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41.
42.
核磁共振法表征磷改性斜发沸石骨架硅铝的变化 总被引:1,自引:0,他引:1
用固固相P—Al同晶取代的方法,采用焙烧和微波两种加热方式磷改性斜发沸石。并用^27Al、^29Si和^31P高分辨MASNMR表征磷改性前后斜发沸石骨架上的硅铝变化,结果表明,两种方法都能使沸石骨架Al脱除,形成八面体Al(H2O)^3 6,骨架硅铝比显著增大,微波法对斜发沸石骨架P—Al同晶取代效果比焙烧法好,同时,两种方法对磷改性斜发沸石的骨架结构影响也不同。 相似文献
43.
采用经验紧束缚近似方法模拟重构硅(100)表面单个双聚体空位(SDV)附近的单个硅原子的沉积行为,根据绘制的SDV附近附加能量差异的三维及投影图,确定了沉积束缚点和一些鞍点,并研究其可能的扩散路径。 相似文献
44.
郭碧花 《西华师范大学学报(哲学社会科学版)》2003,24(4):396-401
为了研究水稻对硅、钾、钙、镁的不同吸收效应,同时探索含钾硅酸盐矿物的肥料价值,本文采用了动力学研究方法.结果表明:水稻对硅、钾、钙、镁的吸收速率因肥料配比差异而不同;而施用多元复合物,水稻生长过程中对硅、钾、钙、镁的吸收速率明显增加;四个动力学方程对水稻吸收养分规律的拟合度都达到了极显著性或显著性水平;单从相关系数及其变异系数来看,四种养分的拟合情况均以Freybdkucg方程为最好. 相似文献
45.
基于三维有限差分束传输法(FD-BPM)对平面光波导器件中的关键元件之一-平面锥形模斑转换器作了深入的研究,对线性和数种非线性侧面边界的模斑转换器进行了数值仿真和对比,分析了平面锥形模斑转换器侧面边界函数对耦合损耗的影响,以及模斑转换器中模场分布随传输距离的变化,确定了不同长度的平面锥形模斑转换器的最佳侧面边界,指出长度在200-1000μm范围内具有余弦边界的平面锥形模斑转换器性能最佳,并且发现,光纤中的出射光进入模斑转换器以后,光波模式会逐渐发生变化,并最终转化为单模。 相似文献
46.
采用等离子体氧化和逐层(layer-by-layer)生长技术在等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统中原位制备了Al/SiO2/nc-Si/SiO2/p-Si纳米结构.利用变频电容-电压测量研究了该结构的电学性质,在室温下首次观察到电容峰现象.实验得到的单电子库仑充电能与理论上用电容模型算得的结果一致. 相似文献
47.
分析转移矩阵方法确定多层平板光波导TM模的色散方程 总被引:1,自引:0,他引:1
分析转移矩阵方法(ATMM)能精确地确定平板光波导的模式特性。本文利用ATMM,导出了非对称多层平板光波导和对称多层平板光波导的TM模的精确色散方程。 相似文献
48.
配制高性能混凝土对原材料要求的探讨 总被引:1,自引:0,他引:1
高性能混凝土具有高流动性、高耐久性的特点,其组成原材料应满足各项性能的基本要求.胶凝材料用量较高,水灰比较低,最大骨料粒径较小,可采用普通水泥,但必须与高效减水剂有很好的相容性. 相似文献
49.
利用脉冲激光沉积(PLD)技术在单晶硅衬底的非晶态SiO2过渡层上外延生长了具有优良结晶品质和高度C轴取向性的LiNbO3光波导薄膜.利用X射线衍射、高分辨电子显微镜和原子力显微镜等手段对LiNbO3薄膜的结晶品质和C轴取向性等进行了系统的分析,基本确定了薄膜C轴外延生长的最佳沉积参数.非晶态SiO2过渡层上的LiNbO3薄膜由尺度约为150 nm×150nm的四方柱状C轴取向的单晶畴紧密排列而成,并且具有陡峭的界面结构.棱镜耦合技术测量表明,激光可以被耦合到LiNbO3薄膜中,形成TE和TM模式的光波导.此外,对于LiNbO3薄膜在非晶过渡层上择优取向生长的物理机制和薄膜基底效应进行了初步探讨,提出其生长机制很可能符合光滑晶面上三维岛状成核生长的Volmer模式. 相似文献
50.
硅压阻式传感器与AD7705芯片在压力测量中的应用 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍一种新型测量压力的元件——硅半导体压阻式传感器,并以MPX2100压阻式传感器为例,配合AD7705芯片构成压力测量系统,阐述压力测量系统的工作原理,说明系统的软、硬件设计方法. 相似文献