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161.
针对工业用单晶硅晶圆上所标记的大晶向的精度不能够满足微电子与机械系统 (MEMS)器件加工要求的缺点 ,提出了一种用于精确标定晶圆晶向的方法 .该方法通过一组精心设计的对比图案和随之进行的预刻蚀加工 ,把单晶硅晶圆的主晶向清晰地显示了出来 .为了准确地识别出晶圆的主晶向所在的方位 ,采用数字图像处理技术 ,对显微照相的图片进行了数学处理 .分析结果表明 ,采用所提出的方法 ,可以将晶圆的晶向定位精度由原来的± 1°~± 2° ,提高到± 0 1°以上 ,而这种对准精度对大多数MEMS器件的加工已足够了 ,后续的加工实验结果也验证了所提出方法的有效性 相似文献
162.
163.
运用透射电镜、电子衍射、元素能谱分析,及热膨胀系数和力学性能综合测试手段,研究了含LiO2-Al2O3-SiO2(LAS)微晶玻璃的钛酸铝陶瓷显微结构及力学性能。实验结果表明,LAS微晶玻璃的玻璃相促进了钛酸铝陶瓷的液相烧结而提高其力学性能,同时通过玻璃相中析出低膨胀的微晶又使陶瓷的热膨长系数下降。 相似文献
164.
硅膜特性与1060nm窄带干涉滤光片的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
实验研究表明,硅膜在800~1100nm是一个弱吸收膜,在波长短於800nm处是个强吸收膜;利用硅膜的这一可贵特性,设计并制备了1060nm窄带干涉滤光片。 相似文献
165.
报道使用两步快退火(RTA)工艺对MeV Si~+注入的〈100〉取向SI-GaAs样品进行热处理。2 MeV,2×10~(14)cm~(-2)Si注入的GaAs样品,经低温(350~450℃),长时间(20~30 s)退火和高温(970~1050℃),短时间(1~2s)退火,使注入区晶格恢复好,二次缺陷密度大大降低,电特性得到明显改善。激活率达到了30%,迁移率为2400~2 515cm~2·V~(-1)·s~(-1),薄层电阻为42~46Ω。根据点缺陷和杂质原子的相互作用,结合载流子浓度分布的特点,对半绝缘砷化镓中MeV注入硅原子的激活机理进行了讨论。 相似文献
166.
本分析了Si原子微集团中存在幻数的原因,并用自洽场一多重散射Xa方法,从能量最低原理,研究了6个Si原子微集团和10个Si原子微集团的可能构型,指出悬挂键在Si微集团中起了重要作用,同时必须考虑键角畸变的因素。 相似文献
167.
用高分辨质量选择的飞行时间谱技术研究了在193nm脉冲激光辐照下自Si(100)表面上硅离子的脱附.发射硅离子动能分布的测量表明,随着激光能量的增加,将相继出现一些新的特征峰,其强度随着激光能量密度的增加而增加.在低的激光能量密度下出现在2.2,3.0,4.2和6.9eV的峰表征不同背键表面态下的电激发过程,而在较高能量密度下相继出现的特征峰分别表示硅表面上的预熔、蒸发、等离子体形成等物理过程的开始.因此,所有在动能分布曲线相继出现的特征峰可做为检验在不同激光能量的作用下,各种不同物理过程开启的判据. 相似文献
168.
衬底温度对纳米硅薄膜结构性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
在等离子体化学气相沉积系统中采用高氢稀释硅烷蚀刻法制备了纳米硅薄膜。系统地研究了衬底温度对nc-Si:H薄膜的结构性能的影响。结构表明随着衬底温度从240℃升高到320℃,薄膜的晶态率从24%增大为65%,平均晶粒尺寸从6nm增大为10nm。当衬底温度≤200℃时,生成薄膜为a-Si:H薄膜。文中还对纳米硅薄膜的晶化机制进行了讨论。 相似文献
169.
徐至中 《复旦学报(自然科学版)》1995,34(3):269-276
采用紧束缚方法计算生长在GexSi1-x合金面上的应变GaAs层以及生长在Si(001)面上的应变超晶格(Sj2)4/(GaAs)的电子能带结构。讨论了应变对电子能带结构的影响。 相似文献
170.
Si和Mo基片上气相生长金刚石薄膜的界面状态研究 总被引:1,自引:0,他引:1
在低压气相生长金刚石薄膜中,金刚石薄膜与基片间的界面状态是一个十分重要的问题,它不仅与金刚石在异质基片上的成核、生长机理有密切关系,而且在很大程度上决定着金刚石薄膜与基片的粘附性能.近几年来,人们首先较多地研究了单晶Si基片生长金刚石薄膜中的界面状态,认为在金刚石薄膜与Si基片之间存在着一个界面层或过渡层,其主要成分是β-SiC.但也有人认为不存在界面层,金刚石是在Si表面直接生长的.其它基片上生长金刚石薄膜的界面状态也曾见报道. 相似文献