全文获取类型
收费全文 | 2636篇 |
免费 | 46篇 |
国内免费 | 147篇 |
专业分类
系统科学 | 4篇 |
丛书文集 | 149篇 |
教育与普及 | 178篇 |
理论与方法论 | 22篇 |
现状及发展 | 28篇 |
综合类 | 2448篇 |
出版年
2024年 | 11篇 |
2023年 | 17篇 |
2022年 | 38篇 |
2021年 | 48篇 |
2020年 | 23篇 |
2019年 | 28篇 |
2018年 | 22篇 |
2017年 | 26篇 |
2016年 | 27篇 |
2015年 | 56篇 |
2014年 | 87篇 |
2013年 | 103篇 |
2012年 | 93篇 |
2011年 | 83篇 |
2010年 | 102篇 |
2009年 | 111篇 |
2008年 | 111篇 |
2007年 | 134篇 |
2006年 | 82篇 |
2005年 | 121篇 |
2004年 | 89篇 |
2003年 | 134篇 |
2002年 | 103篇 |
2001年 | 135篇 |
2000年 | 105篇 |
1999年 | 90篇 |
1998年 | 79篇 |
1997年 | 112篇 |
1996年 | 94篇 |
1995年 | 111篇 |
1994年 | 89篇 |
1993年 | 68篇 |
1992年 | 74篇 |
1991年 | 60篇 |
1990年 | 57篇 |
1989年 | 51篇 |
1988年 | 23篇 |
1987年 | 20篇 |
1986年 | 7篇 |
1985年 | 3篇 |
1981年 | 1篇 |
1980年 | 1篇 |
排序方式: 共有2829条查询结果,搜索用时 15 毫秒
161.
报道使用两步快退火(RTA)工艺对MeV Si~+注入的〈100〉取向SI-GaAs样品进行热处理。2 MeV,2×10~(14)cm~(-2)Si注入的GaAs样品,经低温(350~450℃),长时间(20~30 s)退火和高温(970~1050℃),短时间(1~2s)退火,使注入区晶格恢复好,二次缺陷密度大大降低,电特性得到明显改善。激活率达到了30%,迁移率为2400~2 515cm~2·V~(-1)·s~(-1),薄层电阻为42~46Ω。根据点缺陷和杂质原子的相互作用,结合载流子浓度分布的特点,对半绝缘砷化镓中MeV注入硅原子的激活机理进行了讨论。 相似文献
162.
本分析了Si原子微集团中存在幻数的原因,并用自洽场一多重散射Xa方法,从能量最低原理,研究了6个Si原子微集团和10个Si原子微集团的可能构型,指出悬挂键在Si微集团中起了重要作用,同时必须考虑键角畸变的因素。 相似文献
163.
用高分辨质量选择的飞行时间谱技术研究了在193nm脉冲激光辐照下自Si(100)表面上硅离子的脱附.发射硅离子动能分布的测量表明,随着激光能量的增加,将相继出现一些新的特征峰,其强度随着激光能量密度的增加而增加.在低的激光能量密度下出现在2.2,3.0,4.2和6.9eV的峰表征不同背键表面态下的电激发过程,而在较高能量密度下相继出现的特征峰分别表示硅表面上的预熔、蒸发、等离子体形成等物理过程的开始.因此,所有在动能分布曲线相继出现的特征峰可做为检验在不同激光能量的作用下,各种不同物理过程开启的判据. 相似文献
164.
衬底温度对纳米硅薄膜结构性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
在等离子体化学气相沉积系统中采用高氢稀释硅烷蚀刻法制备了纳米硅薄膜。系统地研究了衬底温度对nc-Si:H薄膜的结构性能的影响。结构表明随着衬底温度从240℃升高到320℃,薄膜的晶态率从24%增大为65%,平均晶粒尺寸从6nm增大为10nm。当衬底温度≤200℃时,生成薄膜为a-Si:H薄膜。文中还对纳米硅薄膜的晶化机制进行了讨论。 相似文献
165.
徐至中 《复旦学报(自然科学版)》1995,34(3):269-276
采用紧束缚方法计算生长在GexSi1-x合金面上的应变GaAs层以及生长在Si(001)面上的应变超晶格(Sj2)4/(GaAs)的电子能带结构。讨论了应变对电子能带结构的影响。 相似文献
166.
Si和Mo基片上气相生长金刚石薄膜的界面状态研究 总被引:1,自引:0,他引:1
在低压气相生长金刚石薄膜中,金刚石薄膜与基片间的界面状态是一个十分重要的问题,它不仅与金刚石在异质基片上的成核、生长机理有密切关系,而且在很大程度上决定着金刚石薄膜与基片的粘附性能.近几年来,人们首先较多地研究了单晶Si基片生长金刚石薄膜中的界面状态,认为在金刚石薄膜与Si基片之间存在着一个界面层或过渡层,其主要成分是β-SiC.但也有人认为不存在界面层,金刚石是在Si表面直接生长的.其它基片上生长金刚石薄膜的界面状态也曾见报道. 相似文献
167.
纳米硅薄膜的扫描隧道显微镜研究 总被引:3,自引:2,他引:3
纳米硅薄膜(nc-Si:H)是由纳米尺寸超细微晶粒构成的一种纳米材料。其晶粒所占体积百分比为50%,其它50%则为大量晶粒之间的界面原子所占据,而界面对纳米材料的结构和物性具有重要作用。由于纳米硅薄膜结构上的新颖性,使它具有一系列不同于同类物质晶态材料或非晶态材料的特殊性能,有利于在器件中的应用。 相似文献
168.
多孔硅光致发光激发谱测量与机理分析 总被引:1,自引:0,他引:1
对多孔硅光致发光光谱(PL)和光致发光激发谱(PLE)的研究可以获得许多有关多孔硅发光机理的信息。已有许多文章报道了多孔硅发光的光谱特性和多孔硅的制备条件以及后续处理之间的关系,并据此提出了不同的发光模型。也有人对多孔硅的发光特性和激发条件间的关系进行了研究,并提出多孔硅的发光和表面态或荧光中心有关。我们用不同波长的单色光作激发源,测量了多孔硅发光的光谱特性,并用连续变化波长的单色光作激发源,测量 相似文献
169.
红外光弹三向进光法研究硅晶片的应力状态 总被引:1,自引:0,他引:1
本文根据双折射原理,采用红外光弹三向进光法,对硅晶片的二维应力状态进行测量和研究。测定了在器件加工中{111}和{100}硅晶片各层的主应力的大小和方向,并对测量误差、三个进光方向选定和测量结果进行了分析和讨论。 相似文献
170.
吴洛平 《华侨大学学报(自然科学版)》1993,14(4):483-488
本文对Hpb59-1黄铜超塑性压缩变形后的试样进行金相分析。不同的原始组织、变形温度和应变速率,对超塑性压缩变形后的金相组织都产生较大影响。 相似文献