深过冷Ni—Si共晶合金中Ni3Si的生长形态

采用熔融玻璃净化和循环过热相结合的方法，使Ｎｉ－Ｓｉ共晶合金获得了２２４Ｋ的大过冷度，对该合金深过冷快速凝固组织的形成机制和小平面相Ｎｉ３Ｓｉ的生长形态的研究发现，在过冷条件下，共晶组织形成之前，往往会生成组成共晶的两相的初生相，随着过冷度的增大，Ｎｉ３Ｓｉ初生相的生长形态由小平面形态向非小平面形态转变，其转变的临界过冷度约为６０Ｋ。     

新型四氮杂大环钴（Ⅱ）配合物的合成,表征和电子光…

在水溶液中合成了新型四氮杂大环Ｈ４Ｌ（５，１２－二苯基－７，１４－二甲基－１，４，８，１１－四氮杂环十四烷－Ｎ′，Ｎ″，Ｎ，Ｎ″″－四乙酸）与钴（Ⅱ）形成的固体配合物，采用元素分析、ＩＲ等技术表征出配合物的组成为ＣｏＨ２Ｌ．２Ｈ２Ｏ，由电子光 数据了配合物的成 键特征。     

硫化镉纳米粒子荧光淬灭测定柳氮磺吡啶

以硫代乙酰胺(TAA)与Cd2 在碱性溶液中反应制备了CdS荧光纳米粒子,该纳米粒子的荧光强度强烈的被药物成分柳氮磺吡啶所淬灭,建立了一种高选择性的测定柳氮磺吡啶的荧光分析新方法.结果表明,在pH值为11.2时,对于柳氮磺吡啶的检测下限可达到1×10-7g/mL,线性范围为5.0×10-7g/mL~1.0×10-4g/mL.方法已用于药片中柳氮磺吡啶的测定.     

硅或钛取代AlPO-11分子筛的合成及表征

介绍了硅,钛取代AlPO-1分子筛SAPO-11、TAPO-11的合成方法,采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、热重-差热、氮气吸脱附等手段对合成的分子筛进行了表征,考察了晶化温度和原料比对分子筛合成的影响.结果表明,硅,钛取代AlPO-11分子筛能生成AEL结构的TAPO-11分子筛;SAPO-11与AlPO-11分子筛表观形貌相差不大,而TAPO-11分子筛表观形貌则与AlPO-11分子筛有很大不同;硅,钛取代后分子筛的孔道半径及其孔容有所改变;3种分子筛都具有较好的热稳定性.     

用碱处理的ZSM-5沸石合成MCM-41型结构复合分子筛的研究

以现有的工业ZSM-5作为原料,采用碱处理ZSM-5的浆液或滤液作为硅铝源,与表面活性剂在水热条件下进行自组装得到具有微孔、介孔双孔分布的MCM-41型结构复合分子筛,并采用X射线衍射、N2吸附脱附、红外光谱等测试手段对合成的样品进行了分析表征,考察了主要合成条件对分子筛性能的影响.结果表明,根据ZSM-5碱处理程度的不同,采用浆液得到的样品可能含有少量ZSM-5沸石的晶粒,但随着碱浓度升高或碱处理时间的延长,ZSM-5沸石晶粒的量逐渐减少,而采用滤液合成的样品中不存在独立的ZSM-5沸石的晶粒.     

生物除磷脱氮工艺再生回用水作为冷却水应注意的问题

污水处理的再生水回用与冷却用水采用除磷脱氮工艺,是把好水质质量关的重要保证。提出在生物除磷脱氮工艺的管理运行中,要采用科学方法,使水处理工艺达到最高能效;在运行管理中要掌握原理,注意生物除磷脱氮的主要影响因素和其他方面的问题。     

多芯片LED与恒流源一体化混合集成设计

将多芯片LED与恒流源电路进行一体化混合集成电路工艺设计,保证了3～10W的多芯片集成LED在低于100mA的驱动电流下正常工作.恒流源采用跟随浮压技术进行设计,使集成LED的工作电压在2～200V,恒定工作电流在10～100mA选择.其恒流温度漂移小于5μA/℃,发光效率大于17Lm/W,同时简化了工频驱动电源电路的设计,减少远距离供电线路损耗.     

尿素为氮源制备氮掺杂二氧化钛及其光催化性

为拓展二氧化钛对可见光的响应,以尿素为氮源,在温和条件下采用溶胶-凝胶法制备了氮掺杂二氧化钛粉末.用X射线衍射、透射电镜扫描、紫外-可见光漫反射吸收光谱和X射线光电子能谱等方法对制备的样品进行了表征,对可见光照射下的光催化活性进行了测试,并考察了煅烧温度及氮含量对光催化活性的影响.结果表明:氮掺杂致使二氧化钛在可见光区的光吸收增强,在降解甲基橙的实验中表现出良好的可见光催化活性;随煅烧温度的增加,氮含量减少,晶粒增大,可见光催化活性减弱;400℃下制备的样品中存在一个最佳的N/Ti配比,所对应的可见光催化活性最高.     

含纳米硅粒SiO2薄膜的光致发光

采用RF磁控溅射技术制备含纳米硅的SiO2薄膜.通过对Si-SiO2复合靶的比分进行调节控制,并在不同的温度下进行高温退火得到不同粒径的纳米硅.利用XRD对样品进行分析得出纳米硅的平均粒径;对样品测量光致发光谱,其发光峰分别位于361 nm和430 nm,比较发现光致发光的峰位随比分的改变有微小的蓝移.文中对发光机理进行初步讨论.     

含纳米硅氧化硅薄膜的光致发光特性

利用射频磁控溅射复合靶技术,通过调节复合靶的百分比制得富硅的氧化硅薄膜,并在不同的温度下退火,制得含纳米硅的氧化硅薄膜.通过Raman谱的测量,计算出800℃退火的薄膜中纳米硅晶粒的平均尺寸为5.6 nm,用X射线衍射测量同样的样品得出其粒径为6.0 nm.在室温下测量光致发光(PL)谱,探测样品的峰位为360 nm,并结合光致发光激发谱(PLE),研究相应的激发与发光中心.