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41.
42.
43.
用磷酸铝分子筛和硅磷酸铝分子筛作催化剂合成丙酸戊酯的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
赵瑞兰 《湖南师范大学自然科学学报》1992,(3)
用新型磷酸铝分子筛和硅磷酸铝分子筛作催化剂,对丙酸和正戊醇液—固相酯化反应进行了研究.考察了合成条件及用不同方法制备的催化剂对醇产率的影响,当醇酸摩尔比为1.2∶1、催化剂用量为0.6~1.0g/mol丙酸、带水剂环己烷用量为5.0ml/mol丙酸,反应温度为140~160"C时,5hr酯化反应的酯产率大于98%.同时对酯产物的物理常数进行了测定,实测值与文献值相符. 相似文献
44.
在难熔金属热电偶表而施加涂层的目的,旨在使原仅限和真空、中性及还原气氛中测量的热电偶能在大气中使用.本文讨论涂层对难熔金属热电偶在氧化气氛的"热电势—温度","热电势—时间"的关系及其寿命的影响.具有涂层的W/M.热电偶在氧化气氛(常压下1500℃取得263小时±1%t的最高记录,而W-Re热电偶存1500℃试验的前70小时偏差也在1%t内.而没有涂层的热电偶仅支持数分钟便破坏. 相似文献
45.
随着集成电路特征尺寸逼近物理极限,硅通孔(TSV)实现层间互连的三维集成电路(3D IC)成为延续摩尔定律的一种趋势.但现有集成电路设计工具、工艺库、设计方法尚不成熟,难以实现三维集成中超大尺寸基板芯片的时序收敛问题.为此,本文提出了一种利用现有传统的EDA工具完成基于TSV的3D IC物理设计的流程.首先,用热应力模型将三维硅通孔投影成二维阻挡层,从而将三维集成电路设计转化成若干含阻挡层的二维集成电路分别实现;其次,针对超大尺寸基板芯片的时序收敛困难问题,提出了一种标准单元布局方法,通过在版图中划定若干固定放置区用于限定关键时序单元的摆放,并迭代确定这些关键单元在固定放置区中的位置,实现大尺寸芯片的时序收敛.基于所提出的三维集成电路设计流程完成了一款三维集成的网络路由芯片基板芯片的设计,结果表明,相比传统的设计流程,提出的3D IC物理设计流程可使超大尺寸基板芯片从时序无法收敛优化到可收敛并满足时序要求,验证了所提出的3D IC物理设计流程的可行性. 相似文献
46.
X-射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、能谱(EDS)等的研究表明,硅砂表面存在吸附膜,高温改性使吸附膜被牢固烧结在砂粒表面,改变了吸附膜和砂粒表面的物理和化学特性,大大改善了湿润性,使粘结桥的断裂形式从附着断裂向内聚断裂转经,提高了水玻璃砂的强度。 相似文献
47.
煤中前沥青烯与沥青烯性质的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
煤的溶剂抽出物中前沥青烯与沥青烯的质量之比随煤化程度增加而增加。原位热解红外光谱研究结果表明,它们的热稳定性与其结构参数有关,芳香度高,甲基取代结构多的前沥青烯比沥青烯的热稳定性好。前沥青烯与沥青烯在溶剂分级过程中表现出的溶解性与其结构参数无必然联系,而与其酸碱组分间的氢键强度有关。前沥青烯中酸碱组分间的氢键强度为5.15~30.9kJ/mol;沥青烯为<5.15kJ/mol。 相似文献
48.
对硅光探测器在紫外光波段的量子增益过程进行了分析,考虑到碰撞粒子的相对运动及终态的态密度分布,计算了增益谱,制作了紫外性能良好的硅光电二极管,测量了紫外谱响应,对实验测量与理论计算进行了比较,结果基本一致。 相似文献
49.
Keggin结构钼硅稀土杂多蓝的合成及性质研究 总被引:2,自引:0,他引:2
合成了钼硅稀土二电子、四电子杂多蓝LnH3〔SiMo10^VIMo2^VO40〕·12H2O和LnH5〔SiMog^VIMo4^VO40〕·13H2O,其中Ln=La,Ce,Pr,Nd,Sm,Gd,通过IR,UV,TG-DTA,XPS,ESR磁化率等对杂多蓝进行表征。结果表明,杂多酸盐还原为杂多蓝后,结构上发生了轻微的畸变。 相似文献
50.
设计并合成了一种新的具有电子给体结构的非对称四硫富瓦烯衍生物2,3-二硫苄基-6,7-二硫十六烷基四硫富烯。经元素分析,红外光谱,核磁共振谱确定了其结构,并对单分子膜的成膜性能和条件进行了初步的探讨。 相似文献