纳米结构硅研究的发展动态*

本文综合归类了目前制备纳米结构硅的主要方法：等离子体化学气相沉积．激光诱导化学气相沉积和热蒸发法（制纳米晶硅）及电化学腐蚀法（制多孔硅）,给出各种方法的典型参数及其对纳米硅结构的影响,分析了纳米硅结构特征,比较分析了各种方法制备的纳米硅的光学性能,如光学能隙Ｅｏｐｔｇ,光致／电致发光谱峰位波长、半高宽及影响因素等,并对纳米硅研究的发展前景进行展望．     

氮化烧成后硅在刚玉氮化硅材料中的赋存形态

研究了不同温度氮化烧成后,硅在刚玉氮化硅材料中的赋存形态.结果表明:1300℃氮化后,硅的外层包裹着絮状的O'-Sialon;1400℃时,硅颗粒破裂且内部有氮化硅生成;1 500℃时,已没有残留硅保留下来,硅氮化生成了O'-Sialon和氮化硅;1 600℃时,硅氮化完全,其中的杂质相CaO,Fe2O3等富集在一起.     

高硅沸石中二元物系表面扩散系数的预测

用动力学蒙特卡罗（Kinetic Monte Carlo，KMC）方法模拟客体分子单组分及双组分混合物在高硅沸石（Silicalite）分子筛中的扩散，与分子动力学（Molecular Dynamics，MD）方法的模拟结果及Maxwell-Stefan（M-S）方程计算对比说明KMC方法的合理性，而由真实的体系性质获得正确的跳跃频率值及合适的晶格模型是获得正确计算结果的关键，且一旦由单组分研究获得正确的跳跃频率值及晶格模型，便可直接移用至多组分体系的KMC模拟中。     

PP/TiO2复合材料的力学性能研究

采用熔融共混法制备了PP/TiO2复合材料,并研究了TiO2的表面处理、含量及粒径对复合材料的拉伸强度和缺口冲击强度两大主要力学性能的影响.实验结果表明,钛酸酯类偶联剂能很好地改善TiO2粒子与PP基体的界面相容性,从而使复合材料的力学性能提高;经表面处理后的纳米TiO2所填充复合材料的力学性能明显优于普通TiO2（微米级）;而且处理后的纳米TiO2在填充量为4%时对PP的增强增韧效果最佳.     

分子印迹技术及其在痕量分析的应用

分子印迹技术是近年来集高分子合成、分子设计、分子识别、仿生生物工程等众多学科优势发展起来的一门边缘学科分支，分子印迹聚合物由于具有与天然抗体同样的识别性能力和与高分子同样的抗腐蚀性能的双重优点，因而广泛应用于生物工程、临床医学、环境监测、食品工业等众多领域．介绍了分子印迹技术的基本原理，对分子印迹聚合物合成研究的最新进展进行了综述，主要介绍了它在痕量分析中的应用．     

富钾硅复合物对水稻土中有效K，Si，Ca，Mg的影响

富钾硅复合物为绿豆岩煅烧产物，本文通过盆栽对比实验研究它对水稻土中有效K，Si，Ca，Mg的影响，结果表明：水稻土中施入K，Si，Ca，Mg后，被水稻带走部分养分，土壤养分仍有变化；尽管富钾硅复合物中的K，Si，Ca，Mg多为枸溶性养分，但均能供给水稻生长发育需要，并具有一定后效．     

方波脉冲电沉积氧化锌薄膜的研究

以0.1mol·dm-3的Zn(NO3)2水溶液为电解质溶液,以99.9%Zn片作阳极,采用方波脉冲电流法在氧化锡铟(ITO)导电玻璃基底上阴极电沉积,得到了透明的ZnO薄膜.采用X射线衍射分析、扫描电镜和荧光光谱技术,测试了薄膜的结构、表面形貌和光学特性.用同样方法在多孔硅衬底上电沉积ZnO薄膜,经过1000℃氧气氛下热处理1h,在紫外光照射下可发射强绿色荧光.     

含氟聚合物在赤磷基抗红外发烟剂中的应用

在实验室条件下利用多波段红外辐射仪，测试了含四种不同聚合物的赤磷发烟剂燃烧产生的烟雾在远红外波段的透过率，并使用粉尘取样仪测试了烟雾的质量，计算出了各种烟雾质量消光系数．试验结果和计算表明：以含氟聚合物的赤磷发烟剂燃烧产生烟雾在远红外波段的质量消光系数最高，透过率最低，并分析了上述烟雾在远红外波段具有不同质量消光系数的原因．     

邻香兰素分子模板聚合物结合作用及选择性研究

 以邻香兰素为烙印分子,α-甲基丙烯酸为功能单体,乙二醇二甲基丙烯酸酯为交联剂,采用分子烙印技术合成了1类新的分子烙印聚合物.研究了它们的吸附特性及选择性识别能力.结果表明,与组成相同的非模板聚合物相比,模板聚合物有一定的吸附性能和选择性.     

新型取代缺位钨杂多酸盐的合成与结构

标题化合物K4[H3 xSiCoxW12-xO40]·16H2O(x=0.75)是由硝酸钴Co(NO3)2与β-11-钨硅杂多酸盐β-K8[SiW11O39]反应制得的.其晶体属于四方晶系,空间群为P4n2,晶胞参数:a=b=1.412(2)nm,c=1.2384(3)nm,α=β=γ=90(°),V=2.4692(8)nm,Dc=4.343g·cm-3,Z=2.X-射线单晶结构分析表明,其晶体是由具有硅氧四面体SiO4为中心,具有D2d对称性的阴离子[H3 xSiCoxW12-xO40]4-、阳离子K 以及水分子堆积而成三维结构;其中Co2 统计地取代了β-11-钨硅杂多酸盐的空位,不同于熟知的α-、β-或γ-型单空位取代杂多酸盐结构的形成过程也作了讨论.