空心光纤中LP01模的场分布和消失波场特性分析

用弱导光纤近似，分析限空心光纤的场分布和消失波场特性，得出了色散方程并进行了数值计算，结果显示，在空心光纤里，空心区域的消失波场只限制在离纤芯内壁大约０．７λ厚的一层区域内，其场强的最大值仅为芯层中导波场最大值的１０％左右，保持空心光纤的其他参数不变，只改变纤芯层与包层之间的相对折射率差，不会引起区域内消失波场２的改变只会导致光纤包场分布的改变。     

垂直平面波导的分析

应用保角变换的方法，导出了垂直平面波导的特性阻抗和分布电容的准确表达式。     

多量子阱波导TE、TM模场分析

利用求解边值问题的亥姆赫兹方程和等效折射率近似方法 ,得到了芯区折射率呈锯齿型分布的多量子阱波导TE、TM模场的精确解和等效解 ,并且利用数值计算表明 :在多量子阱波导周期与芯区厚度之比趋于零时 ,精确解和等效解相当好地吻合 .本文的计算表明 ,等效折射率近似是一种研究任意折射率分布的多量子阱波导特性的有效方法     

半月国内科技要闻

发现11万年前智人下颌骨（图）,发现汉族人红斑狼疮易感基因,高频势阱原子波导研究获重大进展,成功研制大尺寸高纯二氧化碲晶体,千万亿次超级计算机“天河一号”研制成功（图）.     

硅钨酸FET分析麻黄碱的研究——杂多酸修饰离子敏感效应晶体管的研究Ⅲ

用硅钨酸修饰离子敏感场效应晶体管，并用其分析盐酸麻黄碱．传感器对麻黄碱的残性响应范围为1．0×10^-1～5．0×10^-6mol／L，斜率59．5mV／PC，检测下限为2．0×10^-6mol／L，适宜PH范围4．0～8．0．用其分析盐酸麻黄碱片剂含量，分析结果和药典方法相一致．     

面向21世纪的世界集成电路工业

1958年世界上第一块采用全平面工艺研制的硅集成电路(IC)问世，由此揭开了人类社会进入“硅器”时代的序幕。30多年来IC技术的发展迅猛异常，已经完成了小规模集成电路(SSI)、中规模集成电路(MSI)、大规模集成电路(LSI)和超大规模集成电路(VLSI)的发展阶段．目前正在进入特大规模集成电路(ULSI)时代。表1表示的是被誉为“IC工业技术激励器”的动态随机存储器(DRAM)的发展历程和趋势。     

多元化：中国企业的唯一出路？

前不久,“造车”失败的中国最大的手机生产商波导又宣称要进军电视业,生产液晶电视。在历经了“造车”热而不得不被迫放弃以后,电视又成了波导的下一个战略目标。看来,波导从未从盲目多元化的幻梦里醒来,在“造车”     

乙二胺介质中Ti-MCM-41分子筛的合成与表征

在乙二胺介质中以TBOT为钛源,TEOS为硅源合成了Ti-MCM-41中孔分子筛.采用TEM、XRD、FT-IR、TG-DTA等技术对其结构进行了表征.结果表明,EDAL/SiO2摩尔比在0.5～9.0的范围内均可制得结构规整的Ti-MCM-41分子筛;当EDA/SiO2=1.0时,分子筛样品的结晶度最高.由TG曲线可知,随着EDA/SiO2摩尔比的增加,分子筛的失重量呈现增大趋势.     

硅氢薄膜的制备和结构

采用ＰＥＣＶＤ技术，以ＳｉＨ４为反应源，在不同基片温度和射频功率下制备硅薄膜。对硅薄膜进行了ＸＲＤ、ＩＲ、Ｒａｍａｎ分析。研究沉积参量对膜晶化过程的影响，对沉积机理作了初步讨论。     

等离子体波导中电磁波传输理论

对圆柱波导中的介质管内填充等离子体且外加有限轴向磁场时，电磁波的传播特性进行了严格的理论分析，得到了电磁场分量，特征值，色散方程和复功率流的严格表达式，并进行了详细讨论。