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141.
 以1天龄、未成熟(3周龄)、成熟期(10周龄以上)的昆明正常小鼠睾丸组织为实验材料,利用地高辛标记的Si1基因探针在其组织切片上进行DNA-mRNA分子原位杂交,探讨Si1基因在小鼠睾丸发育过程中的表达变化.同时,分别在生后15,20 d及25 d的昆明小鼠睾丸组织切片上进行凋亡细胞原位检测,验证小鼠睾丸上述发育时期的细胞凋亡情况.结果发现:①Si1基因在1天龄小鼠的睾丸组织生精上皮内无杂交信号;在未成熟小鼠的睾丸组织部分生精上皮内有极强的杂交信号;在成熟小鼠的睾丸组织生精上皮内无杂交信号.②小鼠睾丸组织生精上皮内,凋亡细胞数从生后第15-20天呈增加趋势,于生后第20天出现峰值,生后第25天又降低.上述结果表明Si1基因可能参与了小鼠睾丸的发育过程,在小鼠睾丸发育的特定时期发挥作用,由于Si1基因的表达与小鼠生精细胞凋亡发生的时期同步,表明该基因可能与小鼠睾丸发育过程中的细胞凋亡有关.  相似文献   
142.
采用改进型嵌入原子法(modifiedembedded atom method,MEAM),计算了(001)Au/(111)Si、(011)Au/(111)Si、(111)Au/(111)Si、(001)Au/(001)Si、(011)Au/(001)Si、(111)Au/(001)Si六个扭转界面的界面能.结果表明,不论是对于(111)Si还是(001)Si基底,相同基底的界面均按照(111)Au/Si、(001)Au/Si、(011)Au/Si顺序依次增加;从界面能的最小化考虑,Au在(111)Si或(001)Si基底上的外延生长,Au(111)面为择优晶面,择优扭转角分别为θ=2.68°和θ=2.42°.  相似文献   
143.
碳化硼的改性及其在有机硅树脂中的应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
为了提高碳化硼粉体与有机硅树脂的相容性,采用硅烷偶联剂KH-550对碳化硼粉体进行了表面改性,研究了表面改性的工艺条件及改性的碳化硼粉体对有机硅涂层性能的影响。通过接触角的测定,确定了改性工艺。偶联剂用量为碳化硼粉体质量的5.0%,改性温度为80℃,改性时间为3h。红外光谱分析表明,偶联剂在粉体表面产生了有效吸附,改变了粉体的表面性质。涂层机械性能、扫描电镜和交流阻抗测试的结果表明,改性的碳化硼粉体与有机硅树脂具有很好的相容性。  相似文献   
144.
Si基纳米发光材料的研究进展   总被引:13,自引:0,他引:13  
彭英才  X.W.Zhao  傅广生 《科学通报》2002,47(10):721-730
Si基纳米材料是近年迅速发展起来的一类新型光电信息材料,在未来的Si发光二极管、Si激光器以及Si基光电子集成技术中具有潜在的重要应用,这些材料主要包括纳米孔硅,由SiO2膜、SiOx(x<2.0)膜与氢化非晶Si(a-Si:H)膜镶嵌或覆盖的Si纳米微粒,Si纳米量子点以及Si/SiO2超晶格等,目前的研究迹象预示,一旦这些材料能够实现高效率和高稳定度的光致发光(PL)或电致发光(EL),很有可能在21世纪初引发一场新的信息革命,主要介绍了过去10年中各类Si基纳米材料在制备方法、结构特征和发光特性方面的研究进展,并初步预测了这一研究领域在今后10年内的发展趋势。  相似文献   
145.
电磁过滤Al-Si合金熔体中初生富铁相粒径的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
经流体力学分析 ,建立了电磁过滤水平流动 Al- Si合金熔体中初生富铁相粒径的数学模型 ,并对电磁过滤器进行了设计 .结果表明 ,当初生富铁相在垂直方向运动的雷诺数 Re<1时 ,去除初生富铁相的粒径 (dp)与熔体流动速度 (u)、过滤器通道高度 ((2 h) 0 .5)成正比 ,与电磁力大小(f)、过滤器长度 (l0 .5)成反比 ;当 1≤ Re<1 0时 ,dp 与 u和 (2 h) 0 .65成正比 ,与 f和 l0 .65成反比 .该模型与实验结果吻合 ,为电磁过滤器的设计和电磁过滤 Al- Si合金熔体中初生富铁相技术工艺参数的确定提供理论依据 .  相似文献   
146.
采用真空镀膜法,在半导体晶片GaAs衬底上制备红外增透和增反光学薄膜,研究了Si滤光片对镀膜工艺的影响以及10.6μm增透膜系和10.6μm增反膜系的透射特性.结果表明,Si滤光片可以有效地消除单色仪二级以上光谱对镀膜工艺的影响,是一种理想的红外监控光的滤光片.监控光波长的修正值△λ约为原波长的2.5%~3%时,是制备该红外光学薄膜的较佳的条件.  相似文献   
147.
用X射线衍射、差热分析、透射电镜分析等研究了激波对非晶Fe73.5Si13.5B9Nb3Cu1合金的作用,结果表明:激波能使非晶转变为纳米晶,晶化主相α-Fe的晶粒尺寸为20-40nm,晶格常数比纯铁的小,并形成了多种中间相和亚稳相。同时发现在非晶Fe73.5Si13.5B9Nb3Cu1的激波晶化过程中,铜、铌阻止晶粒长大、细化晶粒的作用失效。并讨论了压力和温度在晶化过程中的作用。  相似文献   
148.
纳米SiO2的制备及性能研究   总被引:21,自引:0,他引:21  
 用溶胶—凝胶法制备了纳米SiO2,考察了溶胶的浓度和pH值对凝胶时间的影响,并用FT-IR,XRD和TEM研究了其在热处理过程中的物相及显微结构.结果表明:溶胶浓度和溶胶pH值对凝胶时间影响较大.在温度为600℃时,经过烧结晶化,可制得纳米二氧化硅,其平均粒径20nm,外观形状呈球形,且热稳定性良好.  相似文献   
149.
用热压法制备了 Si3N4 / Al2 O3细晶复合陶瓷 ,研究了热压过程中出现的氧化、致密性、相变等现象 ,讨论了热压温度对材料的力学性能及相组成的影响。结果表明 ,热压 Si3N4 / Al2 O3复合陶瓷需在氮气保护下进行 ,热压温度保持在 130 0℃左右为佳 ,热压温度越高 ,致密度下降 ,晶粒明显粗化 ,力学性能下降 ,其下降原因与较高温度下莫来石的形成有关  相似文献   
150.
以柠檬酸为配合剂,用溶胶-凝胶法合成了Li3.4Si0.4V0.6O4-xLi3PO4(x=0.10-0.50)复合锂离子导体,并用DTA,XRD,AC阻抗技术等对复合物进行了表征。结果表明,当第2相含量为0.30时,室温电导率最高,为1.57μS/cm。  相似文献   
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