肉芝软珊瑚素全合成的研究：Ⅲ.肉芝软珊瑚素的合成

由3,7-二甲基-6,7-环氧-8-苯硫基-2-辛烯醛和6-甲基-8-三甲硅氧基-6-烯-2-酮-1-辛酸乙酯通过羟醛缩合、内酯化、Wittig反应、闭环等反应合成得肉芝软珊瑚素,总产率10.6％。其中的关键步骤是以硫稳定的碳负离子烷基化。讨论了合成品的立体化学。     

硅中硼磷的横向扩散及其引起的CMOS LSI失效问题

实验发现,硼磷通过掩膜窗口向硅中扩散时,横向与纵向扩散深度之比 y_j/x_j 不是一个常数,而是随扩散温度的降低增大。此外,对于硼和磷的扩散来说,这个比值是不同的,且有(y_j/x_j)_B>(y_j/x_j)_P。通过解剖一些实际的 CMOS LSI 芯片结构发现,无论是采用常规工艺,或者是采用全离子注入技术,其失效的一种重要模式是 PMOS FET源、漏区硼扩散横向连通。分析了产生这种失效模式的机理。并提出在设计 CMOS LSI 时,适当调整 NMOS FET 和 PMOS FET 的沟道长度,有利于提高成品率和电路性能。     

非晶态合金Pd77.5Ag6.0Si16.5中含氢引起的内耗峰

用倒扭摆研究了非晶态合金Pd_(77.5)Ag_(6.0)Si_(16.5)的低温内耗和切变模量行为.经电解充氢后在120—130K范围内发现一个弛豫型内耗峰,随氢含量的增加,峰高增大,峰温移向低温,退火去氢后则具有可逆趋势.弛豫激活能为0.28±0.05eV.氢内耗峰的微观机制,是处于四面体或八面体中间隙位置的氢原子应力感生有序.     

钛和锆钨硅杂多酸盐异构体的合成及表征

合成了α－和β－Ｍ１０－ｎＨｎ〔ＳｉＷ９Ｔｉ３Ｏ４０〕·ｘＨ２Ｏ（Ｍ＝Ｋ＋、Ｍｅ４Ｎ＋），α－（Ｍｅ４Ｎ）４Ｈ２〔ＳｉＷ１１ＺｒＯ４０〕·１３Ｈ２Ｏ和β－（Ｂｕ４Ｎ）４Ｈ２〔ＳｉＷ１１ｚｒＯ４０〕·１４Ｈ２Ｏ等杂多酸盐异构体。并用ＩＲ，ＵＶ，ＴＧ和ＤＴＡ、极谱以及Ｘ－射线粉末衍射等手段进行了表征。     

氢化纳米硅薄膜的光声光谱研究

分析了纳米硅薄膜材料从可见光到近红外范围的光声光谱，并与微晶硅和非晶硅材料进行了对比．纳米硅的光吸收系数比后两者都高（特别是在１．４～１．９ｅＶ之间，高出近一个数量级），其原因是纳米硅薄膜中大量晶粒对光子的散射、晶粒界面缺陷的吸收及载流子吸收的影响，此外，纳米硅光声谱中Ｕｒｂａｃｈ边宽且缓，反映出这种材料很高的无序程度．     

n^＋／p常规硅太阳电池表面“死层”的减少方法

磷透过热生长氧化层扩散的方法，可以减缓高浓度浅结磷扩大硅表层带来的晶格损伤（即“死层”）双晶Ｘ射线衍射图形和杂质纵向分布测量均证实了这一点，用此方法制备的常规结深的太阳电池，其相对光谱响应４００～６００ｎｍ波段内平均提高了５０％，在ＡＭＯ（２５℃）条件下，其光电转换效率也从常规电池的１１．８％提高到１２．３％，转换效率可望在工艺最佳化研究后得到进一步提高。     

应变致价带分裂对p型Si_（1－x）Ge_x应变层中重掺杂禁带窄变的影响

针对应变Ｓｉ（１－ｘ）Ｇｅｘ的应变致价带分裂及重掺杂对裂值的影响，提出了该合金价带结构的等价有效简并度模型和有关算法，模型中考虑了非抛物线价带结构。应用这个模型，计算了赝形生长在＜１００＞Ｓｉ衬底上的ｐ型Ｓｉ（１－ｘ）Ｇｅｘ应变层的重掺杂禁带窄变，发现当杂质浓度超过约２×１０１９ｃｍ（－３）后它在某一Ｇｅ组分下得到极大值，而当掺杂低于此浓度时它则随Ｇｅ组分的增加单调下降，与实验报道的对比证实了本模型的有效性。     

在阿拉伯树胶存在下,罗丹明B—硅钼杂多酸缔合物分光光度法测定铝合金中的痕量硅

本文研究了硅钼杂多酸—罗丹明B—阿拉伯树胶显色体系,从而建立了水相测定硅的高灵敏度分光光度法,应用于铝合金中痕量硅的测定,结果较满意。     

共晶硅立体形态对铝硅合金力学行为的影响

本文采用全腐蚀的方法,考察了热处理时共晶硅立体形态的变化过程以及Na变质的影响,表明Na变质使共晶硅在热处理时迅速粒状化为近等轴颗粒。从理论上分析了共晶硅立体形态对铝硅合金力学行为的影响,并通过对合金的力学性能测试和断口电镜分析进行验证,指出了可以通过Na变质和热处理综合控制共晶硅形态以提高合金的韧性。