硅钼蓝光度法测定铅锰铁中硅的含量

试样经硝酸溶解后，在0．1-0．6mol／L的酸度下，使硅酸与钼酸形成黄色硅钼酸。然后加入草硫混酸消除磷的干扰，用硫酸亚铁铵将硅钼黄还原成硅钼蓝。通过采用配制与试样相同基体的办法，加入不同含量的硅标液来测定试样中硅的含量。     

硅光伏测量电池的设计原理

讨论了硅光伏测量电池的设计原理.还讨论了掺杂浓度、结深和表面复合速度对光伏电池主要参数(如开路电压、短路电流、反向暗电流和光谱响应)的影响.为了应用的需要,分析了串联电阻和傍漏电阻对线性的影响.最后给出了温度效应的数学模型和典型电路设计与R_(sA)的关系.     

铁水炉前判断图表

在炉前能迅速地判断出铁水的等级或牌号甚至主要成分含量是保证和控制铸铁质量的重环节之一。为了给普通灰铸铁炉前检验提供方便和参考,根据通常采用的三角试样(20× 40×120,湿砂型铸造)的断口特征与铁水的牌号、碳当量和碳硅含量的关系,经过一系列的试验,并参考了有关资料[1.2.3],绘制了炉前判断铁水的牌号、碳当量和碳硅大致含量的综合性图表。 图表是由三部分组成: 1.分图A──表明三角试样的白口宽度与铁水的碳当量和牌号的近似关系(即准铁水牌号); 2.分图B──表明三角试样的麻口宽度与铁水含碳量的近似关系; 3.分图C──表明铁水的…     

N 沟硅栅集成开关电容滤波器设计分析

本文给出了低通、带通、带阻型 MOS 开关电容滤波器单片 IC 电路设计方法。并用通用电路分析程序进行了模拟分析。本文还提出了一种新型双层多晶 N 沟硅栅 E/DMOS 工艺,它能使电路设计有很大灵活性和高集成度。测试结果表明这种电路具有输出电压幅度大(≥14V_(?))、通带平坦、纹波小(≤0.1～0.2dB)、动态范围大(≥75dB)之特点。     

SiO2膜驻极体的表面化学处理及其P—型硅基片的晶向选择

ＳｉＯ２膜表面电是影响其驻极性能的主要因素之一。本文采用气相反应法对其表面进行化学处理。经处理后的栅控高温电晕注极表明：１１５ｄ之内ＳｉＯ２膜的表面电位衰减小于或等于６％。本文通过对不同晶向的ＳｉＯ２膜对比研究发现：Ｐ（１００）基片上生长的ＳｉＯ２膜驻极性能优于Ｐ（１１１）。根据实验结果，我们讨论了影响ＳｉＯ２膜驻极性能的机制。     

n—p—n型硅器件中缺陷中心对载流子的影响

研究了两种不同掺杂工艺的n-p-n型硅器件在^60Co的γ射线辐射前后产生的缺陷中心，讨论了它们在330～530K温度范围漂白对载流子相对浓度的影响。     

浅结硅光伏电池光响应特性实验研究

实验研究了电子束辐照诱导半导体掺杂技术制作的浅结硅光伏电池光响应特性。给出其相对光谱响应和激光感生光电压值。结果表明该器件具有较好的光响应特性。     

施主态氧沉淀的微观分布

本文利用扩展电阻研究了低温退火及低-高温二步退火后P-CZ硅中新施主的微观分布。指出在新施主的氧沉淀界面模型下,通过扩展电阻法测量新施主的分布提供了确定氧的微小沉淀的一个灵敏的方法,其灵敏度取决于原始电阻率,新施主的分布可以通过讨论氧沉淀的分布,氧沉淀动力学过程以及晶体生长的液流模型得到解释。