全文获取类型
收费全文 | 2636篇 |
免费 | 46篇 |
国内免费 | 147篇 |
专业分类
系统科学 | 4篇 |
丛书文集 | 149篇 |
教育与普及 | 178篇 |
理论与方法论 | 22篇 |
现状及发展 | 28篇 |
综合类 | 2448篇 |
出版年
2024年 | 11篇 |
2023年 | 17篇 |
2022年 | 38篇 |
2021年 | 48篇 |
2020年 | 23篇 |
2019年 | 28篇 |
2018年 | 22篇 |
2017年 | 26篇 |
2016年 | 27篇 |
2015年 | 56篇 |
2014年 | 87篇 |
2013年 | 103篇 |
2012年 | 93篇 |
2011年 | 83篇 |
2010年 | 102篇 |
2009年 | 111篇 |
2008年 | 111篇 |
2007年 | 134篇 |
2006年 | 82篇 |
2005年 | 121篇 |
2004年 | 89篇 |
2003年 | 134篇 |
2002年 | 103篇 |
2001年 | 135篇 |
2000年 | 105篇 |
1999年 | 90篇 |
1998年 | 79篇 |
1997年 | 112篇 |
1996年 | 94篇 |
1995年 | 111篇 |
1994年 | 89篇 |
1993年 | 68篇 |
1992年 | 74篇 |
1991年 | 60篇 |
1990年 | 57篇 |
1989年 | 51篇 |
1988年 | 23篇 |
1987年 | 20篇 |
1986年 | 7篇 |
1985年 | 3篇 |
1981年 | 1篇 |
1980年 | 1篇 |
排序方式: 共有2829条查询结果,搜索用时 15 毫秒
221.
由于价格优势抵消了效率不足的缺点,市场对于薄膜太阳能电池需求的增长速度将是传统硅太阳能电池的两倍,其中蕴涵的巨大商机无以估量。 相似文献
222.
亚铁钼蓝光度法测定锰铁中的硅 总被引:1,自引:0,他引:1
对亚铁钼蓝光度法测定锰铁中硅时,合适的溶样酸、酸度及溶样时是否加高锰酸钾氧化碳化物的影响进行了研究,改进了传统的分析方法,更适合锰铁中含硅量的测定。 相似文献
223.
224.
225.
山东半岛硅热流值与区域地质条件的关系 总被引:1,自引:1,他引:0
据地下水中SiO2含量计算山东半岛硅热流值,以此为基础初步探讨本区的地热场特征及其与区域地质条件的关系。指出:1.山东半岛平均热流值与全球平均热流值接近,但比一般古老地块略高。2.划分出三个地热异常区,在大地构造上,两较高热异常区分别对应于胶北和文登隆起;较低热异常区与胶莱盆地相应。3.地热场总特征及其区域热异常的形态主要与近地表的地层岩性、构造形态和断裂发育程度等地质条件有关,而与中生代的岩浆活动无关,但第四纪岩浆活动对胶北隆起局部(蓬莱一带)热异常有重要作用。 相似文献
226.
采用贵州低品位铝土矿和溶出拜耳赤泥、碱、石灰配制的混合料烧结,在A/S=2.84±、[N]/[A]+[F]=0.97±、[C]/[S]=2.11±、t℃=1275±时,可以获得较好的效果。氧化铝标准溶出率η(?)标=94.64%,氧化铝工业溶出率=92.68%。 相似文献
227.
探讨了SiCr共渗工艺参数、含碳量、合金元素对渗层组织的影响 ,并探讨了稀土元素的作用 .结果表明 :共渗温度升高、时间延长和含碳量减小 ,均使SiCr共渗层厚度增加 ,合金钢 (2 0Cr、16Mn)的渗层厚度小于碳钢 (2 0 ) ,加入 5 %稀土使渗层变厚 ,并改变渗层组织性能 相似文献
228.
本文建立了钼酸铵——硫酸亚铁——碳酸钠比色定硅法。该法简便易行,快速有效,不需特殊设备和试剂。由于不受磷酸根离子及维生素C等还原物质的干扰,故特别适用于生物材料及矿泉水等样品中水溶性硅的测定。 相似文献
229.
基于片上网络(Network-on-Chip,NoC)技术的众核处理器正成为当前高性能处理器的设计焦点.传统的调试系统结构不能很好地应用于众核处理器体系结构,众核处理器中踪迹数据传输、调试事件传播、时间戳同步等方面均面临重大挑战.为解决上述问题,提出一种具有高带宽、低资源消耗的独立调试系统设计方法.该方法通过减少长互连线,提高了调试通道工作频率,以较少的互连线即可实现高带宽传输通道;同时调试组件采用分布式的对称结构,具有良好的可扩展性.在踪迹数据传输结构中,提出了一种带宽平衡的非侵入式踪迹数据导出方法,该方法通过软硬协同方式来配置踪迹通道仲裁的权重值,降低硬件复杂度.在调试事件的传播上,构建了与片上网络拓扑一致的事件传播网络,该网络在易于物理实现的同时具有事件传播延迟低的特点.在时间戳的同步方法上,提出了一种通过软硬件协同的时间同步方式,以很小的硬件代价实现了较精确的时间戳同步. 相似文献
230.
为分析硅压力传感器基座受力变形对传感器输出性能的影响,首先利用弹性力学理论和板壳理论分析推导了压力传感器方形膜片应力分布,为力敏电阻在应变膜上的布置提供依据;再利用ANSYS进行分析模拟,探究了传感器基座结构变形对应变膜应力差的影响;然后针对减小基座受力变形对芯片受力的影响,对基座结构进行适当优化,并对比仿真分析的结果;最后通过实验测得优化前后的传感器输出数据.结果表明,传感器基座结构优化后,传感器硅芯片中心最大变形量从2.172μm降低到1.819μm,输出误差从0.95%下降到0.60%. 相似文献