,并对其进行了第4周期过渡金属氧化物的负载.紫外可见漫反射光谱(UV-Vis)表明,负载金属氧化物后得到的M/Ti—MCM-41的吸收光谱较Ti—MCM-41发生了明显的红移.产氢实验结果表明,在300W高压汞灯照射下,M/Ti—MCM-41的产氢活性较Ti—MCM-41有明显的提高,前者的产氢速率最高可达后者的5.78倍. 相似文献
823.
酒色着色菌Chromatium vinosum膜结合态氢酶基因hupSL的克隆及分析 总被引:2,自引:0,他引:2
光合细菌酒色着色菌(Chromatiumvinosum)含有Hup膜结合态氢酶.根据同科的桃红荚硫菌(Thiocapsaroseopersicina)Hup氢酶同源序列,在结构基因小亚基hups和hupC的保守框上设计1对简并引物:Ps:5’CCGACCAC(C/G)TACAACGCCTG3’和Pc:5’CG(G/C)GACATGATGTC(T/C)TCGCG3’.通过PCR扩增获得2.6kb的扩增片段,克隆后进行序列分析.结果表明,该片段包含部分的小亚基hupS序列、大亚基hupL的全序列及hupC部分序列.从已知的hupS序列选取适当位点合成引物AS2:5’CTACGACCATGTCACCGACA3’,并利用接头寡核苷酸序列P6:5’CCTTGTGAAATTGTTATCCGCT3’,通过PCR扩增获得1.2kb的扩增片段,克隆后进行序列分析.结果表明,该片段包含完整的膜结合态氢酶的小亚基基因hupS. 相似文献
824.
研究了一种低熔点玻璃熔剂——JDN-Ⅱ熔剂.试验结果表明,JDN-Ⅱ熔剂特别适用于高温A356合金熔体的覆盖保护和净化.当JDN—Ⅱ熔剂的加入量ω=0.03时,对A356合金有着覆盖保护和净化的明显效果:当熔体温度t=857℃时,铝熔体的氢含量C仅为2.6μL/g;当t=-750μ时,C降至0.7μL/g.文中还考察了该种玻璃熔剂的净化作用机制. 相似文献
825.
用相空间分析方法研究了近金属表面氢里德堡原子的动力学性质.从Poincar啨截面看出,其动力学行为敏感地依赖于原子与金属表面间的距离d,随着d值的增减,系统的可积性会发生巨大改变. 相似文献
826.
JDN-II熔剂对A 356合金熔体的净化作用与机制 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了一种低熔点玻璃熔剂——JDN-II熔剂.试验结果表明,JDN-II熔剂特别适用于高温A 356合金熔体的覆盖保护和净化.当JDN-II熔剂的加入量w=0.03时,对A 356合金有着覆盖保护和净化的明显效果:当熔体温度t=857°C时,铝熔体的氢含量C仅为2.6μL/g;当t=750°C时,C降至0.7μL/g.文中还考察了该种玻璃熔剂的净化作用机制. 相似文献
827.
从污染的土样中分离到一株高效降解3,5-二硝基水杨酸的菌株E-2,它能够在以3,5-二硝基水杨酸为唯一碳源和能源的无机培养基上生长.根据菌株E-2的形态特征及生理生化反应特征,初步鉴定为盐芽孢杆菌属(Halobacillus Spring et al.).研究表明:此菌能以3,5-二硝基水杨酸为唯一碳源进行生长,最适合浓度为0.05%,pH值为8.0, 温度为30℃,培养5天后降解率为85%. 相似文献
828.
陆占国 《哈尔滨商业大学学报(自然科学版)》2005,21(5):657-661
研究了以氢氧化钠为催化剂的dl-薄荷醇异构化反应,在220℃下达到平衡时的反应液组成 为dl-薄荷醇51%~67%,新薄荷醇20%~24%,异薄荷醇11%~13%,新异薄荷醇1.7%~2.0%、 薄荷酮10%~15%,常压蒸馏后获得的蒸馏液组成为dl-薄荷醇42%~50%,新薄荷醇25%-28%, 异薄荷醇10%~11%,新异薄荷醇2.1%~2.3%,薄荷酮14%-20%.用NaBH4对蒸馏液进行还原, 减压蒸馏后得到dl-薄荷醇51%-52%,新薄荷醇30%~32%,异薄荷醇9%~11%,新异薄荷醇 4%~8%组成的异构化产品. 相似文献
829.
蓝文祥 《重庆工商大学学报(自然科学版)》2004,21(3):223-225
以香桂叶油为原料合成二氢黄樟油素为目的,在W-2型瑞尼镍的催化下加氢,并研究了催化剂用量、温度、压力和溶剂对反应的影响。结果表明:香桂叶油在无溶剂条件下。用32:1的W-2型瑞尼镍催化,在120℃、2MPa的氢气压力下反应2h,可合成二氢黄樟油素,不经过蒸馏提纯,质量分数为98.5%,产率为95.6%,无废水和废渣排放。 相似文献
830.
硅材料与氢的相互作用是影响其结构完整性的重要方面.高分辨电子显微术被用于研究注氢硅片高温退火时形成的二次缺陷.实验发现高温退火如低温退火处理一样会导致(111)注氢硅片中出现裂纹,但不同之处在于裂纹的下部还有大量的位错发射,而且有些裂纹并未完全裂开,表现为非晶带.另外,高温退火还导致空腔的出现,空腔呈截角八面体形状,以{111}和{100}面为内表面,可以有非晶状的内壁.空腔平行于正表面成串状排布.空腔间有位错带与之相连。 相似文献