Si上Bi2Sr2Ca1Cu2O7-x超导膜分形现象的AFM观察

利用射频磁控溅射方法,在Si衬底上用YSZ(Y稳定的ZrO_2)作为缓冲层成功地淀积了Bi_2Sr_2Ca_1Cu_2O_(7-x)(BSCCO)超导膜,其零电阻温度T_c=82K.在利用原子力显微镜(AFM)和透射电子显微镜(TEM)作材料的表面形貌和微结构观察分析时,首次在BSCCO超导膜中观察到了分形晶化,并测得其分形维数d=1.795,本文报道了这一观察结果.     

掺硅对铁黄合成过程及铁黄形态的影响：I.掺硅时间和掺硅…

研究了掺硅时间和掺硅量对铁黄形态及结构的影响规律，制得了分布均匀、无枝叉的超细铁黄，其平均长轴为０．２￣０．２５μｍ，轴比〉９。发现反应开始时硅酸钠的添加量越大，铁黄粒子越小，分布也越均匀，最终铁黄的结构变化也越大。当反应初期合成体系中硅原子与铁原子的摩尔比大于０．０１５时，反应过程会生成Ｆｅ３Ｏ４。铁黄合成后期掺硅对铁黄大小和轴比影响不大，但可以有效防止铁黄粒子凝并。     

纳米硅薄膜中量子点的库仑阻塞效应

用纳米硅薄膜制成了共振隧穿量子点二极管，在77K温度下对其I－V特性进行了测量，得到了具有共振隧穿特征的实验结果。对实验结果分析表明，纳米尺寸晶粒构成的量子点具有库仑阻塞效应。     

衣架型模头中熔融聚合物流动的三维有限元分析

研究了聚合物熔体在衣架型模头中的等温流动。采用幂律模型描述该熔体的流变行为,通过三维有限元方法对此流动进行模拟,从而得到其速度场的分布情况,并且着重讨论了衣架型模头的几何形状对速度场分布的影响,特别是对出口宽度方向速度均匀性的影响。     

神经网络高炉铁水含硅量预报模型

研究了基于神经网络的高炉铁水含硅量预报模型，运用高炉生产过程中工艺参数，实现了铁水含硅量的中短期预报，仿真结果表明，本模型具有良好的预报效果。     

高分子熔体和浓溶液的流变性能研究──（Ⅱ）高分子流体的本构方程和其物料函数

从前一报所提出的具有多重缠结限制作用的高分子非线性粘弹性理论出发，推导出了高分子流体的回忆函数、一般化的积分型本构方程和多种流场分布下的多种物料函数：１）稳态简单剪切流；２）稳态单轴拉伸流；３）小振幅的振动剪切流；４）稳态剪切流前和后的应力增长和应力松弛；５）稳态拉伸流动停止后的应力松弛．提出了一种从流动曲线来测定物料函数中的粘弹性参数ηｏ，Ｇ，ｎ＇和α的新方法．从多重缠结和多重蠕动机理推导出了ηｏ和τｔ同Ｍ的定量关系式，并得到了实验证实．最后以大量高分子流体的流变性能实验数据（η（γ），ψｌ（ω）和η（ω））对所得的静、动态剪切物料函数进行了验证，证实了所提出的非线性粘弹性分子理论与实验有较好的符合．     

储氢合金／聚合物电极复合材料的研究

通过对模拟电池的负极电荷量测试，研究了烯土储氢合金／聚合物电极复合材料（ＭＨ／Ｐ）的性能。发现聚合物种类、储氢合金粉粒度、复合材料制备工艺条件等因素对ＭＨ／Ｐ的性能有显著影响。实验结果表明，在所选几类聚合物中，以ＭＨ／ＰＶＨ体系的充放电性能最好。用作模拟电池负极时，其电极电荷量高达２７５ｍＡ·ｈ／ｇ，而且电流强度由１Ｃ增加到２Ｃ时，电荷量损失仅为３．６％     

脉冲电阳极腐蚀纳米多孔硅的蓝光发射

用直流叠加方波脉冲电流阳极腐蚀法制得了多孔硅（ＰＳ），样品经ＸｅＣｌ准分子激光器的３０８ｎｍ激光的激发，获得了中心波长为４６２ｎｍ，半高宽为１２６ｎｍ的蓝色光致发光（ＰＬ）谱、ＰＳ断透射电（ＴＥＭ）分析发现有ｎｍ量级的Ｓｉ原子团组成的一维量子线（柱）阵列的三维量子海棉结构，由此带来的量子约束和表面效应恰好说明了ＰＬ谱的实验结果。     

IPN固体电解质的研究

研究了含碳酸丙烯酯（ＰＣ）的ＩＰＮ固体电解质的导电性。获得了室温电导率为９×１０－５ｓ·ｃｍ－１的ＩＰＮ固体电解质