在阿拉伯树胶存在下,罗丹明B—硅钼杂多酸缔合物分光光度法测定铝合金中的痕量硅

本文研究了硅钼杂多酸—罗丹明B—阿拉伯树胶显色体系,从而建立了水相测定硅的高灵敏度分光光度法,应用于铝合金中痕量硅的测定,结果较满意。     

NaOH(KOH)-SiO_2-CH_2OHCH_2OH体系中全硅方钠石的合成

1985年Bibby和Dale首次报导了在非水体系(乙二醇和正丙醇)中全硅方钠石的合成。最近,Van Erp等报导了在其它非水溶剂中全硅方钠石的合成。但在KOH存在下全硅方钠石的合成未见报导。我们探索了非水体系中全硅方钠石的合成。     

硅压阻流速仪及其应用

由两根平行放置的皮托管作为测压探针，硅压阻传感器作为压力敏感元件组合成的流速探头，尺寸小，动态频响良好（士１ｄＢ频带宽为１２００Ｈｚ），适用于一维的动态流速测量。配套用的放大器设有温度和频率补偿及线性化电路，可得到线性的输出信号。在国管和明槽内进行的断面流速分布量测结果与理论计算值以及其它仪器的实测资料能较好地符合。在雷诺数不大的情况下可以测出边界底层内的紊动强度分布。     

辣椒的组织培养及其植株再生

本实验利用组织培养方法,以期获得优良复壮、抗逆性增强的植株,降低辣椒的死亡率。选十三种不同激素水平的培养基。其中以MS+5NAA+5IAA较适宜,茎尖在培养基上不经过继代培养就可一次完成成株过程。为了快速繁殖,对辣椒进行切断繁殖的方法也进行了较深入的研究并获成功。     

温场对CZ硅单晶氧含量和径向扩展电阻均匀性的影响

利用测量熔体温度、液流模拟、红外吸收和扩展电阻探针研究了温场对硅单晶的氧含量和径向扩展电阻均匀性的影响。高温场中整个熔体的温度梯度与重力方向一致,矮温场中只有上部熔体的温度梯度与重力方向一致,而下部熔体的温度梯度与重力方向相反。高温场中整个熔体有热对流,矮温场中只有上部熔体有热对流。高温场中生长的单晶的氧含量明显高于矮温场中生长的单晶。高温场中生长的硅片,径向扩展电阻分布有中央平坦部分、剧烈起伏部分和边缘波纹起伏部分,矮温场中生长的硅片无剧烈起伏部分。这一部分可能是熔体中泰勒柱与热对流区之间的切变层是高氧熔体造成的。     

A_r~+激光诱导氯气刻蚀硅

本文通过被局域刻蚀硅表面形貌的精确测量,考察了刻蚀速率对于激光功率、波长、反应室气压的依赖关系,讨论了在不同光斑尺寸和刻蚀深度下反应机理的变化,给出了衬底晶向和表面氧化层对刻蚀效果影响的一些新的结果。     

多孔硅的制备和光致发光

用阳极氧化方法制备了多孔硅样品，研究了样品在室温下受温下受紫外光（３５５ｎｍ）激发的发光特性，发现着阳极氧化电流密度和腐蚀时间的增加，发光峰呈蓝移，用ＫＯＨ溶液和水对多孔硅处理，发光光谱有明显变化，解释了有关发光现象。     

硅中杂质,缺陷对器件制作与性能的影响及控制

本文针对硅中杂质、缺陷对器件制作和性能的影响进行研究,提出控制杂质与缺陷的不良影响和提高器件的成品率和优品率的途径。     

硅钨酸在膨润土上的固载化

具有Keggin结构的杂多酸作为一种新型多功能催化剂,在均相对许多反应都表现出优异的催化活性.近年来杂多酸正逐步在多个反应过程中实现工业应用.将杂多酸固载化以实现均相反应的多相化,因具有更大的实用性更令人瞩目.本文报道的是以经过化学处理的膨润土为载体,研究硅钨酸的固载化问题.