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121.
氢化纳米硅薄膜的光声光谱研究 总被引:1,自引:0,他引:1
分析了纳米硅薄膜材料从可见光到近红外范围的光声光谱,并与微晶硅和非晶硅材料进行了对比.纳米硅的光吸收系数比后两者都高(特别是在1.4~1.9eV之间,高出近一个数量级),其原因是纳米硅薄膜中大量晶粒对光子的散射、晶粒界面缺陷的吸收及载流子吸收的影响,此外,纳米硅光声谱中Urbach边宽且缓,反映出这种材料很高的无序程度. 相似文献
122.
n^+/p常规硅太阳电池表面“死层”的减少方法 总被引:1,自引:0,他引:1
磷透过热生长氧化层扩散的方法,可以减缓高浓度浅结磷扩大硅表层带来的晶格损伤(即“死层”)双晶X射线衍射图形和杂质纵向分布测量均证实了这一点,用此方法制备的常规结深的太阳电池,其相对光谱响应400~600nm波段内平均提高了50%,在AMO(25℃)条件下,其光电转换效率也从常规电池的11.8%提高到12.3%,转换效率可望在工艺最佳化研究后得到进一步提高。 相似文献
123.
本文研究了硅钼杂多酸—罗丹明B—阿拉伯树胶显色体系,从而建立了水相测定硅的高灵敏度分光光度法,应用于铝合金中痕量硅的测定,结果较满意。 相似文献
124.
1985年Bibby和Dale首次报导了在非水体系(乙二醇和正丙醇)中全硅方钠石的合成。最近,Van Erp等报导了在其它非水溶剂中全硅方钠石的合成。但在KOH存在下全硅方钠石的合成未见报导。我们探索了非水体系中全硅方钠石的合成。 相似文献
125.
由两根平行放置的皮托管作为测压探针,硅压阻传感器作为压力敏感元件组合成的流速探头,尺寸小,动态频响良好(士1dB频带宽为1200Hz),适用于一维的动态流速测量。配套用的放大器设有温度和频率补偿及线性化电路,可得到线性的输出信号。在国管和明槽内进行的断面流速分布量测结果与理论计算值以及其它仪器的实测资料能较好地符合。在雷诺数不大的情况下可以测出边界底层内的紊动强度分布。 相似文献
126.
佘思明 《中南大学学报(自然科学版)》1990,(1)
利用测量熔体温度、液流模拟、红外吸收和扩展电阻探针研究了温场对硅单晶的氧含量和径向扩展电阻均匀性的影响。高温场中整个熔体的温度梯度与重力方向一致,矮温场中只有上部熔体的温度梯度与重力方向一致,而下部熔体的温度梯度与重力方向相反。高温场中整个熔体有热对流,矮温场中只有上部熔体有热对流。高温场中生长的单晶的氧含量明显高于矮温场中生长的单晶。高温场中生长的硅片,径向扩展电阻分布有中央平坦部分、剧烈起伏部分和边缘波纹起伏部分,矮温场中生长的硅片无剧烈起伏部分。这一部分可能是熔体中泰勒柱与热对流区之间的切变层是高氧熔体造成的。 相似文献
127.
128.
本文通过被局域刻蚀硅表面形貌的精确测量,考察了刻蚀速率对于激光功率、波长、反应室气压的依赖关系,讨论了在不同光斑尺寸和刻蚀深度下反应机理的变化,给出了衬底晶向和表面氧化层对刻蚀效果影响的一些新的结果。 相似文献
129.
用阳极氧化方法制备了多孔硅样品,研究了样品在室温下受温下受紫外光(355nm)激发的发光特性,发现着阳极氧化电流密度和腐蚀时间的增加,发光峰呈蓝移,用KOH溶液和水对多孔硅处理,发光光谱有明显变化,解释了有关发光现象。 相似文献
130.
本文针对硅中杂质、缺陷对器件制作和性能的影响进行研究,提出控制杂质与缺陷的不良影响和提高器件的成品率和优品率的途径。 相似文献