基于荧光多元猝灭响应原理的膜传感器测定正己烷中的噻吩、正辛硫醇及单质硫

为研究测定石油制品中藏化物的光纤化学传感器提供实验基础。用溶胶-凝胶法制备芘丁酸-二氧化硅敏感膜(试剂项),根据荧光多元猝灭响应的原理分别测定正己烷中噻吩、正辛硫醇及单质硫的含量。结果:噻吩、正辛硫醇及单质硫分别在10.6-265μg/ml、0.84-16.80μg/ml、0.75-15.0μg/ml浓度范围内与lg(F0/F)成线性关系,相关系数分别为0.9984、0.9981、0.9993。检出限分别为10.6μg/ml、0.81μg/ml、0.75μg/ml,平均回收率分别为105.0±7.7％、103.2±7.5％、97.5±1.4％。结论:用芘丁酸-二氧化硅试剂相分别测定正已烷溶液中的噻吩、正辛硫醇及单质硫的含量可取得较好的精密度,回收率和可逆度。     

射频集成电路中的基片噪声耦合

集成电路（IC）中基片噪声耦合是由干扰信号形成的，这些信号引起寄生电流在硅基片中向集成电路各个部分流动，并且以电压和电流有害电涌的形式存在。这些有害电涌和寄生电流的来源可能是在同一芯片上高速数字时钟的开关噪声。     

硅钼蓝光度法测定水中可溶性硅的改进

采用SnCl2作为硅钼蓝光度法中的还原剂.在使用5 mL0.15 mol/L的H2SO4酸化、室温、20min显色时间的条件下SnCl2与硅杂多酸反应生成杂多蓝,并于测试波长820nm时表现出最大吸收峰.该方法还原稳定性好,操作简便,测试灵敏度高.     

a-Si/CuInSe2叠层太阳能电池中的空间电荷效应

基于ｐｉｎ结构的ａ－Ｓｉ：Ｈ太阳能电池中的空间电荷效应，讨论了ａ－Ｓｉ／ＣｕＩｎＳｅ２叠层太阳能电池的稳定性。采用计算机数值模拟方法，得出由光生空穴俘获产生的ａ－Ｓｉ：Ｈ层中正空间电荷密度的增加，改变了电池内部的电场分布，普遍抬高了ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜中的电场强度；在当照射下，空间电荷效应不会给ａ－Ｓｉ／ＣｕＩｎＳｅ２叠层结构中的ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜中的场强度；在光照射下，空间电荷效应不绘给ａ－Ｓｉ／Ｃｕ     

硅单晶杂质补偿度对超高反压大功率晶体管耐压特性的影响

一、引言 超高反压大功率晶体管DF104是电视机的重要电子器件。提高其质量和合格率是发展国产电视机的重要课题之一。在严格的器件设计和工艺条件下,采用低补偿度的优质硅单晶材料,能有效地提高这晶体管的击穿电压及其合格率,从而降低其成本。 实验用的衬底硅单晶片是电阻率大体相同(P≈80Ωom)的N-Si。实验时,从同一硅单晶锭切下硅片,用55K低温霍尔法和迭代法抽样检测其杂质补偿度K,再将和抽样检测样品相邻的硅片,经严格抛光清洗之后投片生产晶体管。每次生产条件严格保持相同。对生产出的晶体管,统测其耐压BV_(ceo)和BV_(cbo)及其合格率ξ,η等。合格率ξ和η分别定义为耐压≥某额定耐压BV_(ceo)和BV_(cbo)的成品数对总成品数之比。     

丝网印刷电极技术在硅太阳电池制造中的应用

丝网印刷电极技术在硅太阳电池制造中的应用开封太阳能电池厂杜聚臣一、概述硅太阳电池发电技术，已被世界各国普遍重视并积极推广应用。推广应用的主要障碍是生产成本偏高，为进一步降低太阳电池成本，各国都在进行研究与探讨，除在材料方面研制出非晶硅、化合物及多晶硅...     

ZnO-MgO-Al2O3-SiO2系统微晶玻璃的研究

本文通过对ZnO－MgO-Al2O3-SiO2系统玻璃研究结果，ZnO-MgO-Al2O3-SiO2四元系统形成的微晶玻璃的析晶产物是，主晶相为α－堇青石，次晶相为硅锌矿，第三晶相为锌铝尖晶石。     

Field Emission of SiCN Thin Films Bombarded by Ar^＋ Ions

SiCN thin films were synthesized by a radio frequency chemical vapor deposition (RFCVD) system on P-type Si (1 0 0) wafers using C2H4, SiH4 and N2 as raw materials.In order to get rid of the oxygen absorbed on the surface and improve the characteristics of electron field emission, Ax^ ions of low energy were used to bombard the samples. The field emission characteristics of SiCN thin films before and after Ar^ bombardment were studied in the super vacuum environment of 10^-6 Pa. It was showed that the turn-on field (defined as the point where the current-voltage curve shows a sharp increase in the current density) decreased from 38 V/μm before bombardment to 25 V/μm after bombardment. And the maximum emission current density increased from 159. 2 to 267. 4 μA/cm^2. The composition before and after Ar^ bombardment was compared using X-ray photoelec-tron spectroscopy (XPS). Our results illustrated that the field emission characteristics were improved after the bombardment of Ar^ .